鎂光34nm企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存明年初量產

　　鎂光34nm制程企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存芯片已經進入試樣階段，MLC部分的存儲密度可達32Gb，寫入壽命達3萬次，是普通MLC產品的6倍;SLC部分存儲密度為16Gb，寫入壽命同樣為3萬次，是普通SLC產品的3倍.

　　鎂光這次開發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規(guī)范(Open NAND Flash Interface)，數據傳輸率最高可達200MB/S，而且可以采用閃存封裝內部集成多片閃存芯片的封裝方案。

　　鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產。