IT之家 4 月 23 日消息，鎧俠今日宣布出樣最新一代 UFS 4.0 閃存芯片，提供 256GB、512GB、1TB 容量可選，專為包括高端智能手機在內的下一代移動應用打造。256GB：THGJFMT1E45BATV，封裝尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm512GB：THGJFMT2E46BATV，封裝尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm1TB：THGJFMT3E86BATZ，封
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鎧俠 UFS 4.0 閃存芯片
月5日，西部數據宣布，在NAND Flash業(yè)務拆分后，將保留原名，專注經營核心HDD業(yè)務，并表示這一分拆過程有望在2024年下半年完成。與此同時，將為即將分拆的閃存和傳統(tǒng)硬盤業(yè)務任命CEO。西部數據稱，現任西部數據全球運營執(zhí)行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨立 HDD公司的CEO，繼續(xù)以西部數據的身份運營?，F任CEO David Goeckeler則受命轉往NAND Flash部門成立的新公司，出任新公司執(zhí)行長。圖片來源：西部數據西部數據與鎧俠合并進展如何？據悉，自2021年以來，西部數據及
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閃存芯片 NAND Flash 西部數據
根西數和鎧俠的報告，這兩家工廠可能會造成多達16EB的閃存被浪費，影響到本季度閃存市場10%的份額。不光近期準備發(fā)布新品的蘋果公司收到了影響，原本芯片就很緊缺，加上現在又出現閃存污染的問題，對于那些依賴西部數據和鎧俠閃存的廠商來說，更是巨大的打擊，就包括了微軟、索尼、谷歌等知名廠商。加上相關事件引發(fā)市場恐慌，已有消息稱群聯第一時間調漲模組報價15%，其它廠商則暫停報價。然而在這方面，也并不全是壞消息，競爭對手三星、海力士和美光這幾個巨頭，會從此類事件受益。其中SK海力士和美光的股價，在盤后交易中應聲上漲了
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日前鎧俠及西數位于日本的NAND閃存工廠爆發(fā)污染事故，導致6.5EB容量的閃存芯片受到影響，這一黑天鵝事件給全球閃存行業(yè)帶來了不確定性，原本價格還在下滑，但是最新預測稱Q2季度閃存價格將會轉向上漲5-10%。來自集邦科技的分析認為，原本NAND閃存全年都有微幅的供過于求壓力，今年上半年價格都有下滑壓力，但是現在的情況變了，1月份三星位于西安的工廠受到疫情影響，2月份這又曝出鎧俠、西數閃存芯片受污染的事故。集邦科技認為在當前的情況下，Q1季度閃存芯片價格跌幅會收窄到5-10%，而Q2季度價格則會反轉，變成漲
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一期投資70億美元的三星(中國)半導體有限公司9日舉行竣工典禮，標志其世界領先的高端閃存芯片正式量產，西安也有望成為全球電子信息技術領先的生產研發(fā)基地。陜西省委書記趙正永、省長婁勤儉，國家工業(yè)和信息化部部長苗圩、韓國駐中國大使權寧世，三星電子首席執(zhí)行官權五鉉等出席了竣工典禮。
三星(中國)半導體2012年9月開工，被稱為中國改革開放以來單筆投資最大的外商投資高科技項目，也是三星迄今為止最大的一筆海外投資。整個項目園區(qū)占地約114萬平方米，總建筑面積約23萬平方米，將生產目前最先進的10納米級NA
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三星 閃存芯片
6月29日至30日，韓國總統(tǒng)樸槿惠在國事訪問期間到訪西安，并蒞臨三星項目工地視察。日前，三星(中國)半導體有限公司在接受本報記者獨家專訪時表示，樸槿惠總統(tǒng)的蒞臨令三星集團以及西安項目建設團隊備受鼓舞，三星將做好本職工作,生產出最先進的產品,為陜西和西安的經濟發(fā)展作出貢獻,回報關心和支持三星項目的陜西和西安人民。
總統(tǒng)提出殷切期望
樸槿惠總統(tǒng)是歷史上首次訪問西安的韓國總統(tǒng)?！皹汩然菘偨y(tǒng)視察三星項目后表示，希望三星西安項目的成功建設能夠促進中國西部大開發(fā)戰(zhàn)略發(fā)展，并將中國和韓國推向
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三星 閃存芯片
根據行業(yè)觀察家表示，受智能手機和平板電腦強勁需求推動，64GB NAND閃存市場一直在增長，高密度芯片價格高居不下，反映當前供不應求市場狀況。
智能手機和平板電腦市場對NAND芯片需求旺盛，也對現貨市場上的芯片供應帶來了負面的影響，即NAND閃存芯片廠商優(yōu)先供應系統(tǒng)制造商表示，許多下游模塊廠和渠道分銷商已經無力獲得穩(wěn)定的供貨。
供應緊張狀況，鼓勵芯片企業(yè)優(yōu)先考慮高利潤的訂單，比如為智能手機提供容量高達64GB的NAND閃存芯片，并且獲利高于功能手機和其他消費電子產品。
有消息表示，目
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NAND 閃存芯片
據路透社報道，東芝表示，受日元走強和歐債危機導致的需求量下滑等因素影響，其上一財年營業(yè)利潤下降14%。
東芝周二表示，截止3月31日，其年度營業(yè)利潤下降至2066.5億日元(約合26億美元)。這一數據比湯森路透I/B/E/S對22位分析師調查得到的2087億日元的結果略小。
東芝稱，市場對于電視機和個人電腦的需求量仍然萎靡，但蘋果對其生產的閃存芯片的需求在持續(xù)上升。
東芝預測，由于蘋果iPhone和iPad的暢銷，其營業(yè)利潤在本財年將上升45%，達到3000億日元。
湯森路透I
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東芝 閃存芯片
行業(yè)領先的并行和串行NOR閃存芯片供應商Spansion公司(紐約證交所代碼：CODE)，日前宣布已經開始批量生產512 Mb Spansion? FL-S串行(SPI) NOR閃存，該芯片是業(yè)界單顆裸片最高容量的串行閃存方案。Spansion FL-S系列產品容量涵蓋128Mb至1Gb，具有比同類競爭產品快三倍的業(yè)界領先編程速度和快20%的雙倍數據讀取速率(DDR)。速度的提升在諸多的嵌入式應用中極大地提高了用戶體驗，例如汽車組合儀表盤和信息娛樂系統(tǒng)、工業(yè)和醫(yī)療圖形顯示以及家用網關和機頂盒。
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Spansion 閃存芯片 FL-S
新華網西安3月22日電(記者陳鋼 姜辰蓉)記者22日從西安高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)獲悉，韓國三星電子公司當日宣布，其擬在中國大陸建設的閃存芯片項目已經選址西安市。
陜西省、西安市相關方面與三星電子公司22日在西安進行的工作會談中，三星電子常務金秀峰表示，三星電子考慮在西安建設的存儲器研發(fā)和生產工廠，將采用世界最領先的技術，第一步投資70億美元，計劃2013年底投產。
西安是我國重要的新一代信息技術生產和研發(fā)基地，三星電子閃存芯片項目計劃在西安南郊的國家級西安高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)建設。
據介紹
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三星 閃存芯片
東芝周四表示，該公司已經與閃存技術開發(fā)商SanDisk共同研發(fā)出全球最小的128Gbit(16GB)NAND閃存芯片。
該閃存芯片采用19nm新工藝，大小為170平方毫米，比一枚普通硬幣還小。
該閃存芯片運用3-bit-per-cell存儲技術。該存儲技術雖然比2-bits-per-cell存儲技術更為高效，但存在穩(wěn)定性不強的問題。這也意味著該閃存芯片將首先用于記憶棒和記憶卡。
據悉，作為蘋果等公司主要供應商的東芝將于本月開始生產這種閃存芯片。
隨著芯片生產商爭相追逐更小的芯片
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三星電子公司(SamsungElectronicsCo)擬在中國大陸投資建閃存芯片廠的計劃已經得到韓國知識經濟部(MinistryofKnowledgeEconomy)的批準，最快有望在未來六個月內動工開建。在中國大陸建閃存芯片廠將加強三星公司在中國電子市場上的地位，預計未來幾年內中國將超過美國成為全球最大的消費電子市場。
閃存芯片是一種移動存儲產品，廣泛應用于音樂播放器、智能手機和平板電腦中。三星公司計劃在中國生產的是NAND型閃存芯片，主要用于固態(tài)硬盤和大容量數碼存儲卡。韓國知識經濟部在周三
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1月4日道瓊斯報道說，三星電子公司(Samsung Electronics Co)擬在中國大陸投資建閃存芯片廠的計劃已經得到韓國知識經濟部(Ministry of Knowledge Economy )的批準，最快有望在未來六個月內動工開建。在中國大陸建閃存芯片廠將加強三星公司在中國電子市場上的地位，預計未來幾年內中國將超過美國成為全球最大的消費電子市場。
閃存芯片是一種移動存儲產品，廣泛應用于音樂播放器、智能手機和平板電腦中。三星公司計劃在中國生產的是NAND型閃存芯片，主要用于固態(tài)硬盤和大容
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三星電子今日宣稱，由于智能手機和平板電腦的熱銷將會繼續(xù)推動芯片行業(yè)的發(fā)展，該公司計劃在中國設立一家閃存芯片生產廠。韓國分析師估計，三星可能會投資40億美元左右來興建該廠。這個生產廠，如果獲得批準，將是三星在國際上設立的第二個芯片生產廠，這也反映出中國市場已變得越來越重要了。作為全球頂級內存芯片和平面顯示屏生產商，三星還計劃在中國設立一個平面顯示屏生產基地。
目前，三星在國際上設立的唯一一個芯片生產廠位于美國德克薩斯州奧斯丁市。
這個新的生產線“將使我們能夠滿足消費者日益增長的需
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受到諸多全球總體經濟復蘇的不確定變數干擾，2011部份的NAND Flash終端應用產品出貨量將不如預期，及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應遞延等因素的綜合影響下，8月上旬NANDFlash芯片市場買氣依然疲弱，但某些系統(tǒng)客戶的OEM訂單需求相對于記憶卡及UFD通路市場需求仍相對地穩(wěn)定，因此，MLCNAND Flash芯片合約均價小跌約1-2%，而TLCNAND Flash芯片合約均價則下跌約4-7%。
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閃存芯片介紹
閃存芯片 目錄
閃存芯片簡介閃存介紹
閃存的分類
閃存的速度其實很有限
NAND型閃存的技術特點擦除操作
尋址
決定NAND型閃存的因素1．頁數量
2．頁容量
3．塊容量
4．I/O位寬
5．頻率
6．制造工藝
閃存芯片簡介 閃存介紹
閃存的分類
閃存的速度其實很有限
NAND型閃存的技術特點 擦除操作
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