首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 閃存芯片

鎧俠出樣最新一代 UFS 4.0 閃存芯片:連讀寫入速率提升 15%、封裝面積減小 18%

  • IT之家 4 月 23 日消息,鎧俠今日宣布出樣最新一代 UFS 4.0 閃存芯片,提供 256GB、512GB、1TB 容量可選,專為包括高端智能手機在內(nèi)的下一代移動應(yīng)用打造。256GB:THGJFMT1E45BATV,封裝尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm512GB:THGJFMT2E46BATV,封裝尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm1TB:THGJFMT3E86BATZ,封
  • 關(guān)鍵字: 鎧俠  UFS 4.0 閃存芯片  

西部數(shù)據(jù)NAND Flash業(yè)務(wù)拆分最新進(jìn)展,新任CEO揭曉

  • 月5日,西部數(shù)據(jù)宣布,在NAND Flash業(yè)務(wù)拆分后,將保留原名,專注經(jīng)營核心HDD業(yè)務(wù),并表示這一分拆過程有望在2024年下半年完成。與此同時,將為即將分拆的閃存和傳統(tǒng)硬盤業(yè)務(wù)任命CEO。西部數(shù)據(jù)稱,現(xiàn)任西部數(shù)據(jù)全球運營執(zhí)行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨立 HDD公司的CEO,繼續(xù)以西部數(shù)據(jù)的身份運營?,F(xiàn)任CEO David Goeckeler則受命轉(zhuǎn)往NAND Flash部門成立的新公司,出任新公司執(zhí)行長。圖片來源:西部數(shù)據(jù)西部數(shù)據(jù)與鎧俠合并進(jìn)展如何?據(jù)悉,自2021年以來,西部數(shù)據(jù)及
  • 關(guān)鍵字: 閃存芯片  NAND Flash  西部數(shù)據(jù)  

6.5EB的閃存芯片被污染,漲價已成為事實

  • 根西數(shù)和鎧俠的報告,這兩家工廠可能會造成多達(dá)16EB的閃存被浪費,影響到本季度閃存市場10%的份額。不光近期準(zhǔn)備發(fā)布新品的蘋果公司收到了影響,原本芯片就很緊缺,加上現(xiàn)在又出現(xiàn)閃存污染的問題,對于那些依賴西部數(shù)據(jù)和鎧俠閃存的廠商來說,更是巨大的打擊,就包括了微軟、索尼、谷歌等知名廠商。加上相關(guān)事件引發(fā)市場恐慌,已有消息稱群聯(lián)第一時間調(diào)漲模組報價15%,其它廠商則暫停報價。然而在這方面,也并不全是壞消息,競爭對手三星、海力士和美光這幾個巨頭,會從此類事件受益。其中SK海力士和美光的股價,在盤后交易中應(yīng)聲上漲了
  • 關(guān)鍵字: 閃存芯片  西部數(shù)據(jù)  鎧俠  

2022年裝機要趁早:閃存芯片即將迎來漲價

  • 日前鎧俠及西數(shù)位于日本的NAND閃存工廠爆發(fā)污染事故,導(dǎo)致6.5EB容量的閃存芯片受到影響,這一黑天鵝事件給全球閃存行業(yè)帶來了不確定性,原本價格還在下滑,但是最新預(yù)測稱Q2季度閃存價格將會轉(zhuǎn)向上漲5-10%。來自集邦科技的分析認(rèn)為,原本NAND閃存全年都有微幅的供過于求壓力,今年上半年價格都有下滑壓力,但是現(xiàn)在的情況變了,1月份三星位于西安的工廠受到疫情影響,2月份這又曝出鎧俠、西數(shù)閃存芯片受污染的事故。集邦科技認(rèn)為在當(dāng)前的情況下,Q1季度閃存芯片價格跌幅會收窄到5-10%,而Q2季度價格則會反轉(zhuǎn),變成漲
  • 關(guān)鍵字: 裝機  閃存芯片  

三星西安量產(chǎn)高端閃存芯片

  •   一期投資70億美元的三星(中國)半導(dǎo)體有限公司9日舉行竣工典禮,標(biāo)志其世界領(lǐng)先的高端閃存芯片正式量產(chǎn),西安也有望成為全球電子信息技術(shù)領(lǐng)先的生產(chǎn)研發(fā)基地。陜西省委書記趙正永、省長婁勤儉,國家工業(yè)和信息化部部長苗圩、韓國駐中國大使權(quán)寧世,三星電子首席執(zhí)行官權(quán)五鉉等出席了竣工典禮。   三星(中國)半導(dǎo)體2012年9月開工,被稱為中國改革開放以來單筆投資最大的外商投資高科技項目,也是三星迄今為止最大的一筆海外投資。整個項目園區(qū)占地約114萬平方米,總建筑面積約23萬平方米,將生產(chǎn)目前最先進(jìn)的10納米級NA
  • 關(guān)鍵字: 三星  閃存芯片  

三星項目擬明年上半年正式投產(chǎn)

  •   6月29日至30日,韓國總統(tǒng)樸槿惠在國事訪問期間到訪西安,并蒞臨三星項目工地視察。日前,三星(中國)半導(dǎo)體有限公司在接受本報記者獨家專訪時表示,樸槿惠總統(tǒng)的蒞臨令三星集團(tuán)以及西安項目建設(shè)團(tuán)隊備受鼓舞,三星將做好本職工作,生產(chǎn)出最先進(jìn)的產(chǎn)品,為陜西和西安的經(jīng)濟(jì)發(fā)展作出貢獻(xiàn),回報關(guān)心和支持三星項目的陜西和西安人民。   總統(tǒng)提出殷切期望   樸槿惠總統(tǒng)是歷史上首次訪問西安的韓國總統(tǒng)。“樸槿惠總統(tǒng)視察三星項目后表示,希望三星西安項目的成功建設(shè)能夠促進(jìn)中國西部大開發(fā)戰(zhàn)略發(fā)展,并將中國和韓國推向
  • 關(guān)鍵字: 三星  閃存芯片  

64GB NAND閃存芯片需求保持強勁

  •   根據(jù)行業(yè)觀察家表示,受智能手機和平板電腦強勁需求推動,64GB NAND閃存市場一直在增長,高密度芯片價格高居不下,反映當(dāng)前供不應(yīng)求市場狀況。   智能手機和平板電腦市場對NAND芯片需求旺盛,也對現(xiàn)貨市場上的芯片供應(yīng)帶來了負(fù)面的影響,即NAND閃存芯片廠商優(yōu)先供應(yīng)系統(tǒng)制造商表示,許多下游模塊廠和渠道分銷商已經(jīng)無力獲得穩(wěn)定的供貨。   供應(yīng)緊張狀況,鼓勵芯片企業(yè)優(yōu)先考慮高利潤的訂單,比如為智能手機提供容量高達(dá)64GB的NAND閃存芯片,并且獲利高于功能手機和其他消費電子產(chǎn)品。   有消息表示,目
  • 關(guān)鍵字: NAND  閃存芯片  

東芝上一財年營業(yè)利潤下降14%至26億美元

  •   據(jù)路透社報道,東芝表示,受日元走強和歐債危機導(dǎo)致的需求量下滑等因素影響,其上一財年營業(yè)利潤下降14%。   東芝周二表示,截止3月31日,其年度營業(yè)利潤下降至2066.5億日元(約合26億美元)。這一數(shù)據(jù)比湯森路透I/B/E/S對22位分析師調(diào)查得到的2087億日元的結(jié)果略小。   東芝稱,市場對于電視機和個人電腦的需求量仍然萎靡,但蘋果對其生產(chǎn)的閃存芯片的需求在持續(xù)上升。   東芝預(yù)測,由于蘋果iPhone和iPad的暢銷,其營業(yè)利潤在本財年將上升45%,達(dá)到3000億日元。   湯森路透I
  • 關(guān)鍵字: 東芝  閃存芯片  

Spansion開始批量生產(chǎn)最高密度單芯片512 Mb串行閃存

  • 行業(yè)領(lǐng)先的并行和串行NOR閃存芯片供應(yīng)商Spansion公司(紐約證交所代碼:CODE),日前宣布已經(jīng)開始批量生產(chǎn)512 Mb Spansion? FL-S串行(SPI) NOR閃存,該芯片是業(yè)界單顆裸片最高容量的串行閃存方案。Spansion FL-S系列產(chǎn)品容量涵蓋128Mb至1Gb,具有比同類競爭產(chǎn)品快三倍的業(yè)界領(lǐng)先編程速度和快20%的雙倍數(shù)據(jù)讀取速率(DDR)。速度的提升在諸多的嵌入式應(yīng)用中極大地提高了用戶體驗,例如汽車組合儀表盤和信息娛樂系統(tǒng)、工業(yè)和醫(yī)療圖形顯示以及家用網(wǎng)關(guān)和機頂盒。
  • 關(guān)鍵字: Spansion  閃存芯片  FL-S  

三星閃存芯片項目選址西安 一期投資70億美元

  •   新華網(wǎng)西安3月22日電(記者陳鋼 姜辰蓉)記者22日從西安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)獲悉,韓國三星電子公司當(dāng)日宣布,其擬在中國大陸建設(shè)的閃存芯片項目已經(jīng)選址西安市。   陜西省、西安市相關(guān)方面與三星電子公司22日在西安進(jìn)行的工作會談中,三星電子常務(wù)金秀峰表示,三星電子考慮在西安建設(shè)的存儲器研發(fā)和生產(chǎn)工廠,將采用世界最領(lǐng)先的技術(shù),第一步投資70億美元,計劃2013年底投產(chǎn)。   西安是我國重要的新一代信息技術(shù)生產(chǎn)和研發(fā)基地,三星電子閃存芯片項目計劃在西安南郊的國家級西安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)建設(shè)。   據(jù)介紹
  • 關(guān)鍵字: 三星  閃存芯片  

東芝聯(lián)手SanDisk開發(fā)全球最小128Gb閃存芯片

  •   東芝周四表示,該公司已經(jīng)與閃存技術(shù)開發(fā)商SanDisk共同研發(fā)出全球最小的128Gbit(16GB)NAND閃存芯片。   該閃存芯片采用19nm新工藝,大小為170平方毫米,比一枚普通硬幣還小。   該閃存芯片運用3-bit-per-cell存儲技術(shù)。該存儲技術(shù)雖然比2-bits-per-cell存儲技術(shù)更為高效,但存在穩(wěn)定性不強的問題。這也意味著該閃存芯片將首先用于記憶棒和記憶卡。   據(jù)悉,作為蘋果等公司主要供應(yīng)商的東芝將于本月開始生產(chǎn)這種閃存芯片。   隨著芯片生產(chǎn)商爭相追逐更小的芯片
  • 關(guān)鍵字: 東芝  閃存芯片  

三星在華建閃存芯片工廠計劃獲批 6個月內(nèi)動工

  •   三星電子公司(SamsungElectronicsCo)擬在中國大陸投資建閃存芯片廠的計劃已經(jīng)得到韓國知識經(jīng)濟(jì)部(MinistryofKnowledgeEconomy)的批準(zhǔn),最快有望在未來六個月內(nèi)動工開建。在中國大陸建閃存芯片廠將加強三星公司在中國電子市場上的地位,預(yù)計未來幾年內(nèi)中國將超過美國成為全球最大的消費電子市場。   閃存芯片是一種移動存儲產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于音樂播放器、智能手機和平板電腦中。三星公司計劃在中國生產(chǎn)的是NAND型閃存芯片,主要用于固態(tài)硬盤和大容量數(shù)碼存儲卡。韓國知識經(jīng)濟(jì)部在周三
  • 關(guān)鍵字: 三星  閃存芯片  

三星在華建閃存芯片工廠計劃獲批 6個月內(nèi)動工

  •   1月4日道瓊斯報道說,三星電子公司(Samsung Electronics Co)擬在中國大陸投資建閃存芯片廠的計劃已經(jīng)得到韓國知識經(jīng)濟(jì)部(Ministry of Knowledge Economy )的批準(zhǔn),最快有望在未來六個月內(nèi)動工開建。在中國大陸建閃存芯片廠將加強三星公司在中國電子市場上的地位,預(yù)計未來幾年內(nèi)中國將超過美國成為全球最大的消費電子市場。   閃存芯片是一種移動存儲產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于音樂播放器、智能手機和平板電腦中。三星公司計劃在中國生產(chǎn)的是NAND型閃存芯片,主要用于固態(tài)硬盤和大容
  • 關(guān)鍵字: 三星  閃存芯片  

三星計劃在中國設(shè)閃存芯片廠 或耗資40億美元

  •   三星電子今日宣稱,由于智能手機和平板電腦的熱銷將會繼續(xù)推動芯片行業(yè)的發(fā)展,該公司計劃在中國設(shè)立一家閃存芯片生產(chǎn)廠。韓國分析師估計,三星可能會投資40億美元左右來興建該廠。這個生產(chǎn)廠,如果獲得批準(zhǔn),將是三星在國際上設(shè)立的第二個芯片生產(chǎn)廠,這也反映出中國市場已變得越來越重要了。作為全球頂級內(nèi)存芯片和平面顯示屏生產(chǎn)商,三星還計劃在中國設(shè)立一個平面顯示屏生產(chǎn)基地。   目前,三星在國際上設(shè)立的唯一一個芯片生產(chǎn)廠位于美國德克薩斯州奧斯丁市。   這個新的生產(chǎn)線“將使我們能夠滿足消費者日益增長的需
  • 關(guān)鍵字: 三星  閃存芯片  

出貨不如預(yù)期 閃存芯片價格小幅下跌

  •   受到諸多全球總體經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的不確定變數(shù)干擾,2011部份的NAND Flash終端應(yīng)用產(chǎn)品出貨量將不如預(yù)期,及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應(yīng)遞延等因素的綜合影響下,8月上旬NANDFlash芯片市場買氣依然疲弱,但某些系統(tǒng)客戶的OEM訂單需求相對于記憶卡及UFD通路市場需求仍相對地穩(wěn)定,因此,MLCNAND Flash芯片合約均價小跌約1-2%,而TLCNAND Flash芯片合約均價則下跌約4-7%。  
  • 關(guān)鍵字: 閃存芯片  NAND  
共67條 1/5 1 2 3 4 5 »

閃存芯片介紹

閃存芯片 目錄 閃存芯片簡介閃存介紹 閃存的分類 閃存的速度其實很有限 NAND型閃存的技術(shù)特點擦除操作 尋址 決定NAND型閃存的因素1.頁數(shù)量 2.頁容量 3.塊容量 4.I/O位寬 5.頻率 6.制造工藝 閃存芯片簡介 閃存介紹 閃存的分類 閃存的速度其實很有限 NAND型閃存的技術(shù)特點 擦除操作 尋址 決定NAND型閃存的因素 1.頁數(shù)量 2.頁 [ 查看詳細(xì) ]

熱門主題

閃存芯片    樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473