閃存芯片文章進(jìn)入閃存芯片技術(shù)社區(qū)

SanDisk將為昔日冤家供應(yīng)閃存芯片產(chǎn)品

　　據(jù)閃存業(yè)者透露，包括威剛，創(chuàng)見(jiàn)，勁永，以及閃存控制器制造商群聯(lián)在內(nèi)的多家臺(tái)系閃存產(chǎn)品供應(yīng)商已經(jīng)開(kāi)始從閃存芯片廠商SanDisk那里以成片晶圓的形式訂貨。消息來(lái)源并指出SanDisk與其合作伙伴東芝已經(jīng)開(kāi)始打入臺(tái)系閃存產(chǎn)品市場(chǎng)，開(kāi)始為以上這些臺(tái)系閃存廠商供貨。自從2008年9月份開(kāi) 始，SanDisk要進(jìn)入臺(tái)灣閃存芯片市場(chǎng)的消息便開(kāi)始流傳，不過(guò)直到今天這個(gè)傳言才變成現(xiàn)實(shí)。　　SanDisk此前與部分臺(tái)系閃存廠商之間曾因NAND閃存專(zhuān)利官司鬧得不可開(kāi)交，前者甚至還在美國(guó)起訴這些閃存廠商，不過(guò)現(xiàn)在San
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SanDisk-東芝聯(lián)盟憑借三位元技術(shù)扭轉(zhuǎn)戰(zhàn)局

　　最近NAND閃存芯片產(chǎn)業(yè)內(nèi)部的競(jìng)爭(zhēng)激烈程度已經(jīng)到了白熱化的階段，今年一月份，Intel-鎂光聯(lián)盟剛剛宣布將在今年量產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯片，其對(duì)手SanDisk-東芝聯(lián)盟便隨后以牙還牙，宣布將于今年下半年推出基于24nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品。　　　　據(jù)SanDisk公司展示的產(chǎn)品發(fā)展路線圖顯示，SanDisk-東芝聯(lián)盟推出的24nm制程N(yùn)AND閃存芯片將可適用于兩位元存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)和三位元存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)。而Intel-鎂光聯(lián)盟的25nm制程則僅可適用于兩位元存儲(chǔ)單
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傳東芝將投入89.4億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能

　　消息人士周三透露，東芝未來(lái)三年內(nèi)將投入8000億日元(約合89.4億)美元，在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片制造廠。　　報(bào)道稱(chēng)，東芝的這一計(jì)劃將使該公司的NAND閃存芯片制造能力提高大約一倍。東芝原本打算在2008年修建該工廠，但受經(jīng)濟(jì)衰退致產(chǎn)品需求下滑的影響，東芝隨后取消了該建廠計(jì)劃。　　市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli此前發(fā)布報(bào)告稱(chēng)，全球NAND閃存市場(chǎng)去年第三季度營(yíng)收較第二季度的31億美元，增長(zhǎng)了25.5%，達(dá)39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強(qiáng)于市場(chǎng)，其N(xiāo)AND閃存
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Hynix宣布已成功開(kāi)發(fā)出26nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品

　　南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開(kāi)發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開(kāi)始量產(chǎn)這種閃存芯片之后，他們已經(jīng)于日前成功開(kāi)發(fā)出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱(chēng)將于今年7月份開(kāi)始量產(chǎn)基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產(chǎn)品. 　　按閃存芯片市占率計(jì)算，Hynix公司去年在閃存芯片市場(chǎng)上的市占率排在第三位，僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據(jù)此前的報(bào)道顯示，三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計(jì)劃于今年第二季度推出基于25n
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分析師：美光Intel將重啟新加坡300mm閃存芯片廠興建計(jì)劃

　　據(jù)Lazard 資本市場(chǎng)公司的分析師Daniel Amir預(yù)計(jì)，美光與Intel的合資閃存公司IM Flash將繼續(xù)進(jìn)行新加坡300mm閃存芯片廠的興建計(jì)劃。該公司早些時(shí)候曾宣布會(huì)在新加坡新建這家300mm芯片廠，不過(guò)后來(lái)公司宣布由于業(yè)務(wù)方面的原因暫緩執(zhí)行這項(xiàng)計(jì)劃。目前IM Flash公司旗下僅在猶他州擁有一間300mm芯片廠。　　Daniel Amir表示：“我們認(rèn)為美光公司將繼續(xù)努力增加其在閃存市場(chǎng)的份額，他們目前已經(jīng)開(kāi)始為新加坡300mm芯片廠訂購(gòu)生產(chǎn)設(shè)備.不過(guò)由于Intel目
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英特爾和美光計(jì)劃下周公布閃存芯片的新進(jìn)展

　　英特爾公司和美光科技計(jì)劃下周公布閃存芯片的新進(jìn)展。　　兩家公司有一個(gè)生產(chǎn)NAND閃存芯片的合資企業(yè)，這種芯片應(yīng)用于手機(jī)，音樂(lè)播放器和其他驅(qū)動(dòng)器上。　　2009年，兩家公司表示，它們正開(kāi)發(fā)提高閃存芯片性能的技術(shù)，在芯片的存儲(chǔ)單元上存儲(chǔ)三位數(shù)據(jù)。大多數(shù)NAND芯片單元儲(chǔ)存一位或兩位數(shù)據(jù)。　　這樣，兩家公司就能以更高的存儲(chǔ)性能，更低的成本生產(chǎn)芯片。
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12英寸集成電路生產(chǎn)線今年底試投產(chǎn)

　　1月19日，“909工程升級(jí)改造———12英寸集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目”啟動(dòng)儀式在上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司舉行。中共中央政治局委員、上海市委書(shū)記俞正聲與全國(guó)政協(xié)原副主席胡啟立共同啟動(dòng)了項(xiàng)目啟動(dòng)裝置，上海市委副書(shū)記、市長(zhǎng)韓正與國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)副主任張曉強(qiáng)、工業(yè)和信息化部副部長(zhǎng)婁勤儉、科技部副部長(zhǎng)曹健林共同為上海華力微電子有限公司揭牌。　　中國(guó)科學(xué)院副院長(zhǎng)江綿恒，上海市委常委、常務(wù)副市長(zhǎng)楊雄出席項(xiàng)目啟動(dòng)儀式，并分別代表中國(guó)科學(xué)院和上海市委、市
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韓國(guó)結(jié)束對(duì)閃存商反壟斷調(diào)查未發(fā)現(xiàn)違法行為

　　韓國(guó)公平交易委員會(huì)在一份聲明中表示尚未發(fā)現(xiàn)韓國(guó)或其他地區(qū)閃存廠商有操縱價(jià)格或其他壟斷行為的證據(jù)。　　該機(jī)構(gòu)調(diào)查了四家NAND閃存制造商。在被調(diào)查的四家廠商中，兩家位于韓國(guó)，其他位于美國(guó)和日本。不過(guò)公平交易委員會(huì)沒(méi)有點(diǎn)出這些廠商的名字。NAND閃存適用于于各種手持設(shè)備，包括數(shù)字音樂(lè)播放器、數(shù)碼相機(jī)和手機(jī)。　　根據(jù)三星電子和東芝的說(shuō)法，今年8月，美國(guó)司法部也結(jié)束了這樣的調(diào)查。三星電子和東芝是全球前兩大NAND閃存芯片制造商。　　市場(chǎng)調(diào)查公司iSuppli的數(shù)據(jù)顯示第三季度三星在全球NAND閃存
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傳韓系三位元型MLC NAND芯片新品質(zhì)量存穩(wěn)定性問(wèn)題

　　據(jù)業(yè)者透露，韓國(guó)廠商生產(chǎn)的三位元型MLC NAND閃存芯片新品在穩(wěn)定性和耐用性方面不如現(xiàn)有兩位元型產(chǎn)品，不過(guò)消息來(lái)源不愿意透露這家韓國(guó)廠商的具體名稱(chēng)。據(jù)消息來(lái)源透露，這家韓國(guó)廠商首批推出的三位元MLC NAND閃存芯片只面向大陸以及美國(guó)地區(qū)的市場(chǎng)發(fā)售，不過(guò)目前部分銷(xiāo)往美國(guó)市場(chǎng)的產(chǎn)品已經(jīng)由于產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定而遭到客戶(hù)的退貨。　　據(jù)閃存控制芯片的廠商表示，三位元型MLC NAND閃存芯片技術(shù)目前還處在初級(jí)發(fā)展階段，由于可能存在一些兼容性等方面的問(wèn)題，因此需要3個(gè)月的時(shí)間對(duì)這種新產(chǎn)品進(jìn)行充分的測(cè)試。
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傳東芝投資22億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，消息人士周一透露，東芝可能將投資2000億日元(約合22億美元)擴(kuò)大NAND閃存芯片生產(chǎn)。到2010年4月底，東芝的閃存芯片生產(chǎn)規(guī)模將擴(kuò)大40%。　　報(bào)道稱(chēng)，東芝當(dāng)前還計(jì)劃在2012年3月之前，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資總計(jì)5000億日元。市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli上周發(fā)布研究數(shù)據(jù)顯示，今年第三季度全球NAND閃存市場(chǎng)業(yè)績(jī)強(qiáng)勁，東芝表現(xiàn)最為搶眼，營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)近50%。　　iSuppli的報(bào)告稱(chēng)，全球NAND閃存市場(chǎng)第三季度的營(yíng)收較第二季度的31億美元，增長(zhǎng)了25.5%，達(dá)39.4億美元。
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旺宏電子與茂德科技洽談收購(gòu)芯片廠事宜

　　臺(tái)灣閃存芯片生產(chǎn)商旺宏電子新聞發(fā)言人林云龍今日表示，公司正考慮收購(gòu)茂德科技旗下一座12英寸芯片生產(chǎn)工廠，他稱(chēng)“希望在農(nóng)歷新年前完成這樣一筆收購(gòu)交易”，但拒絕透露其中細(xì)節(jié)。　　有臺(tái)灣媒體報(bào)道稱(chēng)，旺宏電子此舉為滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)閃存芯片的強(qiáng)勁需求，同時(shí)旺宏電子將斥資50億元新臺(tái)幣收購(gòu)該工廠，預(yù)計(jì)在明年第一季度完成交易。　　目前，茂德科技方面尚未就此事發(fā)表評(píng)論。
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SanDisk Q3意外由虧轉(zhuǎn)盈內(nèi)存產(chǎn)業(yè)展望樂(lè)

　　美國(guó)內(nèi)存大廠SanDisk近日公布第3季財(cái)報(bào)，意外由虧損轉(zhuǎn)為強(qiáng)勁獲利，主要由于銷(xiāo)售額優(yōu)于預(yù)期，以及先前減記的庫(kù)存收入回補(bǔ)加持。這也反映了內(nèi)存制造商持續(xù)受惠于閃存芯片市場(chǎng)好轉(zhuǎn)趨勢(shì)。　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，SanDisk第3季由去年同期的虧損1.659億美元或每股74美分，改善為獲利2.313億美元或每股99美分。去除特殊項(xiàng)目后，每股獲利則為76美分，優(yōu)于分析師預(yù)期的每股26美分。　　該季營(yíng)收增長(zhǎng)14%至9.352億美元，遠(yuǎn)優(yōu)于公司今年7月份預(yù)估的介于7.25-7.75億美元，以及分析師預(yù)期的7.87
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鎂光34nm企業(yè)級(jí)MLC/SLC NAND閃存明年初量產(chǎn)

　　鎂光34nm制程企業(yè)級(jí)MLC/SLC NAND閃存芯片已經(jīng)進(jìn)入試樣階段，MLC部分的存儲(chǔ)密度可達(dá)32Gb，寫(xiě)入壽命達(dá)3萬(wàn)次，是普通MLC產(chǎn)品的6倍;SLC部分存儲(chǔ)密度為16Gb，寫(xiě)入壽命同樣為3萬(wàn)次，是普通SLC產(chǎn)品的3倍. 　　鎂光這次開(kāi)發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規(guī)范(Open NAND Flash Interface)，數(shù)據(jù)傳輸率最高可達(dá)200MB/S，而且可以采用閃存封裝內(nèi)部集成多片閃存芯片的封裝方案。　　鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產(chǎn)。
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晟碟推出新技術(shù)閃存芯片容量高達(dá)64GB

　　晟碟(SanDisk)今日推出了新的先進(jìn)閃存芯片生產(chǎn)技術(shù)，旨在進(jìn)一步幫助芯片生產(chǎn)商提高利潤(rùn)。　　晟碟表示，已經(jīng)開(kāi)始向零售商供應(yīng)采用這項(xiàng)名為X4的新技術(shù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)卡，這種存儲(chǔ)卡包含容量為64G的閃存芯片，較當(dāng)前市場(chǎng)上流通的芯片存儲(chǔ)能力高出一倍。　　晟碟稱(chēng)，X4技術(shù)將有助于降低閃存芯片的生產(chǎn)成本，從而提高該公司及其生產(chǎn)伙伴東芝的利潤(rùn)率。　　晟碟總裁兼首席營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)Sanjay Mehrotra表示，該公司將采用了X4技術(shù)的芯片植入現(xiàn)有存儲(chǔ)卡內(nèi)，但并未在產(chǎn)品標(biāo)簽上作出區(qū)分，定價(jià)也沒(méi)有變化，從而實(shí)現(xiàn)了
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爾必達(dá)擬投資4.52億美元提高40納米芯片產(chǎn)量

　　日本最大閃存芯片制造商爾必達(dá)表示，可能投資至多400億日元(約合4.52億美元)提高40納米芯片的產(chǎn)量，達(dá)到公司芯片總產(chǎn)量的一半。　　爾必達(dá)發(fā)言人表示，公司計(jì)劃今年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)這一產(chǎn)品。他說(shuō)，為了反映市場(chǎng)狀況，爾必達(dá)決定加快投資步伐。　　爾必達(dá)、三星電子、海力士半導(dǎo)體等芯片制造商正在降低芯片尺寸，以增加一片晶圓所能切割出的芯片數(shù)量，以此降低成本，應(yīng)對(duì)產(chǎn)品價(jià)格不斷下滑的局面。爾必達(dá)說(shuō)，從當(dāng)前的50納米技術(shù)轉(zhuǎn)向較小的芯片尺寸，公司可以將每片晶圓的芯片產(chǎn)量提高44%。　　亞洲最大半導(dǎo)體現(xiàn)貨市場(chǎng)
關(guān)鍵字：爾必達(dá) 40納米閃存芯片

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閃存芯片介紹

閃存芯片目錄閃存芯片簡(jiǎn)介閃存介紹閃存的分類(lèi) 閃存的速度其實(shí)很有限 NAND型閃存的技術(shù)特點(diǎn)擦除操作尋址決定NAND型閃存的因素1．頁(yè)數(shù)量 2．頁(yè)容量 3．塊容量 4．I/O位寬 5．頻率 6．制造工藝閃存芯片簡(jiǎn)介閃存介紹閃存的分類(lèi) 閃存的速度其實(shí)很有限 NAND型閃存的技術(shù)特點(diǎn) 擦除操作尋址決定NAND型閃存的因素 1．頁(yè)數(shù)量 2．頁(yè) [ 查看詳細(xì) ]

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