新聞中心

EEPW首頁 > 手機(jī)與無線通信 > 設(shè)計應(yīng)用 > 采用0.13微米CMOS工藝制造的單芯片UMTS W-CDMA多頻段收發(fā)器(06-100)

采用0.13微米CMOS工藝制造的單芯片UMTS W-CDMA多頻段收發(fā)器(06-100)

——
作者:Infineon公司R. Koller, T. Ruhlicke, D. Pimingsdorfer, B. Adler 時間:2008-04-03 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
  直接上變頻發(fā)射器

  發(fā)射器內(nèi)含一個完全差分化可編程輸入緩沖器,以處理不同的基帶輸入信號。一個附加的三階Butterworth型基帶濾波器(校準(zhǔn)角頻為4.4MHz)能夠消除各類有害的信號內(nèi)容(譬如基帶DAC的雜散輻射等),同時不會對有用的信號產(chǎn)生過大的干擾。此外,精度高于±0.2 dB的可調(diào)-1 dB和-2 dB增益步長,能夠處理各類HSDPA信號群的較高波峰因子。通過提高以下所述的增益控制輸入引腳的電壓可以補(bǔ)償衰減,并且形成一個“高線性度”模式,以符合線性度規(guī)范要求?;鶐V波器輸出信號可驅(qū)動直接變換式調(diào)制器(每條發(fā)射通道一個)中集成的Gilbert型混頻器的輸入級。由于布局高度對稱并且完美匹配,再加上在發(fā)射器初始化時采用了一個校準(zhǔn)程序,DC偏差始終保持在很低的水平(在高輸出功率范圍內(nèi)通常為-40dBc)。射頻輸入由來自集成化VCO(高頻段和中頻段通道為二分頻器,低頻段通道為四分頻器)的0o/90o信號驅(qū)動?;祛l器的輸出信號然后被緩存,并被發(fā)送至射頻差分輸出引腳。總增益一般超過95 dB,分布在基帶和射頻模塊。通過在不同級上分配增益(按照優(yōu)化的加權(quán)因子),可實現(xiàn)VGA的近似對數(shù)線性特征。通過在增益控制引腳(TXGC)上施加適當(dāng)?shù)碾妷?0.5-2.2 V),-77dBm至+7dBm的保證輸出功率范圍(取決于所采用的頻段和發(fā)射通道)可達(dá)到控制。最大功耗(通常為80mA)可隨輸出功率的下降快速下降,在低增益范圍內(nèi)可降低至26mA。當(dāng)輸出功率最大時,在相應(yīng)的接收頻段,發(fā)射通道一般可實現(xiàn)-152 dBc/Hz的本底噪聲,同時保持-43dBc的ACLR(有余量)和3%的EVM(典型值)。圖8顯示的是中心頻率為1950MHz時的典型調(diào)制輸出頻率。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/81180.htm

cdma相關(guān)文章:cdma原理




關(guān)鍵詞: Infineon CMOS UMTS W-CDMA

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉