拓墣：08年臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)將優(yōu)于全球

　　拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(TopologyResearchInstitute)發(fā)表全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)調(diào)查報(bào)告指出，預(yù)計(jì)2008年全球半導(dǎo)體總產(chǎn)值將達(dá)2,752億美元，年增長(zhǎng)率將由2007年的2.87%大幅攀升至2008年的8%。而在全球半導(dǎo)體庫(kù)存有效去化、IDM大廠提升外包比率及北京奧運(yùn)商機(jī)的催化下，2008年臺(tái)灣IC產(chǎn)值可達(dá)新臺(tái)幣1兆7,000億，年增長(zhǎng)率18.9%，遠(yuǎn)優(yōu)于全球IC產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)。

　　在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)庫(kù)存逐步調(diào)整之際，加上主要IDM大廠紛紛轉(zhuǎn)型為FAB-Lite或FAB-less，預(yù)計(jì)將帶動(dòng)IC產(chǎn)業(yè)Out-sourcing風(fēng)潮;由于全球名列前茅的晶圓代工廠及封測(cè)廠商都在臺(tái)灣，預(yù)計(jì)臺(tái)灣將是這一波Out-sourcing需求下最大受惠者。

　　此外，北京奧運(yùn)帶來消費(fèi)性及通訊產(chǎn)品需求，如DTV/HDTV、DSC、MP3、GPS、3G手機(jī)及移動(dòng)電視，也為臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)帶來龐大商機(jī)，因此拓墣認(rèn)為2008年臺(tái)灣整體IC產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)動(dòng)能將優(yōu)于全球。預(yù)計(jì)2008年臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)值為4,324億新臺(tái)幣，IC制造產(chǎn)值為9,023億新臺(tái)幣，IC封測(cè)產(chǎn)值為3,863億，而YoY(Year-on-yearpercentage)分別為12%、22%及20%，IC整體產(chǎn)值為17,210億新臺(tái)幣，YoY為18.9%。

　　針對(duì)未來高效能與節(jié)能需求，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將朝向“高度系統(tǒng)整合”與“制程微縮”兩大技術(shù)趨勢(shì)發(fā)展。“高度系統(tǒng)整合技術(shù)”如SoC、SiP及3DIC，除可縮小終端系統(tǒng)產(chǎn)品體積，耗電、效能、成本表現(xiàn)也較傳統(tǒng)制程為優(yōu)。

　　“制程微縮”可提升效能與節(jié)能并降低IC價(jià)格，例如45nm制程將比前一代65nm制程提升40%的效能，同時(shí)功耗降低10-20%;低功耗制程部分，45nm的靜態(tài)(static)功耗和65nm制程相比，降低幅度則高達(dá)50%;而FDSOI(全空乏絕緣層覆硅)制程功耗也將比BulkCMOS制程降低40%。