晶圓廠陸續(xù)上線 08年閃存產(chǎn)能將首超DRAM內(nèi)存

　　研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示，閃存產(chǎn)能將在2008年首次超過DRAM內(nèi)存。

　　根據(jù)SMA報告，閃存產(chǎn)能從2000年以來已經(jīng)增長了四倍，達(dá)到相當(dāng)于290萬片200毫米硅晶圓的規(guī)模。相比之下，DRAM產(chǎn)能自那時起僅增長225%。

　　報告表示，從2005年到2008年底的三年間，閃存制造商增加的產(chǎn)能是之前四年增加量的六倍。

　　預(yù)計2008年和2009年，將有另外超過十座晶圓廠上線。SMA預(yù)計，當(dāng)設(shè)備裝機完成時，將帶來每月相當(dāng)于150萬片200毫米硅晶圓的產(chǎn)能。

　　SMA總裁George Burns表示，“Alliances和三星是推動閃存產(chǎn)能增長的主要動力，東芝與SanDisk合資公司Alliances最近大幅增加產(chǎn)能，超過三星、Hynix和IMFlash的合并產(chǎn)能增加量。”

　　據(jù)悉，東芝與SanDisk合資公司包括Flash Vision、Flash Partners和Flash Alliance。Flash Alliance的Fab 4晶圓廠剛開始處理硅晶圓餅，當(dāng)設(shè)備完全裝配好，據(jù)稱每月產(chǎn)能將達(dá)21萬片300毫米晶圓。Burns注意到，“那將是全球最大的晶圓廠，產(chǎn)能幾乎相當(dāng)于50萬片200毫米硅晶圓。”