新興存儲技術(shù)突破多 大規(guī)模商用待考

    最近，目前主流的DRAM、SRAM和FLASH等存儲技術(shù)一定感覺到既有近憂，又有遠(yuǎn)慮，因為新型存儲技術(shù)PRAM(相變存儲器)、MRAM(磁性隨機(jī)存儲器)及FRAM(鐵電儲存器)表現(xiàn)活躍，大有取而代之的勢頭。不過，雖然上述新興技術(shù)具有很多優(yōu)點，并有各自不同的取代對象，但是，它們要經(jīng)歷大規(guī)模商用的考驗。 

　　新興存儲技術(shù)發(fā)展快 

　　與目前主流的存儲技術(shù)相比，PRAM、MRAM和FRAM普遍具有非易失、重復(fù)擦寫次數(shù)多等特點，它們在近兩年取得了令人興奮的發(fā)展，存儲容量不斷增加，市場也在逐步接受它們。 

　　在FRAM方面，Ramtron公司業(yè)務(wù)拓展副總裁Lee Brown向《中國電子報》記者表示，F(xiàn)RAM具有三個獨特的優(yōu)點：無延遲(No Delay)讀/寫，F(xiàn)RAM以總線速度寫入數(shù)據(jù)，在掉電情況下不需要復(fù)雜的數(shù)據(jù)備份系統(tǒng)；幾乎具有無限的耐用性，F(xiàn)RAM能夠無損耗地提供無限次數(shù)的數(shù)據(jù)收集；低功耗，F(xiàn)RAM器件屬于RAM，并且不需要電荷泵，所以寫入周期的功耗較FLASH和EEPROM等浮動?xùn)牌骷蛶讉€數(shù)量級。 

　　在MRAM方面，飛思卡爾公司相關(guān)負(fù)責(zé)人告訴《中國電子報》記者，MRAM采用磁性材料，同時結(jié)合傳統(tǒng)的硅電路，使單個高耐用性設(shè)備既具備SRAM的速度，又擁有閃存的非易失性。這位負(fù)責(zé)人興奮地表示：“MRAM是唯一具備所有主要優(yōu)良屬性的存儲器：速度、非易失性、無限持久性。該技術(shù)的主要目標(biāo)之一是，將MRAM作為靈活的嵌入式存儲器集成到設(shè)備中，在我們的邏輯設(shè)備中實現(xiàn)增強(qiáng)功能。與其他非易失性存儲器技術(shù)相比，MRAM更容易集成到我們現(xiàn)有的邏輯工藝中，因為它位于較高的金屬層，不會影響底層晶體管?！?nbsp;

　　在PRAM方面，2007年6月，英特爾公司推出了128Mb的PRAM樣片， 并計劃于今年下半年采用90nm技術(shù)進(jìn)行量產(chǎn)。英特爾公司首席技術(shù)官Justin Rattner表示，該器件的“寫”性能比目前的NOR閃存提高了六倍，且更具“魯棒性”，能保證至少100萬次的寫循環(huán)。 

　　取代目標(biāo)各有不同 

　　三種新興存儲技術(shù)各具特點，PRAM、MRAM和FRAM在未來具有不同的取代目標(biāo)。 

　　英特爾公司認(rèn)為，一旦DRAM和閃存遇到無法超越的工藝縮小極限，這些新興技術(shù)就將成為它們的替代品。許多技術(shù)專家認(rèn)為閃存可能在45nm或35nm時達(dá)到極限。一般手機(jī)采用的是256Mb的分立式NOR閃存，在成本敏感的手機(jī)中也可能是128Mb。Rattner認(rèn)為，英特爾將目前的128Mb產(chǎn)品只作為NOR替代品的目標(biāo)是“非常恰當(dāng)?shù)摹?，他同時補(bǔ)充道：“該產(chǎn)品確實展示了相變技術(shù)的性能潛力?！?nbsp; 

　　飛思卡爾認(rèn)為，目前的情況是不同類型的存儲器適合不同的應(yīng)用和產(chǎn)品。在可預(yù)知的將來，這種情況還會繼續(xù)。這些界限的消除取決于成本、性能、容量等因素。隨著技術(shù)的成熟，MRAM占據(jù)的市場空間有望增加。所有這些存儲器技術(shù)都基于CMOS，因此具有一些共同之處。然而，每種存儲技術(shù)都具有獨特的處理步驟。東芝MRAM產(chǎn)品相關(guān)負(fù)責(zé)人在接受《中國電子報》記者采訪時直截了當(dāng)?shù)乇硎?，MRAM主要的替代對象是DRAM。大多數(shù)移動設(shè)備的存儲器架構(gòu)，是由高速作業(yè)用存儲DRAM和雖然速度慢、但存儲容量較大的閃存構(gòu)成的。而MRAM速度快、可反復(fù)擦寫，因此最適合作為高速作業(yè)用存儲器。又因為MRAM不會揮發(fā)，所以不用像DRAM一樣升級更新，因此可以把電力消耗降低至1/10以下。 

　　FRAM一般被認(rèn)為是異步SRAM的取代品。Lee Brown對此表示認(rèn)同，與此同時，他表示在需要FRAM存儲器的高性能應(yīng)用領(lǐng)域方面，F(xiàn)RAM也可替代一部分EEPROM和FLASH器件。新的數(shù)據(jù)記錄要求使得一些設(shè)計人員在以往使用EEPROM和FLASH器件的場合選用FRAM。在許多情況下，利用FRAM特性，能夠改進(jìn)客戶的最終產(chǎn)品。 

　　大規(guī)模商用尚需時日 

　　相比較而言，在各種新興存儲技術(shù)中，F(xiàn)RAM的商用步伐最快。例如，迄今為止，Ramtron公司已經(jīng)在全球范圍交付了超過1.5億個FRAM器件，而且數(shù)量還在繼續(xù)增加。但是，即使這些技術(shù)的堅定支持者也不得不承認(rèn)，價格、容量等因素仍然是橫亙在大規(guī)模商用道路上的“大山”。 

　　Objective Analysis公司首席閃存分析師Jim Handy表示：“雖然PRAM、MRAM、FRAM(鐵電RAM)等所有這些技術(shù)都被吹噓成閃存達(dá)到工藝極限時的替代品，但閃存的工藝極限仍然在不斷縮小?！?nbsp;

　　飛思卡爾公司負(fù)責(zé)人認(rèn)為MRAM的大規(guī)模商用取決于其性能和價格?！安贿^目前產(chǎn)品還處在高價位，如何在保證高性能的同時降低成本是我們關(guān)注的問題?！边@位負(fù)責(zé)人不得不承認(rèn)。東芝公司負(fù)責(zé)人則認(rèn)為MRAM的大規(guī)模商用取決于產(chǎn)品的大容量化，如果MRAM被大容量化，那么就一定可以獲得與DRAM相匹敵的市場規(guī)模。 

　　Ramtron公司對目標(biāo)市場的預(yù)期在10億美元左右，該市場的組成包括：EEPROM和SRAM市場替代部分，以及由FRAM技術(shù)能力所帶來的新商機(jī)。不過Lee Brown也承認(rèn)，市場的發(fā)展勢頭決定著FRAM存儲密度曲線上行的快慢速度。 

　　相關(guān)鏈接 

　　三種新存儲技術(shù) 

　　PRAM：一種非易失性存儲技術(shù)，基于硫族材料的電致相變，以前在批量生產(chǎn)時總是難以獲得穩(wěn)定性。相變材料可呈現(xiàn)晶態(tài)和非晶態(tài)兩種狀態(tài)，分別代表了0和1，只要施加很小的復(fù)位電流就可以實現(xiàn)這兩種狀態(tài)的切換。 

　　MRAM：一種非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲器，所謂“非揮發(fā)性”是指關(guān)掉電源后，仍可以保持記憶完整，功能與FLASH雷同；而“隨機(jī)存取”是指中央處理器讀取資料時，不一定要從頭開始，隨時可用相同的速率，從內(nèi)存的任何部位讀寫信息。MRAM運(yùn)作的基本原理與硬盤驅(qū)動器相同。和在硬盤上存儲數(shù)據(jù)一樣，數(shù)據(jù)以磁性的方向為依據(jù)，存儲為0或1。它存儲的數(shù)據(jù)具有永久性，直到被外界的磁場影響之后，才會改變這個磁性數(shù)據(jù)。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器SRAM的高速讀取寫入能力以及動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。 

　　FRAM：一種非易失性存儲技術(shù)。FRAM的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使得鐵電存儲產(chǎn)品同時擁有隨機(jī)存取存儲器(RAM)和非易失性存儲產(chǎn)品的特性。鐵電晶體材料的工作原理是，當(dāng)把電場加到鐵電晶體材料上，晶陣中的中心原子會沿著電場方向運(yùn)動，到達(dá)穩(wěn)定狀態(tài)。晶陣中的每個自由浮動的中心原子只有兩個穩(wěn)定狀態(tài)。一個用來記憶邏輯中的0，另一個記憶1。中心原子能在常溫、沒有電場的情況下停留在此狀態(tài)達(dá)一百年以上。鐵電存儲器不需要定時刷新，能在斷電情況下保存數(shù)據(jù)。由于在整個物理過程中沒有任何原子碰撞，F(xiàn)RAM擁有高速讀寫、超低功耗和無限次寫入等超級特性。