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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲技術(shù)

鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

  • 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計算和存儲系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術(shù)：氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā)，通過改進制造工藝，開發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。高容量交叉點MRAM（磁阻隨機存取存儲器
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我國高校團隊實現(xiàn)存儲技術(shù)突破！

  • 近日，復(fù)旦大學和清華大學團隊在存儲芯片上創(chuàng)下新突破。復(fù)旦團隊研發(fā)超快閃存集成工藝，可實現(xiàn)20納秒超快編程、10年非易失；清華大學團隊則提出一種基于磁振子的新型邏輯器件，有望重構(gòu)邏輯存儲器。復(fù)旦團隊研發(fā)超快閃存集成工藝，突破存儲速度極限非易失性存儲器是指即使在存儲器芯片的電源被關(guān)閉時，也可以保存數(shù)據(jù)的計算機存儲器。常見的非易失性存儲器包括閃存（Flash Memory）、只讀存儲器（ROM），以及一些新技術(shù)如磁性隨機存儲器（MRAM）、鐵電隨機存儲器（FeRAM）、相變存儲器（PCM）等。其中閃存是目前
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業(yè)界預(yù)測：LPDDR6的帶寬將增加一倍以上？

  • 當前低功耗問題仍是業(yè)界關(guān)心重點。根據(jù)國際能源署(IEA)最近報告顯示，考慮到谷歌平均每次搜索需要0.3Wh，OpenAI的ChatGPT每次請求消耗2.9Wh，每天進行90億次搜索，每年需要額外消耗10太瓦時(TWh)的電力。從預(yù)計銷售的AI服務(wù)器需求來看，到2026年，AI行業(yè)可能會呈指數(shù)級增長，消耗的電力需求至少是去年的十倍。德州儀器首席技術(shù)官Ahmad Bahai此前表示，最近，除了云端之外，AI服務(wù)還轉(zhuǎn)向移動和PC設(shè)備，這導(dǎo)致功耗激增，因此這是一個關(guān)鍵的討論話題。因應(yīng)市場需求，目前業(yè)界正積極致力于
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中國科學家研究鐵電隧道結(jié)存儲器獲新進展

  • 近日，中國科學家鐵電隧道結(jié)存儲器研發(fā)取得了新的進展。據(jù)中國科學院金屬研究所官網(wǎng)介紹，在最新完成的研究中，其研究團隊提出利用緩沖層定量調(diào)控薄膜應(yīng)變，延遲鐵電薄膜晶格弛豫從而增強鐵電極化強度的策略，成功揭示極化強度同鐵電隧道結(jié)存儲器隧穿電阻之間的內(nèi)在關(guān)聯(lián)，并實現(xiàn)巨大隧穿電致電阻(或器件開關(guān)比)。鐵電隧道結(jié)具有簡潔的金屬-超薄鐵電-金屬疊層器件結(jié)構(gòu)。利用鐵電極化翻轉(zhuǎn)調(diào)控量子隧穿效應(yīng)獲得不同的電阻態(tài)，從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲功能，具有高速讀寫、低功耗和高存儲容量等優(yōu)點，屬于下一代信息存儲技術(shù)，近年來在信息存儲領(lǐng)域備受關(guān)注
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北京大學公開存儲器專利

  • 存儲器是電子信息處理系統(tǒng)中不可或缺的組成部分。在過去，依靠CMOS工藝的不斷進步，存儲器的性能得以不斷提高。但近年來，一方面，尺寸微縮導(dǎo)致的晶體管漏電問題越來越嚴重，在增大存儲器功耗的同時，惡化了存儲單元的保持特性，存儲器的發(fā)展遇到較為明顯的瓶頸；另一方面，人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的快速發(fā)展又對存儲器的容量速度以及功耗等性能指標提出了更高的要求。在這樣的背景下，由于嵌入式鐵電隨機存取存儲器(Embedded Ferroelectric Random Access Memory，eFeRAM)具有非易失、高密
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不負期待：與美光相約2023進博會

  • 不負期待?與美光相約2023進博會2023年11月5日，第六屆中國國際進口博覽會正式開幕，吸引了來自世界各地的企業(yè)參展。其中，美光首次亮相進博會，為業(yè)界帶來了一系列創(chuàng)新的內(nèi)存和存儲產(chǎn)品及解決方案，并展示了其為賦能數(shù)據(jù)經(jīng)濟發(fā)展，推動人工智能和5G應(yīng)用進步所付出的不懈努力。深入存儲四大應(yīng)用領(lǐng)域美光的展位以“深耕存儲領(lǐng)域，賦能數(shù)字中國”為主題，向觀眾展示了一系列高性能內(nèi)存和存儲產(chǎn)品。展臺劃分為數(shù)據(jù)中心、汽車與智能邊緣領(lǐng)域、移動設(shè)備以及PC客戶端四大應(yīng)用領(lǐng)域，最新的產(chǎn)品和解決方案令人印象深刻。這些創(chuàng)新的
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業(yè)界首發(fā)，美光232層NAND，開啟存儲技術(shù)創(chuàng)新浪潮

  • 如何開發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時容量更大的閃存產(chǎn)品，這是美光研發(fā)工程師每天都要應(yīng)對的挑戰(zhàn)。隨著各國對數(shù)字化轉(zhuǎn)型和云遷移的重視，世界對存儲容量和性能的要求越來越大。美光正在迎接這一創(chuàng)新變局。這些變化體現(xiàn)在異構(gòu)計算、邊緣計算、數(shù)據(jù)中心、金融系統(tǒng)實時大數(shù)據(jù)更新，以及移動設(shè)備、消費電子、汽車信息娛樂系統(tǒng)帶來智能化沉浸式體驗。美光232層NAND技術(shù)為這些高性能存儲應(yīng)用環(huán)境提供了可能。優(yōu)秀的架構(gòu)，高效優(yōu)化存儲顆粒的使用空間和密度 美光推出的全球首款232層NAND基于CuA架構(gòu)，通過增加NAN
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三星攜手西部數(shù)據(jù)，推動下一代存儲技術(shù)標準化

  • 雙方將推動分區(qū)存儲技術(shù)標準化，共同致力于開發(fā)和推廣硬件規(guī)范，以及軟件應(yīng)用模型，以建立一個強大的生態(tài)系統(tǒng)三星和西部數(shù)據(jù)（Nasdaq: WDC）于今日宣布，雙方已簽署一份獨特的合作諒解備忘錄（MOU），以實現(xiàn)下一代數(shù)據(jù)放置、處理和結(jié)構(gòu)（D2PF）存儲技術(shù)的標準化，并推動其廣泛采用。首先，雙方將致力于為分區(qū)存儲解決方案打造一個充滿活力的生態(tài)系統(tǒng)。這樣的舉措能讓行業(yè)催生出更多的應(yīng)用，為客戶創(chuàng)造更大的價值。圖片上的內(nèi)容：data taken as-is 按照原樣獲取數(shù)據(jù) / serialized data 序
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一文讀懂｜三大新興存儲技術(shù)：MRAM、RRAM和PCRAM

  • 在如此龐大的資料儲存、傳輸需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等傳統(tǒng)記憶體已逐漸無法負荷，且再加上傳統(tǒng)記憶體的制程微縮愈加困難的情況之下，驅(qū)使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向發(fā)展更高儲存效能、更低成本同時又可以朝制程微縮邁進的新興記憶體。
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盤點網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù) 你都了解嗎

  • 由于近年來C/S計算模型的廣泛采用，服務(wù)器都帶有自己的存儲系統(tǒng)，信息分散到各個服務(wù)器上，形成了所謂的“信息孤島”，不利于信息整合與數(shù)據(jù)共享。而網(wǎng)
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SSD容量突破關(guān)鍵：3D存儲芯片大揭秘

  • 現(xiàn)在每一個閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展，我們之前也報道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax舉辦了一場技術(shù)講解會3D Nand Technical Workshop，I
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三大熱門存儲技術(shù)帶你飛

  • 以下所列三項技術(shù)趨于實用性，我們盡可能集中在了足夠成熟的熱門技術(shù)上。復(fù)制數(shù)據(jù)管理管理來自多種工具同一數(shù)據(jù)的繁多物理副本依然費用昂貴，
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視頻監(jiān)控存儲技術(shù)進化史

  • 除了上帝，誰都離不開數(shù)據(jù)，所以，大數(shù)據(jù)時代數(shù)據(jù)存儲量呈現(xiàn)爆炸式增長。同時，隨著IT網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的蓬勃發(fā)展和視頻監(jiān)控數(shù)字化、網(wǎng)絡(luò)化、高清化、
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存儲技術(shù)大比拼:閃存與磁盤的區(qū)別

  • 在過去的幾年里，閃存與磁盤之間的爭議很多，也發(fā)生了顯著的變化?，F(xiàn)在，我們已經(jīng)不再討論閃存是否可以在企業(yè)中使 ...
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存儲技術(shù)介紹

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