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南韓加速研發(fā)新興存儲器與材料，穩(wěn)固龍頭地位　

  • 　　南韓為穩(wěn)固全球記憶體龍頭地位，在產(chǎn)業(yè)通商資源部(Ministry of Trade, Industry and Energy;MOTIE)主導下，不僅采取以三星電子(Samsung Electronics)等大企業(yè)為投資要角的產(chǎn)官學新合作研發(fā)模式，亦將次世代非揮發(fā)性記憶體與新興材料、技術列為研發(fā)重點。 　　2013~2017年南韓將引進由政府與企業(yè)共同提供資金給學術機構(gòu)研發(fā)的新合作模式，研發(fā)成果的智財權將由學術機構(gòu)擁有，此將有利提高往后提供南韓中小型企業(yè)運用的可能性。 　　觀察2013~2017年
  • 關鍵字： 三星  PRAM  IC設計  

爾必達停止研發(fā)PRAM

  • 　　日刊工業(yè)新聞報導，由于擴展應用范圍及降低成本不易，爾必達(Elpida)計劃停止研發(fā)相位變化隨機存取存儲器 (PRAM)。 　　爾必達監(jiān)于30納米技術已是DRAM產(chǎn)品細微化的技術極限，遂轉(zhuǎn)而研發(fā)PRAM，甚至已送樣容量為128MB的產(chǎn)品，然爾必達社長本幸雄認為PRAM成本很難降到比Flash低，且應用范圍難以擴大，故決定停止研發(fā)該產(chǎn)品。日后研發(fā)重心將轉(zhuǎn)至矽穿孔(Through Silicon Via;TSV) 3D IC技術。 　　爾必達于2009年內(nèi)已開始量產(chǎn)40納米技術DRAM產(chǎn)品，緊接著將朝
  • 關鍵字： Elpida  30納米  PRAM  

存儲芯片市場前景令人堪憂

  • 　　去年，一場嚴重的“價格寒流”席卷了整個存儲芯片領域，存儲芯片市場亦受到了前所未有的沖擊。業(yè)界巨頭三星電子2007年第四季度財務報告顯示，由于計算機存儲芯片的平均銷售價格迅速下滑，該公司的利潤下降了6.6%。DRAM生產(chǎn)商爾必達(Elpida)也宣布其銷售額下滑了34%，并且第三財季凈虧損達1.132億美元。臺灣地區(qū)廠商茂德科技也因存儲芯片價格下跌和供過于求而宣布虧損。 　　存儲芯片市場陰霾的表現(xiàn)，迫使許多廠商削減生產(chǎn)或推遲了Fab的投產(chǎn)計劃。美光(Micron)近期就宣布，將
  • 關鍵字： 三星  DRAM  存儲芯片  MRAM  PRAM  

現(xiàn)代半導體獲Ovonyx授權 加入PRAM研發(fā)陣營

  • PRAM內(nèi)存的處理速度遠遠快于閃存，理論上其寫入數(shù)據(jù)速度是普通閃存芯片的30倍，保守也可達到10倍以上，而且尺寸也比閃存小很多，從而使未來高密度非易失性存儲器以及功能更強大的電子設備的出現(xiàn)成為可能。 三星電子、IBM、奇夢達、意法半導體以及英特爾公司，都在積極進行PRAM存儲產(chǎn)品的研發(fā)。 全球最大的存儲芯片制造商三星公司稱，PRAM產(chǎn)品的生產(chǎn)流程也比NOR flash產(chǎn)品簡單許多，三星公司于去年開發(fā)出了512MB的PRAM產(chǎn)品，預計最早可在2008年實現(xiàn)量產(chǎn)。 此外，IBM與多家內(nèi)存廠商合作，共同開發(fā)出一
  • 關鍵字： 模擬技術  電源技術  現(xiàn)代  Ovonyx  PRAM  MCU和嵌入式微處理器  

新興存儲技術突破多 大規(guī)模商用待考

  •     最近，目前主流的DRAM、SRAM和FLASH等存儲技術一定感覺到既有近憂，又有遠慮，因為新型存儲技術PRAM(相變存儲器)、MRAM(磁性隨機存儲器)及FRAM(鐵電儲存器)表現(xiàn)活躍，大有取而代之的勢頭。不過，雖然上述新興技術具有很多優(yōu)點，并有各自不同的取代對象，但是，它們要經(jīng)歷大規(guī)模商用的考驗。  　　新興存儲技術發(fā)展快  　　與目前主流的存儲技術相比，PRAM、MRAM和FRAM普遍具有非易失、重復擦寫次數(shù)多等特點，它們在近兩年取得了令人興奮
  • 關鍵字： 消費電子  存儲技術  PRAM  

DRAM內(nèi)存可能被淘汰 PRAM才是正道

  • 　　4月19日消息，據(jù)國外媒體報道，英特爾日前表示，其所開發(fā)的相變隨機存取存儲器（PRAM）有潛力取代當前的DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）。 　　在日前于北京召開的“英特爾信息技術峰會（IDF）”上，英特爾首席技術官Justin Rattner展示了新型PRAM內(nèi)存，并表示，PRAM有潛力取代當前的DRAM。 　　Rattner還稱，英特爾開發(fā)PRAM已經(jīng)有十年的歷史了。據(jù)悉，PRAM是一種非易失性的內(nèi)存產(chǎn)品，它集DRAM內(nèi)存的高速存取，以及閃存在關閉電源后保留數(shù)據(jù)的特性為一體，因此被業(yè)界視為未來D
  • 關鍵字： DRAM  PRAM  存儲器  
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pram介紹

PRAM芯片 PRAM是韓國三星公司推出的一款存儲器，相比普通的DRAM和閃存，PRAM具有高速低功耗的特點。如果發(fā)展順利的話，預計PRAM將從2007年起逐步取代閃存，成為下一代存儲器產(chǎn)品中的主導力量。 目錄 簡介 詳細介紹 PRAM的優(yōu)勢 發(fā)展前景 　　 編輯本段簡介 　　三星電子最近推出了世界上首 [ 查看詳細 ]

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