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爾必達停止研發(fā)PRAM

作者: 時間:2009-12-18 來源:DigiTimes 收藏

  日刊工業(yè)新聞報導,由于擴展應用范圍及降低成本不易,爾必達()計劃停止研發(fā)相位變化隨機存取存儲器 ()。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/101580.htm

  爾必達監(jiān)于技術(shù)已是DRAM產(chǎn)品細微化的技術(shù)極限,遂轉(zhuǎn)而研發(fā),甚至已送樣容量為128MB的產(chǎn)品,然爾必達社長本幸雄認為成本很難降到比Flash低,且應用范圍難以擴大,故決定停止研發(fā)該產(chǎn)品。日后研發(fā)重心將轉(zhuǎn)至矽穿孔(Through Silicon Via;TSV) 3D IC技術(shù)。

  爾必達于2009年內(nèi)已開始量產(chǎn)40納米技術(shù)DRAM產(chǎn)品,緊接著將朝矢量產(chǎn)技術(shù)DRAM產(chǎn)品邁進。



關(guān)鍵詞: Elpida 30納米 PRAM

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