爾必達(dá)12月將啟動30納米DRAM量產(chǎn)

　　據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》周三報道，爾必達(dá)計劃在今年12月開始量產(chǎn)40納米以下的DRAM芯片，此舉預(yù)計可節(jié)省生產(chǎn)成本約30%。爾必達(dá)即將量產(chǎn)的DRAM芯片線寬僅略大于30納米，比三星電子的最新制程更小。至目前為止，三星仍是全球首家跨入40納米制程以下的公司。

　　報道稱呢個，爾必達(dá)已開發(fā)出的“雙重曝光 (double-patterning)”新技術(shù)，能用現(xiàn)有的設(shè)備來達(dá)成更精細(xì)制程，而無需進(jìn)行大規(guī)模的資本投資。

　　爾必達(dá)位于日本廣島的工廠，將于12月率先量產(chǎn)新DRAM芯片;瑞晶電子預(yù)定在2011年底之前啟動。

　　轉(zhuǎn)入DRAM新制程，初估可增加爾必達(dá)芯片收益約45%，進(jìn)而壓低生產(chǎn)成本30%，達(dá)到與三星相同的水準(zhǔn)。