全新Calibre xACT 產(chǎn)品可滿足先進工藝廣泛的寄生電路參數(shù)提取需求

　　Mentor Graphics 公司今天宣布推出全新 Calibre® xACT™ 寄生電路參數(shù)提取平臺，該平臺可滿足包括 14nm FinFET 在內(nèi)廣泛的模擬和數(shù)字電路參數(shù)提取需求，同時最大限度地減少 IC 設(shè)計工程師的猜測和設(shè)置功夫。 Calibre xACT 平臺可借由自動優(yōu)化電路參數(shù)提取技術(shù)，針對客戶特定的工藝節(jié)點、產(chǎn)品應(yīng)用、設(shè)計尺寸大小及電路參數(shù)提取目標(biāo)，實現(xiàn)精準(zhǔn)度和周轉(zhuǎn)時間 (TAT) 的最佳組合。 采用 Calibre xACT 平臺進行電路寄生參數(shù)提取在滿足最嚴(yán)格的精準(zhǔn)度要求的同時，還讓客戶體驗到了減少高達 10 倍的周轉(zhuǎn)時間。

　　Samsung 在用于 14nm 技術(shù)的 Calibre xACT 平臺的開發(fā)和認(rèn)證方面與 Mentor

　　Graphics 有著廣泛的合作，并憑借該平臺的高精準(zhǔn)度性能將其應(yīng)用于技術(shù)開發(fā)。

　　Calibre xACT 產(chǎn)品能夠?qū)蝹€規(guī)則檔案應(yīng)用于一系列電路參數(shù)提取應(yīng)用，使客戶能夠兼顧精準(zhǔn)度和快速 TAT(Turn Around Time)，且無需手動修改其規(guī)則檔案或工具配置。

　　“我們在對領(lǐng)先的電路參數(shù)提取產(chǎn)品進行了仔細(xì)的基準(zhǔn)檢驗后，選擇了將Calibre xACT作為簽核電路參數(shù)抽取工具標(biāo)準(zhǔn)并應(yīng)用到我們所有的新一代設(shè)計中，”Cypress Semiconductor 公司 CAD 總監(jiān) Dragomir Nikolic 說道。 “包括在90 nm和65 nm制程節(jié)點上的產(chǎn)品。 我們發(fā)現(xiàn)，在眾多目標(biāo)在最尖端工藝節(jié)點電路參數(shù)提取產(chǎn)品中，Calibre xACT 可提供高精準(zhǔn)度和快速周轉(zhuǎn)時間的最佳組合。 此外，我們也看到 Calibre xACT電路參數(shù)提取工具有能力在各種各樣的應(yīng)用(從晶體管級別到全芯片數(shù)字電路參數(shù)提取)中產(chǎn)生最佳結(jié)果，這種能力是非常有價值的。”

　　在整個設(shè)計周期內(nèi)，電路設(shè)計工程師必須在性能和精準(zhǔn)度之間權(quán)衡取舍。寄生電路參數(shù)提取也不例外。 在使用較為復(fù)雜的 FinFET 組件的先進工藝節(jié)點上，設(shè)計工程師始終致力于追求更為嚴(yán)苛的精準(zhǔn)度，也需要更高的性能和容量來實現(xiàn)十億級晶體管設(shè)計。事實上，在現(xiàn)代 IC 中，所有制程節(jié)點都隨著內(nèi)存、模擬電路、標(biāo)準(zhǔn)單元庫以及客制化數(shù)字內(nèi)容的混合變得日益復(fù)雜。這種復(fù)雜性為電路參數(shù)提取工具帶來了一系列不同的挑戰(zhàn)。 為了應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，Calibre xACT 平臺將精簡模型、解電磁場技術(shù)(Field Solver)以及高效的多 CPU 擴展 (scaling)技術(shù)融為一體，以確保實現(xiàn)有可靠精準(zhǔn)度并滿足計劃所要求的期限。

　　Calibre xACT 電路參數(shù)提取平臺與整個 Calibre 產(chǎn)品線整合，實現(xiàn)了無縫驗證流程，其中包括用于完整晶體管級模型的 Calibre nmLVS™ 產(chǎn)品，以及用于針對極高精準(zhǔn)度電路參數(shù)提取應(yīng)用的 Calibre xACT 3D 產(chǎn)品。此外，它還納入了第三方設(shè)計環(huán)境和格式，以確保與現(xiàn)有的設(shè)計和仿真流程相兼容。