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TPS79918 LDO可支持向StrataFlash嵌入式存儲器（P30）升級

作者：時間：2007-05-25 來源：網絡

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德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線性調節(jié)器可滿足新的Intel StrataFlash嵌入式存儲器(P30)的需求。英特爾公司正從第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲器(J30)向第四代130nm StrataFlash嵌入式存儲器(P30)過渡。從J3 到 P30存儲器的轉變可以減少系統在運行中消耗的總電流，因為P30 VCC所需電壓降低到1.8伏。英特爾推薦采用一個LDO線性調節(jié)器來提供新的1.8伏電壓軌。

本文引用地址：http://2s4d.com/article/258868.htm

TPS79918 LDO可支持向StrataFlash嵌入式存儲器（P30）升級

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關鍵詞： LDO 德州儀器

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