高通推3G/4G LTE集成CMOS放大器芯片

　　高通公司QFE2320和QFE2340芯片的成功商用，標(biāo)志著移動射頻前端技術(shù)的一個重大進(jìn)展，兩款芯片借助簡化的走線和行業(yè)尺寸最小的功率放大器和天線開關(guān)，相信會在集成電路上實現(xiàn)前所未有的功能。

　　集成天線開關(guān)的QFE2320多模多頻功率放大器(MMMBPA)和集成收發(fā)器模式開關(guān)的QFE2340高頻段MMMBPA，以及首款用于3G/4GLTE移動終端的包絡(luò)追蹤(ET)芯片QFE1100，都是Qualcomm®RF360?前端解決方案的關(guān)鍵組件，并支持OEM廠商打造用于全球LTE移動網(wǎng)絡(luò)的單一多模設(shè)計。

　　QFE2320和QFE2340的組合能夠覆蓋所有主要的蜂窩模式，包括LTETDD/FDD、WCDMA/HSPA+、CDMA1x、TD-SCDMA和GSM/EDGE，以及從700MHz到2700MHz的相關(guān)射頻頻段。QFE1100目前已經(jīng)在全球很多商用智能手機中采用，也將應(yīng)用于中興GrandSIILTE。

　　美國高通技術(shù)公司產(chǎn)品管理副總裁AlexKatouzian表示：“我們的集成功率放大器和天線開關(guān)以及高頻段功率放大器在中興GrandSIILTE手機上得到采用，是RF360前端解決方案實施過程中一個令人興奮的進(jìn)展。消費者和OEM廠商都將從這些創(chuàng)新的射頻解決方案中受益，它們實現(xiàn)了更小的尺寸和更高的能效，并支持全球漫游的LTE終端。”

　　中興通訊對外合作副總裁兼全球高端技術(shù)團(tuán)隊負(fù)責(zé)人王眾博士表示：“美國高通技術(shù)公司的射頻芯片組具有卓越的性能和效率，讓我們能夠設(shè)計功耗更低且外形更時尚的終端，并能夠連接到全球最快的網(wǎng)絡(luò)上。我們很高興在GrandSIILTE上采用美國高通技術(shù)公司最新RF360前端解決方案中的兩款產(chǎn)品，以及高通驍龍800處理器和WTR1625收發(fā)器，實現(xiàn)同級最佳的LTE連接和卓越用戶體驗。”

　　QFE2320和QFE2340采用CMOS制造工藝，能夠?qū)⒏鹘M件更緊密地集成在單一芯片上。在QFE2320中集成功率放大器和天線開關(guān)，能夠簡化走線，減少前端中的射頻組件數(shù)量，滿足更小的印刷電路板(PCB)面積要求——所有這些都支持OEM廠商能夠以更低的成本打造尺寸更小的終端設(shè)計，支持連接到全球主要2G、3G和4GLTE網(wǎng)絡(luò)所需的廣泛射頻頻段。QFE2340高頻段MMMBPA集成收發(fā)器模式開關(guān)，提供全球首款商用LTE晶片級納米規(guī)模封裝(WLNSP)MMMBPA，首次向移動行業(yè)引入創(chuàng)新的LTETDD射頻前端架構(gòu)。

　　QFE2320和QFE2340目前正向OEM廠商出貨，預(yù)計今年將在全球更多領(lǐng)先的智能手機上應(yīng)用。QualcommRF360解決方案中還包括首款用于3G/4GLTE終端的包絡(luò)追蹤芯片QFE1100和可配置天線匹配調(diào)諧芯片QFE1510，這兩款芯片已經(jīng)在2013年實現(xiàn)商用。