臺(tái)積電擬限制出口最先進(jìn)工藝技術(shù)

據(jù)中國(guó)臺(tái)灣《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，中國(guó)臺(tái)灣計(jì)劃加強(qiáng)對(duì)先進(jìn)制程技術(shù)出口以及對(duì)外半導(dǎo)體投資的管控，相關(guān)新規(guī)預(yù)計(jì)將對(duì)臺(tái)積電等企業(yè)產(chǎn)生重大影響。

此次修訂的規(guī)則基于修訂后的《產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新法》第 22 條，預(yù)計(jì)將于 2025 年底生效，不過(guò)經(jīng)濟(jì)部表示，該法的實(shí)施日期將在各子法規(guī)修訂后（六個(gè)月內(nèi)）公布，這意味著最早可能在 2025 年底開始實(shí)施。

新的法律措施將強(qiáng)制執(zhí)行「N - 1」技術(shù)限制，實(shí)質(zhì)上禁止臺(tái)積電出口其最新生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)，并對(duì)違規(guī)行為處以罰款。行政院長(zhǎng)趙榮泰確認(rèn)的「N - 1」政策將適用于臺(tái)積電在美國(guó)的計(jì)劃生產(chǎn)，該政策限制了最先進(jìn)工藝技術(shù)的出口，僅允許將比其早一代的技術(shù)部署到國(guó)外。

此前，中國(guó)臺(tái)灣法規(guī)并未明確要求對(duì)半導(dǎo)體制造工藝進(jìn)行此類管控。此次修訂還引入了此前未曾出現(xiàn)的處罰措施：未經(jīng)事先批準(zhǔn)在海外投資的公司可能面臨 5 萬(wàn)至 100 萬(wàn)新臺(tái)幣（約合 30,830 美元）的罰款；如果投資已獲批準(zhǔn)，但公司隨后未能糾正已發(fā)現(xiàn)的違規(guī)行為（例如危害國(guó)家安全或損害經(jīng)濟(jì)發(fā)展），當(dāng)局可處以 50 萬(wàn)至 1000 萬(wàn)新臺(tái)幣（約合 15,414 美元）的重復(fù)罰款。不過(guò)，鑒于臺(tái)積電計(jì)劃在其美國(guó)工廠投資 1650 億美元，30 萬(wàn)美元的罰款幾乎不會(huì)影響公司的盈利。

此外，經(jīng)中國(guó)臺(tái)灣「立法機(jī)構(gòu)」三讀通過(guò)的修訂法賦予中國(guó)臺(tái)灣當(dāng)局拒絕或取消海外投資的權(quán)力。如果這些投資被發(fā)現(xiàn)危害中國(guó)臺(tái)灣安全、損害中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)發(fā)展、違反條約義務(wù)或?qū)е挛唇鉀Q的重大勞資糾紛，根據(jù)新法律，這六個(gè)條件得以保留，但現(xiàn)在得到了更高級(jí)別的立法支持。修訂后的第 22 條還包括部分或全部拒絕投資或在批準(zhǔn)時(shí)附加條件的可能性。如果公司獲得批準(zhǔn)但后來(lái)觸發(fā)任何這些風(fēng)險(xiǎn)，中央主管部門有權(quán)要求采取糾正措施，如果問(wèn)題嚴(yán)重，則完全撤銷該投資。新法律將現(xiàn)有的投資限制從子法規(guī)上升為正式立法，并增加了不遵守規(guī)定的法律后果。

臺(tái)積電最先進(jìn)的制程技術(shù)存在相關(guān)情況。目前，臺(tái)積電擁有一個(gè)尖端節(jié)點(diǎn)：N3P 制造技術(shù)。但到今年年底，它將開始采用 N2 制程生產(chǎn)芯片，而 N2 制程將成為其旗艦技術(shù)。然而，從 2026 年底開始，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將擁有兩個(gè)旗艦節(jié)點(diǎn)：面向不需要高級(jí)供電的客戶端應(yīng)用的 N2P，以及面向高功耗 HPC 應(yīng)用、采用 Super Power Rail 背面供電技術(shù)的 A16。

目前尚不清楚哪種制程技術(shù)會(huì)被中國(guó)臺(tái)灣視為「旗艦」技術(shù)，從而受到出口限制；或者，當(dāng)臺(tái)積電推出 N2P 和 A16 的后續(xù)產(chǎn)品——A14 和 A16P 節(jié)點(diǎn)時(shí)，政府是否會(huì)在一年內(nèi)禁止這兩個(gè)節(jié)點(diǎn)的出口。

該法規(guī)的推出正值地緣政治風(fēng)險(xiǎn)不斷上升之際，此前臺(tái)積電宣布計(jì)劃將其在美國(guó)產(chǎn)能的投資從四年內(nèi)的 650 億美元增加到 1650 億美元（具體時(shí)間未披露）。

早在去年，中國(guó)臺(tái)灣省經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)郭智輝就曾在臺(tái)北舉行的立法機(jī)構(gòu)經(jīng)濟(jì)委員會(huì)會(huì)議上公開表示，中國(guó)臺(tái)灣的科技保護(hù)規(guī)則使得臺(tái)積電目前無(wú)法在海外生產(chǎn) 2nm 芯片，因此該公司必須將其最前沿的技術(shù)留在中國(guó)臺(tái)灣。

臺(tái)積電目前正在積極推進(jìn) N2（2nm）制程的制造，納米片器件性能接近目標(biāo)，256Mb SRAM 的平均良率>90%，目前已經(jīng)收到了多個(gè) TO，有望于今年下半年量產(chǎn)。此外，臺(tái)積電還在研發(fā) N2P 和 N2X 制程。

與 N3E 相比，N2P 在相同功耗下，性能可提升 18%，在相同性能下，功耗可降低 36%，密度將提高 1.2 倍。臺(tái)積電預(yù)計(jì)，N2P 有望在 2026 年下半年投入生產(chǎn)。而 N2X 則將在 2027 年量產(chǎn)。

近日，臺(tái)積電還披露了其 A14（1.4 納米級(jí)）制造技術(shù)，并承諾該技術(shù)將在性能、功耗和晶體管密度方面，相較于其 N2（2 納米）工藝帶來(lái)顯著提升。

據(jù)悉，這一新節(jié)點(diǎn)將采用其第二代環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管，并借助 NanoFlex Pro 技術(shù)提供更高的靈活性。臺(tái)積電預(yù)計(jì) A14 將于 2028 年進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段，但屆時(shí)不具備背面供電功能。帶有背面供電功能的 A14 版本計(jì)劃于 2029 年推出。

臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展與全球銷售高級(jí)副總裁兼副首席運(yùn)營(yíng)官?gòu)垥詮?qiáng)（Kevin Zhang）表示：「A14 是我們的全節(jié)點(diǎn)下一代先進(jìn)硅技術(shù)。如果從速度方面來(lái)看，（與 N2 相比）性能提升高達(dá) 15%，功耗降低 30%，邏輯密度是整體芯片密度的 1.23 倍，對(duì)于混合設(shè)計(jì)而言至少是 1.2 倍。所以，這是一項(xiàng)非常非常重要的技術(shù)。」