臺(tái)積電避免使用高NA EUV光刻技術(shù)

該公司在研討會(huì)上介紹了 A14 工藝，稱預(yù)計(jì)將于 2028 年投產(chǎn)。之前已經(jīng)說(shuō)過(guò)，A16 工藝將于 2026 年底出現(xiàn)，也不需要高 NA EUVL 工具。

“從 2nm 到 A14，我們不必使用高 NA，但我們可以在加工步驟方面繼續(xù)保持類似的復(fù)雜性，”據(jù)報(bào)道，業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁 Kevin Zhang 在發(fā)布會(huì)上說(shuō)。

這與英特爾形成鮮明對(duì)比，英特爾在積極采用高 NA 方面一直積極實(shí)施一項(xiàng)計(jì)劃，以趕上半導(dǎo)體代工市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者臺(tái)積電和三星。英特爾是第一家獲得高數(shù)值孔徑 EUVL 工具的公司，并計(jì)劃在 2025 年開(kāi)始使用其 18A 制造工藝制造采用高數(shù)值孔徑 EUVL 的芯片。

一切都與價(jià)格標(biāo)簽有關(guān)

臺(tái)積電延遲采用的一個(gè)關(guān)鍵原因可能是壟斷供應(yīng)商 ASML Holding NV 對(duì)這些工具的極高價(jià)格標(biāo)簽。據(jù)說(shuō)高 NA EUV 曝光機(jī)的價(jià)格約為 3.8 億美元，是上一代低 NA EUV 曝光機(jī)約 1.8 億美元的兩倍多。

TSMC 顯然已經(jīng)計(jì)算出，使用低 NA EUVL 的多重圖形化更具成本效益，并且在線停留時(shí)間略長(zhǎng)。此外，它將受益于使用當(dāng)前一代設(shè)備的卓越、成熟的產(chǎn)量。

英特爾是否會(huì)堅(jiān)持積極采用這項(xiàng)技術(shù)還有待觀察，因?yàn)樗F(xiàn)在有一位新任首席執(zhí)行官 Lip-Bu Tan，他對(duì) Intel Foundry 的計(jì)劃尚未完全披露。

英特爾與臺(tái)積電

另?yè)?jù)報(bào)道，英特爾和臺(tái)積電已達(dá)成初步協(xié)議，成立一家合資企業(yè)來(lái)經(jīng)營(yíng)英特爾的芯片制造工廠。

譚告訴分析師，他最近會(huì)見(jiàn)了臺(tái)積電首席執(zhí)行官 CC Wei 和臺(tái)積電創(chuàng)始人兼前董事長(zhǎng) Morris Chang?！癕orris 和 CC 是我非常老的朋友。我們最近還開(kāi)會(huì)，試圖找到我們可以合作的領(lǐng)域，這樣我們就可以創(chuàng)造一個(gè)雙贏的局面，“Tan 在分析師電話會(huì)議上說(shuō)。

TSMC 的 A14 制造工藝的第一個(gè)實(shí)例沒(méi)有使用背面配電。一種名為 A14P 的變體，其背面配電將于 2029 年推出，隨后的高性能版本 A14X 可能是高數(shù)值孔徑 EUVL 的候選者。

即使英特爾和三星繼續(xù)采用高數(shù)值孔徑 EUVL 以在領(lǐng)先工藝中趕上臺(tái)積電，它們也面臨著開(kāi)發(fā)成本。通過(guò)率先進(jìn)行這項(xiàng)開(kāi)發(fā)，他們可以為 TSMC 在認(rèn)為采用具有成本效益時(shí)介入并使用高 NA EUVL 鋪平道路。