芯片巨頭，盯上EUV

三星電子正在推動(dòng)關(guān)鍵半導(dǎo)體材料的本土化，此舉引起廣泛關(guān)注，因?yàn)樵摴驹噲D減少對(duì)日本進(jìn)口的嚴(yán)重依賴。在美國、日本、中國大陸和中國臺(tái)灣的全球半導(dǎo)體主導(dǎo)地位競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的背景下，這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)變被視為應(yīng)對(duì)韓日關(guān)系潛在緊張的主動(dòng)措施。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子半導(dǎo)體部門正在加快努力用韓國本土替代品取代「ArF（氟化氬）空白掩?！埂＿@些掩模在半導(dǎo)體光刻工藝中至關(guān)重要，占整個(gè)階段的 40% 以上。目前，三星對(duì)這些掩模的采購嚴(yán)重依賴日本的 Hoya。然而，三星現(xiàn)在正與韓國生產(chǎn)商 S&S Tech 密切合作，以實(shí)現(xiàn)本土化。一位業(yè)內(nèi)人士透露，「三星一直在接收少量國產(chǎn) ArF 空白掩膜，但最近已開始評(píng)估在特定工藝中全面采用?！?/p>

除了 ArF 空白掩膜，三星還在加大力度將其他高度依賴日本的材料本地化。對(duì)于目前由日本三井化學(xué)主導(dǎo)的 EUV 薄膜，三星正在與韓國 FST 合作實(shí)現(xiàn)本地化。此外，對(duì)于高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）的關(guān)鍵材料非導(dǎo)電膜（NCF），三星正在與 LG Chem 合作。目前，NCF 材料 100% 由日本 Resonac 供應(yīng)給三星。

三星材料供應(yīng)鏈的多樣化主要是為了應(yīng)對(duì)人工智能（AI）革命引發(fā)的半導(dǎo)體需求激增。這種需求需要多樣化目前由一兩家公司壟斷的工藝材料。該戰(zhàn)略還考慮到與美國和日本以及中國大陸和中國臺(tái)灣之間日益激烈的半導(dǎo)體主導(dǎo)地位競(jìng)爭(zhēng)。

日本則在培育 Rapidus 等新芯片制造公司，以增強(qiáng)國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。如果日本再次對(duì)半導(dǎo)體材料實(shí)施類似于 2019 年的出口限制，韓國國內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)線可能會(huì)面臨嚴(yán)重中斷。一位資深行業(yè)官員評(píng)論說：「在最近國內(nèi)外政治局勢(shì)變化的情況下，韓美、韓日、韓中關(guān)系的波動(dòng)性比以往任何時(shí)候都高，三星從多個(gè)角度加強(qiáng)風(fēng)險(xiǎn)管理的努力意義重大。」

據(jù)悉，三星電子將從 ASML 引進(jìn)首臺(tái) High-NA EUV 光刻機(jī) EXE:5000，預(yù)計(jì) 2025 年初到貨。這意味著三星將正式加入與英特爾和臺(tái)積電在下一代光刻技術(shù)商業(yè)化研發(fā)方面的競(jìng)爭(zhēng)。

ASML 的 High-NA EUV 光刻機(jī) EXE:5000 是一款先進(jìn)的極紫外光刻設(shè)備，具有高數(shù)值孔徑 (NA) 和 8nm 的分辨率，相較于之前的 NXE 系列光刻機(jī)，其分辨率顯著提高。這款光刻機(jī)采用了 0.55 NA 的透鏡，能夠?qū)崿F(xiàn)更精細(xì)的圖案化，從而支持更小的物理特征尺寸。

根據(jù)此前相關(guān)資料，EXE:5000 的設(shè)計(jì)使其能夠每小時(shí)處理超過 185 片晶圓，相比 NXE 系列的產(chǎn)能有所提升。然而，目前的生產(chǎn)速度僅為每小時(shí) 150 片晶圓，預(yù)計(jì)到 2026 年左右將提升到每小時(shí)約 200 片晶圓。

EXE:5000 光刻機(jī)預(yù)計(jì)將在 2025 年進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)階段。目前，該設(shè)備已經(jīng)向英特爾交付了首批模塊，并且正在安裝和測(cè)試中。

與此同時(shí)，三星電子正在與蔡司集團(tuán)深化在下一代極紫外光刻技術(shù)和芯片技術(shù)領(lǐng)域的合作。

三星電子執(zhí)行董事長(zhǎng)李在镕在訪問位于奧伯科亨的全球光學(xué)和光電子技術(shù)集團(tuán)總部時(shí)，與蔡司公司總裁兼首席執(zhí)行官 Karl Lamprecht 及其他高管進(jìn)行了會(huì)晤。

雙方同意擴(kuò)大在 EUV 技術(shù)和尖端半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)方面的合作，以進(jìn)一步增強(qiáng)在代工和存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力。作為全球頂尖的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）芯片生產(chǎn)商，三星電子與蔡司集團(tuán)在 EUV 技術(shù)方面擁有廣泛的合作基礎(chǔ)。

通過與蔡司集團(tuán)深化合作，三星電子期望改進(jìn)其下一代半導(dǎo)體技術(shù)，優(yōu)化芯片制造工藝，并提高先進(jìn)芯片的產(chǎn)量。通過這次合作，三星希望提升下一代半導(dǎo)體技術(shù)，優(yōu)化芯片制造流程，提高先進(jìn)芯片的生產(chǎn)良率。

蔡司還計(jì)劃到 2026 年投資 480 億韓元在韓國建設(shè)研發(fā)中心，加強(qiáng)同三星等韓企的戰(zhàn)略合作，以建立其首個(gè)海外研究工作站，專注于解決方案研發(fā)。

三星電子的目標(biāo)是推動(dòng) 3 納米以下的微制造工藝技術(shù)的發(fā)展，此外，該公司還計(jì)劃在東北亞地區(qū)建立首個(gè)先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)芯片流程控制解決方案研發(fā)中心，以滿足該地區(qū)對(duì)光學(xué)解決方案不斷增長(zhǎng)的需求。

蔡司集團(tuán)是全球領(lǐng)先的極紫外（EUV）光系統(tǒng)供應(yīng)商 ASML Holding NV 的唯一光學(xué)系統(tǒng)供應(yīng)商，對(duì)于全球芯片產(chǎn)業(yè)，特別是代工芯片制造商如臺(tái)積電和三星電子等具有重要影響力。