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臺(tái)積電避免使用高NA EUV光刻技術(shù)

  • 根據(jù)臺(tái)積電北美技術(shù)研討會(huì)的報(bào)告，代工臺(tái)積電不需要使用高數(shù)值孔徑極紫外光刻工具在其 A14 （1.4nm） 工藝上制造芯片。該公司在研討會(huì)上介紹了 A14 工藝，稱(chēng)預(yù)計(jì)將于 2028 年投產(chǎn)。之前已經(jīng)說(shuō)過(guò)，A16 工藝將于 2026 年底出現(xiàn)，也不需要高 NA EUVL 工具?！皬?2nm 到 A14，我們不必使用高 NA，但我們可以在加工步驟方面繼續(xù)保持類(lèi)似的復(fù)雜性，”據(jù)報(bào)道，業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁 Kevin Zhang 在發(fā)布會(huì)上說(shuō)。這與英特爾形成鮮明對(duì)比，英特爾在積極采用高 NA 方面一直積極實(shí)施一項(xiàng)計(jì)
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可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機(jī)：死胡同不遠(yuǎn)了

  • 6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺(tái)High NA EUV極紫外光刻機(jī)，同時(shí)正在研究更強(qiáng)大的Hyper NA EUV光刻機(jī)，預(yù)計(jì)可將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機(jī)孔徑數(shù)值只有0.33，對(duì)應(yīng)產(chǎn)品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來(lái)的4000F、4200G、4X00。該系列預(yù)計(jì)到2025年可以量產(chǎn)2nm，再往后就得加入多重曝光，預(yù)計(jì)到2027年能實(shí)現(xiàn)1.4nm的量產(chǎn)。High NA光刻機(jī)升級(jí)到了
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臺(tái)積電今年將拿到最新款光刻機(jī)

  • 6月6日消息，據(jù)外媒報(bào)道稱(chēng)，ASML將在今年向臺(tái)積電交付旗下最先進(jìn)的光刻機(jī)，單臺(tái)造價(jià)達(dá)3.8億美元。報(bào)道中提到，ASML首席財(cái)務(wù)官Roger Dassen在最近的一次電話會(huì)議上告訴分析師，公司兩大客戶臺(tái)積電和英特爾將在今年年底前獲得所謂的高數(shù)值孔徑（高NA）極紫外（EUV）光刻系統(tǒng)。英特爾此前已經(jīng)訂購(gòu)了最新的高NA EUV設(shè)備，第一臺(tái)設(shè)備已于12月底運(yùn)往俄勒岡州的一家工廠。目前尚不清楚ASML最大的EUV客戶臺(tái)積電何時(shí)會(huì)收到設(shè)備。據(jù)悉，這些機(jī)器每臺(tái)造價(jià)3.5億歐元（3.8億美元），重量相當(dāng)于兩架空中客車(chē)A
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