東芝推出高速導通小型光繼電器，可縮短半導體測試設(shè)備的測試時間
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芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新推出采用S-VSON4T[1]封裝的光繼電器——“TLP3414S”與“TLP3431S”，具有比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品更快的導通時間[2]。TLP3414S與TLP3431S的斷態(tài)輸出端電壓和通態(tài)電流額定值分別為40 V/250 mA和20 V/450 mA。該產(chǎn)品于近日開始支持批量出貨。
本文引用地址：http://2s4d.com/article/202502/467180.htm
新型光繼電器通過提高輸入側(cè)紅外LED的光輸出并優(yōu)化光電探測器（光電二極管陣列）的設(shè)計，可實現(xiàn)高效的光耦合，將導通時間最大值縮短至150 μs。TLP3414S的導通時間比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3414縮短約50 %，TLP3431S的導通時間比東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3431縮短約62 %。
此外，當輸出打開時，這兩款產(chǎn)品的導通電阻會影響信號衰減（TLP3414S：最大值3 Ω，TLP3431S：最大值1.2 Ω）；當輸出關(guān)閉時，輸出電容會影響高頻信號泄漏（兩款產(chǎn)品均為典型值6.5 pF）。新產(chǎn)品與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品[2]相當，確保了穩(wěn)定的信號傳輸。
新產(chǎn)品適用于半導體測試設(shè)備中的引腳電子[3]應(yīng)用，可在開關(guān)信號的同時以高精度高速測量待測設(shè)備（DUT）。
新產(chǎn)品由于采用小型S-VSON4T封裝，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品的VSON4封裝[4]相比表貼面積減少了約20 %，有助于實現(xiàn)半導體測試設(shè)備和其他設(shè)備的小型化。
東芝將繼續(xù)提供更多高性能產(chǎn)品，以滿足半導體測試設(shè)備對更高性能和更快速度的需求。
■ 應(yīng)用：
- 半導體測試設(shè)備（高速存儲器測試設(shè)備、高速邏輯測試設(shè)備等）
- 探測卡
- 測量設(shè)備
■ 性：
- 高速導通時間：tON＝150 μs（最大值）
- 低導通電阻：
TLP3414S RON＝3 Ω（最大值）
TLP3431S RON＝1.2 Ω（最大值）
- 小型S-VSON4T封裝：1.45 mm×2.0 mm（典型值），厚度＝1.3 mm（典型值）
■ 主要規(guī)格：
（除非另有說明，Ta＝25 °C）
器件型號 | TLP3414S | TLP3431S | ||
封裝 | 東芝封裝名稱 | S-VSON4T | ||
尺寸（mm） | 1.45í2.0（典型值）， 厚度＝1.3（典型值） | |||
觸點類型 | 1-Form-A （常開） | |||
絕對最大額定值 | 斷態(tài)輸出端電壓VOFF（V） | 40 | 20 | |
通態(tài)電流ION（mA） | 250 | 450 | ||
通態(tài)電流（脈沖）IONP（mA） | 750 | 1350 | ||
工作溫度Topr（°C） | –40至110 | |||
隔離電壓BVS（Vrms） | AC，60 s， R.H.≤60 % | 500 | ||
耦合電氣特性 | 觸發(fā)LED電流IFT（mA） | 最大值 | 3 | |
導通電阻RON（Ω） | 典型值 | 2 | 0.8 | |
最大值 | 3 | 1.2 | ||
電氣特性 | 輸出電容COFF（pF） | 典型值 | 6.5 | |
開關(guān)特性 | 導通時間tON（μs） | 最大值 | 150[5] | |
關(guān)斷時間tOFF（μs） | 100[5] | |||
注：
[1] S-VSON4T封裝：1.45 mm×2.0 mm（典型值）
[2] 東芝現(xiàn)有產(chǎn)品TLP3414（額定值40 V/250 mA）和TLP3431（額定值20 V/450 mA），采用VSON4封裝
[3] 引腳電子（PE）：用于向待測設(shè)備（DUT）提供電源和測試信號，并判斷DUT的輸出信號的一種接口電路
[4] VSON4封裝：1.45 mm×2.45 mm（典型值）
[5] TLP3414S的測試條件：RL＝200 Ω、VDD＝20 V、IF＝5 mA，TLP3431S：RL＝200 Ω、VDD＝10 V、IF＝5 mA
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