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東芝推出符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的車(chē)載標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字隔離器

—— 利用高共模瞬態(tài)抑制和高速數(shù)據(jù)信息通信實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定運(yùn)行
作者: 時(shí)間:2025-02-28 來(lái)源:EEPW 收藏

電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“”)近日宣布,最新推出首批面向車(chē)載應(yīng)用的4通道高速標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品線(xiàn)——“DCM34xx01系列”。新系列包含10款器件,具有100 kV/μs(典型值)[1]的高共模瞬態(tài)抑制(CMTI)和50 Mbps(最大值)[2]的高速數(shù)據(jù)傳輸速率,支持穩(wěn)定運(yùn)行。所有器件均符合面向車(chē)載電子組件安全性和可靠性的AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)。該系列10款產(chǎn)品于近日開(kāi)始支持批量出貨。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/202502/467453.htm

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為了確?;旌蟿?dòng)力汽車(chē)(HEV)和電動(dòng)汽車(chē)(EV)中使用的車(chē)載充電器(OBC)和電池管理系統(tǒng)(BMS)的安全性和可靠性,需要能夠確保隔離并防止噪聲傳播的器件。車(chē)載標(biāo)準(zhǔn)可為當(dāng)前隔離設(shè)備所需的多通道高速通信和高CMTI提供解決方案。

新的隔離器采用東芝專(zhuān)有的磁耦合隔離傳輸方式,以實(shí)現(xiàn)100 kV/μs(典型值)的高CMTI。這不僅實(shí)現(xiàn)隔離信號(hào)傳輸中輸入和輸出間電氣噪聲的高容限,還確保了穩(wěn)定的控制信號(hào)傳輸,有助于設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。此外,這些新產(chǎn)品還具有0.8 ns(典型值)[2]的低脈寬失真和50 Mbps(最大值)的數(shù)據(jù)傳輸速率,適用于多通道高速通信應(yīng)用,例如具備SPI通信的I/O接口。

東芝的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn),目前其產(chǎn)品線(xiàn)擴(kuò)展至車(chē)載設(shè)備領(lǐng)域。未來(lái),東芝將增加這兩個(gè)領(lǐng)域產(chǎn)品的封裝類(lèi)型和通道數(shù)量,并將繼續(xù)提供高質(zhì)量隔離器件和光耦,以支持車(chē)載設(shè)備所需的可靠性和實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)傳輸。

■   應(yīng)用:

車(chē)載設(shè)備

-   電池管理系統(tǒng)(BMS)

-   車(chē)載充電器(OBC)

-   逆變器控制

■   特性:

-   高共模瞬態(tài)抑制:CMTI=100 kV/μs(典型值)[1]

-   高速數(shù)據(jù)速率:tbps=50 Mbps(最大值)[2]

-   低脈寬失真:PWD=0.8 ns(典型值)

-   四通道支持(請(qǐng)參見(jiàn)具體器件的主要規(guī)格):

正向四通道,反向零通道;正向三通道,反向一通道;正向兩通道,反向兩通道

■   主要規(guī)格:

(除非另有說(shuō)明,Topr=–40 °C至125 °C)

器件型號(hào)

DCM341L01

DCM341H01

DCM341A01

DCM341B01

通道數(shù)

(正向:反向)

4

(3:1)

默認(rèn)輸出邏輯

使能控制

輸出使能

輸入禁用

封裝

SOIC16-W

絕對(duì)最大額定值

工作溫度Topr(°C)

–40至125

存儲(chǔ)溫度Tstg(°C)

–65至150

隔離電壓

BVS(Vrms)

t=1分鐘,Ta=25 °C

最小值

5000

電氣特性

共模瞬態(tài)抑制

CMTI(kV/μs)

VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V,

VCM=1500 V

典型值

100

數(shù)據(jù)速率

tbps(Mbps)

VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V

最大值

50

脈寬失真

PWD(ns)

典型值

0.8

傳輸延遲時(shí)間

tPHL、tPLH(ns)

10.9

(除非另有說(shuō)明,Topr=–40 °C至125 °C)

器件型號(hào)

DCM340C01

DCM340D01

DCM340L01

DCM340H01

通道數(shù)

(正向:反向)

4

(4:0)

默認(rèn)輸出邏輯

使能控制

無(wú)

輸出使能

封裝

SOIC16-W

絕對(duì)最大額定值

工作溫度Topr(°C)

–40至125

存儲(chǔ)溫度Tstg(°C)

–65至150

隔離電壓

BVS(Vrms)

t=1分鐘,Ta=25 °C

最小值

5000

電氣特性

共模瞬態(tài)抑制

CMTI(kV/μs)

VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V,VCM=1500 V

典型值

100

數(shù)據(jù)速率

tbps(Mbps)

VDD1=VDD2=4.5 V至5.5V

最大值

50

脈寬失真

PWD(ns)

典型值

0.8

傳輸延遲時(shí)間

tPHL、tPLH(ns)

10.9

(除非另有說(shuō)明,Topr=–40 °C至125 °C)

器件型號(hào)

DCM342L01

DCM342H01

通道數(shù)

(正向:反向)

4

(2:2)

默認(rèn)輸出邏輯

使能控制

輸出使能

封裝

SOIC16-W

絕對(duì)最大額定值

工作溫度Topr(°C)

–40至125

存儲(chǔ)溫度Tstg(°C)

–65至150

隔離電壓

BVS(Vrms)

t=1分鐘,Ta=25 °C

最小值

5000

電氣特性

共模瞬態(tài)抑制

CMTI(kV/μs)

VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V,VCM=1500 V

典型值

100

數(shù)據(jù)速率

tbps(Mbps)

VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V

最大值

50

脈寬失真

PWD(ns)

典型值

0.8

傳輸延遲時(shí)間

tPHL、tPLH(ns)

10.9

注:

[1] 測(cè)試條件:VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V,VCM=1500 V,Topr=–40 °C至125 °C

[2] 測(cè)試條件:VDD1=VDD2=4.5 V至5.5 V,Topr=–40 °C至125 °C



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