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臺(tái)積電A16工藝將于2026年量產(chǎn)

作者: 時(shí)間:2024-11-26 來(lái)源:SEMI 收藏

近日,(TSMC)在其歐洲開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)論壇上宣布,準(zhǔn)備在2025年末開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn),同時(shí)(1.6nm級(jí))工藝技術(shù)的首批芯片計(jì)劃在2026年末開(kāi)始投產(chǎn)。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/202411/464922.htm

表示,目前先進(jìn)工藝的開(kāi)發(fā)正在按路線圖推進(jìn),預(yù)計(jì)未來(lái)幾年基本保持不變。

據(jù)悉,將結(jié)合的超級(jí)電軌(Super Power Rail)架構(gòu),也就是背部供電技術(shù)??梢栽谡驷尫懦龈嗟牟季挚臻g,提升邏輯密度和效能,適用于具有復(fù)雜訊號(hào)及密集供電網(wǎng)絡(luò)的高性能計(jì)算(HPC)產(chǎn)品。相比于N2P工藝,在相同工作電壓下速度快了8-10%,或者在相同速度下,功耗降低了15-20%,同時(shí)密度提升至原來(lái)的1.1倍。

臺(tái)積電設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施管理主管表示,A16基本可以理解為N2P加入背部供電技術(shù)的產(chǎn)物,可實(shí)現(xiàn)更高的性能和更好的電源效率。但是這種做法也增加了熱問(wèn)題,必須要解決,所以并非所有類(lèi)型或者用途的芯片都適合這種設(shè)計(jì),現(xiàn)階段最合適的還是HPC芯片。



關(guān)鍵詞: 臺(tái)積電 N2工藝 A16

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