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臺積電A16工藝將于2026年量產(chǎn)

作者: 時間:2024-11-26 來源:SEMI 收藏

近日,(TSMC)在其歐洲開放創(chuàng)新平臺(OIP)論壇上宣布,準(zhǔn)備在2025年末開始大規(guī)模量產(chǎn),同時(1.6nm級)工藝技術(shù)的首批芯片計劃在2026年末開始投產(chǎn)。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/202411/464922.htm

表示,目前先進(jìn)工藝的開發(fā)正在按路線圖推進(jìn),預(yù)計未來幾年基本保持不變。

據(jù)悉,將結(jié)合的超級電軌(Super Power Rail)架構(gòu),也就是背部供電技術(shù)??梢栽谡驷尫懦龈嗟牟季挚臻g,提升邏輯密度和效能,適用于具有復(fù)雜訊號及密集供電網(wǎng)絡(luò)的高性能計算(HPC)產(chǎn)品。相比于N2P工藝,在相同工作電壓下速度快了8-10%,或者在相同速度下,功耗降低了15-20%,同時密度提升至原來的1.1倍。

臺積電設(shè)計基礎(chǔ)設(shè)施管理主管表示,A16基本可以理解為N2P加入背部供電技術(shù)的產(chǎn)物,可實(shí)現(xiàn)更高的性能和更好的電源效率。但是這種做法也增加了熱問題,必須要解決,所以并非所有類型或者用途的芯片都適合這種設(shè)計,現(xiàn)階段最合適的還是HPC芯片。



關(guān)鍵詞: 臺積電 N2工藝 A16

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