賺錢窗口期出現(xiàn)，芯片廠要下重注了

2023 年，全球芯片市場低迷，需求不振，使得各大晶圓廠（包括晶圓代工和 IDM）產(chǎn)能利用率都不高，抑制了晶圓廠投資。據(jù) SEMI 統(tǒng)計，2023 年，全球晶圓廠設(shè)備支出同比下降了 22%。

近兩年，先進制程工藝（5nm 及以下）還處在投入期，整體發(fā)展情況還不錯，但僅限于那兩三家頭部企業(yè)。而涉及晶圓廠數(shù)量和產(chǎn)業(yè)鏈更多、更廣的成熟制程市場則很慘淡，整體產(chǎn)能利用率不高，這對于整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，不管是設(shè)備還是材料來說，都很不利，全面影響著產(chǎn)業(yè)投入和資本支出。

2023 年的低預(yù)算

據(jù) TrendForce 統(tǒng)計，2023 年前三個季度，各晶圓代工廠的產(chǎn)能利用率表現(xiàn)都不理想，全年產(chǎn)值同比減少約 4%。因此，各晶圓代工廠紛紛縮減了 2023 年用于設(shè)備采購等的資本支出，產(chǎn)能擴張速度減緩。

以臺積電為例，該晶圓代工龍頭在 2023 年第二季度就降低了全年的資本支出預(yù)期，下半年再次下調(diào)，使其全年支出在 300 億美元左右，低于 2022 年的 363 億美元，這是該公司近 8 年來首次出現(xiàn)年度資本支出下滑的情況。

建廠擴產(chǎn)方面，臺積電在高雄、南科、中科與竹科的多個擴產(chǎn)項目全面放緩，產(chǎn)能重新調(diào)配。原計劃在高雄建兩座新廠，包括 7nm 和 28nm 制程產(chǎn)線，但高雄廠 7nm 廠房因智能手機和 PC 市場需求疲軟而宣布暫緩，相關(guān)機電工程標案延后 1 年，無塵室及裝機作業(yè)隨之延后。此外，3nm 也由快進模式轉(zhuǎn)為緩慢擴張模式。原計劃 2023 年量產(chǎn)的 Fab 18 廠 P7 延至 2024 年。

三星 7nm 以下先進制程客戶高通、英偉達等旗艦新品轉(zhuǎn)單出走，沒有體量相當?shù)男驴蛻籼钛a產(chǎn)能，導(dǎo)致三星 2023 全年先進制程產(chǎn)能利用率處在約 60% 的低位。

聯(lián)電總經(jīng)理王石表示，2023 年，隨著客戶持續(xù)消化庫存，聯(lián)電的業(yè)務(wù)受到晶圓需求疲軟的影響，第一季度晶圓出貨量環(huán)比下降 17.5%，產(chǎn)能利用率降至 70%。第二季度，由于整體需求依然低迷，客戶繼續(xù)調(diào)整庫存，晶圓出貨量持平。全年來看，聯(lián)電采取了嚴格的成本控制措施，并盡可能推遲部分資本支出，以確保盈利能力。

2023 年，格芯（GlobalFoundries）裁員超過 800 人，占該公司全球 15000 名員工的 5.3%。由于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處在下行周期，格芯開始削減資本支出，放慢擴產(chǎn)進程。

2024 上半年見曙光

2023 年第四季度，情況開始出現(xiàn)好轉(zhuǎn)，特別是華為發(fā)布了新的旗艦手機，掀起了一波購買潮，對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)都有刺激作用，再加上火熱的 AI 服務(wù)器和相關(guān)芯片的熱銷，當時，業(yè)界普遍認為，2024 年，電子半導(dǎo)體業(yè)的資本支出將會有明顯提升，行業(yè)發(fā)展將轉(zhuǎn)為上行周期。

據(jù) IDC 統(tǒng)計，2024 年第一季度，全球 PC 出貨量比 2023 年第一季度增長 1.5%，這是自 2021 年第四季度以來的首次同比正增長。智能手機市場回暖要早一些，在 2023 年第四季度轉(zhuǎn)為正增長，增幅達到 8.5%，這是自 2021 年第二季度以來的首次同比正增長，2024 年第一季度繼續(xù)增長，增幅為 7.8%。盡管 2024 年第一季度呈積極趨勢，但 IDC 預(yù)計 2024 全年 PC 和智能手機市場的增幅并不大，分別為 2.4% 和 2.8%。2024 下半年表現(xiàn)會好于上半年，上半年市場表現(xiàn)還是有些弱，導(dǎo)致全年增長不明顯。

2024 上半年剛剛過去，從行業(yè)的發(fā)展情況來看，與 2023 年末的預(yù)判基本一致，只是市場還有些振蕩，更像是一個過渡期，下半年，全球整體市場需求回升會更明顯，芯片銷售的整體增長，將帶動各晶圓廠產(chǎn)能利用率提升。

晶圓代工和存儲芯片拔頭籌

從目前的發(fā)展情況來看，在全球芯片制造業(yè)各板塊當中，晶圓代工和存儲芯片的回暖跡象最明顯，也最具代表性。

首先看晶圓代工

摩根大通（小摩）證券的晶圓代工產(chǎn)業(yè)報告指出，晶圓代工去庫存將結(jié)束。小摩臺灣區(qū)研究部主管 Gokul Hariharan 分析，第一季度已到谷底，由于 AI 需求持續(xù)上升，非 AI 需求也逐漸恢復(fù)，急單也開始出現(xiàn)，大尺寸面板驅(qū)動 IC（LDDIC）、電源管理 IC（PMIC）、WiFi 5 和 WiFi 6 芯片等需求升溫，顯示出晶圓代工業(yè)開始轉(zhuǎn)向復(fù)蘇。

非 AI 需求方面，消費、通信、計算等垂直市場在今年第一季度觸底，不過，汽車、工業(yè)需求可能要等到 2024 年底、2025 年初才能恢復(fù)。

值得注意的是，中國大陸晶圓代工廠產(chǎn)能利用率恢復(fù)速度很快，這主要是因為本土 IC 設(shè)計公司較早開始調(diào)整庫存，庫存正逐漸正?；?/span>

不過，SEMI 坦言，目前，晶圓代工廠產(chǎn)能利用率仍偏低，特別是成熟制程，2024 上半年沒有復(fù)蘇的跡象。

晶圓廠資本支出與產(chǎn)能利用率高度相關(guān)，總體來看，2023 年第四季度支出年減 17%，2024 年第一季度也下滑了 11%，預(yù)計第二季度將重返增長軌道，但也只是微增 0.7%。預(yù)計與存儲器相關(guān)的資本支出將增長 8%，幅度高于非存儲器領(lǐng)域。

下面看一下存儲芯片

據(jù) TrendForce 統(tǒng)計，在剛剛過去的第二季度，存儲器供應(yīng)商及買方的庫存水平?jīng)]有顯著變化，第三季度，智能手機和 CSP 廠商仍有補庫存的空間，且將進入生產(chǎn)旺季。預(yù)計智能手機和服務(wù)器將帶動存儲器出貨量進一步增加。

第三季度，通用型服務(wù)器需求復(fù)蘇，加上內(nèi)存供應(yīng)商進一步拉高 HBM 的生產(chǎn)比重，預(yù)估 PC DRAM 價格將延續(xù)漲勢，均價季增 3%-8%。通用型服務(wù)器受惠于旺季備貨需求，使得 DDR5 合約價漲幅上調(diào)至 8%-13%。

NAND Flash 方面，第三季度，企業(yè)會持續(xù)投資服務(wù)器建設(shè)，SSD 受惠于 AI 應(yīng)用擴張，相關(guān)訂單將繼續(xù)增長。不過，消費類電子市場需求持續(xù)低迷，加上原廠下半年增產(chǎn)積極，預(yù)計 NAND Flash 供過于求的比例將上升至 2.3%，NAND Flash 均價漲幅將收斂至季增 5%-10%。

綜觀 NAND Flash 今年價格走勢，由于原廠上半年控制增產(chǎn)，使價格加速反彈，但隨著各大廠商下半年開始擴產(chǎn)，但零售市場還未復(fù)蘇，wafer 現(xiàn)貨價將下跌。

以上說的都是數(shù)字、邏輯芯片，相比而言，模擬芯片的市場行情就差很多了，這主要是工業(yè)和汽車應(yīng)用市場惹的禍，如前文所述，恐怕要到今年底才能復(fù)蘇。模擬芯片龍頭企業(yè)德州儀器（Texas Instruments）的業(yè)績可以從一個側(cè)面反映出這一市場狀況。

2024 年第一季度，德州儀器營收年減 16%（季減 10%）至 36.61 億美元，營益年減 34%。德州儀器擁有芯片業(yè)最長的客戶名單和最多樣化的產(chǎn)品類別，使其成為整個模擬芯片產(chǎn)業(yè)的晴雨表。

為 2025 做準備，各大晶圓廠提升資本支出

目前來看，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進入新的上行周期，各大晶圓廠終于等來了新的增長窗口期，開始增加資本支出、擴充產(chǎn)能，典型代表是臺積電、三星、SK 海力士、美光，以及中芯國際和華虹半導(dǎo)體。

因持續(xù)加碼 2nm 等最先進制程研發(fā)和生產(chǎn)，臺積電表示，2025 年資本支出將達到 320 億~360 億美元（2024 年為 280 億~320 億美元），為歷年次高，年增 12.5%~14.3%。

據(jù)悉，客戶對臺積電 2nm 制程產(chǎn)能的需求超乎預(yù)期的強勁，除了蘋果先前率先包下臺積電 2nm 首批產(chǎn)能，非蘋應(yīng)用客戶也因 AI 蓬勃發(fā)展而積極規(guī)劃采用。因此，臺積電持續(xù)推進 2025 年 2nm 量產(chǎn)目標，先前，寶山第一廠的 2nm 產(chǎn)線在 2024 年 4 月搬入設(shè)備，寶山第二廠也在跟進，高雄廠規(guī)劃擴充 2nm 產(chǎn)能，最快 2025 年第三季度搬入相關(guān)設(shè)備，南科也將加入生產(chǎn)，將從 2025 年底至 2026 年持續(xù)擴充相關(guān)產(chǎn)能。

韓國兩強三星和 SK 海力士也在籌集資金，準備在 2025 年大幅擴產(chǎn)。

7 月 1 日，據(jù)韓國經(jīng)濟日報披露，三星電子和 SK 海力士正考慮向韓國產(chǎn)業(yè)銀行提出貸款申請，以進一步推動其業(yè)務(wù)擴張。據(jù)報道，三星電子計劃申請的貸款額度高達 5 萬億韓元，SK 海力士則瞄準了 3 萬億韓元，折合人民幣分別為 263.8 億元和 158.28 億元。

據(jù)悉，SK 海力士此次貸款的主要目的是填補其龐大的投資規(guī)劃與現(xiàn)有資金儲備之間的差距。該公司計劃在京畿道龍仁半導(dǎo)體集群進行超過 120 萬億韓元的巨額投資，并在美國印第安納州投入 40 億美元建設(shè) AI 服務(wù)器存儲芯片封裝廠。然而，其一季度末的現(xiàn)金儲備僅為 8.2 萬億韓元。

SK 海力士將于 2025 年 3 月開始建設(shè)其名為龍仁半導(dǎo)體集群的大型晶圓廠綜合體，該綜合體包括 4 個獨立的晶圓廠，一旦完工，它可能會成為世界上最大的晶圓廠綜合體。

美光公司在 2024 財年的資本支出計劃約為 80 億美元，在 2024 財年第四季度，該公司將花費約 30 億美元用于晶圓廠建設(shè)、新的晶圓廠設(shè)備，以及各種擴建和升級。

2025 財年，美光計劃大幅增加資本支出，目標是營收的 30% 左右，共約 120 億美元，以支持各種技術(shù)和設(shè)施的更新，該公司大幅增加的 2025 財年支出，將用于在愛達荷州和紐約州建設(shè)新晶圓廠，同時，資助高帶寬內(nèi)存（HBM）的組裝和測試，以及制造和后端設(shè)施的建設(shè)，還包括對技術(shù)轉(zhuǎn)型的投資。

美光晚于三星和 SK 海力士使用 EUV 技術(shù)，為了在 2025 年實現(xiàn) EUV DRAM 的量產(chǎn)，增加投資也是必要的。

美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra 表示，雖然美光在 EUV 光刻設(shè)備的使用上稍微落后，但是，使用 EUV 的 1γ制程工藝 DRAM 芯片試產(chǎn)進展順利，有望在 2025 年實現(xiàn)量產(chǎn)。

美光對 1γ制程 DRAM 寄予厚望，希望能制造出業(yè)內(nèi)便宜且更節(jié)能的存儲芯片。目前，相關(guān)試產(chǎn)工作正在美光位于日本廣島的工廠中進行，作為試產(chǎn)計劃的一部分，首批采用 1γ制程的 DRAM 也會在這里制造。

英特爾計劃 2024 年將資本支出提高 2%，達到 262 億美元，該公司將增加代工客戶和內(nèi)部產(chǎn)品的產(chǎn)能。

下面看一下中國大陸晶圓代工雙雄的表現(xiàn)

2024 年第一季度，中芯國際銷售收入為 17.5 億美元，環(huán)比增長 4.3%，同比增長 19.7%，月產(chǎn)能由 2023 年第四季度的 80.55 萬片 8 英寸晶圓約當量增加至 81.45 萬片，產(chǎn)能利用率提升至 80.8%。該季度內(nèi)，中芯國際資本支出 158.73 億元，上季度為 167.08 億元。展望第二季度，中芯國際計劃資本支出持平。

2024 年第一季度，華虹半導(dǎo)體的銷售收入為 4.60 億美元，相較于去年同期的 6.31 億美元有所下降，但與上一季度的 4.55 億美元相比，實現(xiàn)了 1% 的增長。華虹半導(dǎo)體歸屬于母公司股東的凈利潤為 3180 萬美元，同比下降了 79.1%。該公司將凈利潤下降歸因于平均銷售價格的下降。該季度內(nèi)，華虹半導(dǎo)體資本開支 3.026 億美元，上季度為 3.31 億美元。

總體來看，在未來一年左右時間內(nèi)，大廠，特別是以先進制程為主的資本支出普遍提升，而以成熟制程為主的晶圓廠資本支出變化不大。

半導(dǎo)體設(shè)備水漲船高

晶圓大廠資本支出增長，半導(dǎo)體設(shè)備是直接受益方。

SEMI 發(fā)布的預(yù)測數(shù)據(jù)顯示，2023 年，全球晶圓廠設(shè)備支出從 2022 年創(chuàng)紀錄的 980 億美元，同比下降 22%，至 760 億美元，2024 年，將同比增長 21%，至 920 億美元。

SEMI 數(shù)據(jù)顯示，中國臺灣 2024 年晶圓廠設(shè)備支出將達 249 億美元，繼續(xù)位居全球之冠，韓國次之，約 210 億美元。中國大陸約 160 億美元，與 2023 年相當，居全球第三。預(yù)計美洲仍將是第四大支出地區(qū)，2024 年投資額將達到創(chuàng)紀錄的 110 億美元，同比增長 23.9%，歐洲和中東地區(qū)的投資也將創(chuàng)紀錄，有望增長 36%，達到 82 億美元。2024 年，日本和東南亞的晶圓廠設(shè)備支出預(yù)計將分別增至 70 億美元和 30 億美元。

在所有半導(dǎo)體設(shè)備中，最為引人關(guān)注的依然是 EUV 光刻機。

供應(yīng)鏈指出，ASML 對 2025 年度的產(chǎn)能規(guī)劃是：EUV 設(shè)備 90 臺，DUV 600 臺，High-NA EUV 20 臺。

在產(chǎn)能持續(xù)擴充的情況下，ASML 在 2025 年交付的數(shù)量有望比原計劃增加 30%。供應(yīng)鏈廠商透露，EUV 設(shè)備供應(yīng)持續(xù)緊張，交期長達 16~20 個月，2024 年訂單大部分要等到 2026 年才能交付。

據(jù)悉，今年臺積電 EUV 訂單達 30 臺，2025 年 35 臺。

臺積電先進制程產(chǎn)能逐漸釋放出來，以 3nm 臺南廠為例，第三季度將進入量產(chǎn)階段，2025 年，P8 廠也會有 EUV 設(shè)備陸續(xù)導(dǎo)入，新竹寶山 2nm 產(chǎn)線持續(xù) 3 年拉貨 EUV，高雄 2nm 產(chǎn)線也在同步進行。

據(jù)悉，臺積電美國 P1A 工程追加款項有望在今年第三季度到位，且該廠區(qū)已進入建設(shè)尾聲，加上臺積電在島內(nèi)外其它廠區(qū)的建設(shè)需求，如新竹寶山、日本熊本、高雄楠梓及封測廠等，對半導(dǎo)體設(shè)備需求量很可觀。

結(jié)語

2024 年，各大晶圓廠已經(jīng)開始加大資本支出，但也只是預(yù)熱，真正的高潮要到 2025 年才會到來。因此，2024 年是過渡期，短期內(nèi)難以看到特別明顯的影響出現(xiàn)，要等到 2025 年之后才會發(fā)生。

在 2023 年全球半導(dǎo)體市場下跌 8.2% 之后，許多公司對 2024 年的資本支出持謹慎態(tài)度。據(jù) Semiconductor Intelligence 統(tǒng)計，2023 年，全球半導(dǎo)體總資本支出為 1690 億美元，比 2022 年下降 7%，預(yù)計 2024 年的資本支出依然是負增長，將下降 2%。

由于模擬芯片和成熟制程晶圓代工占有非常大的市場份額，而這兩個板塊的市場行情依然低迷，相關(guān)廠商在 2024 年難以擴大資本支出。例如，格芯預(yù)計 2024 年的資本支出將削減 61%，意法半導(dǎo)體將削減 39% 的資本支出，而英飛凌將削減 3%。這在很大程度上削弱了全行業(yè)的資本支出水平。