誰是下一個晶圓代工“最強王者”？

近日，臺積電在年度技術論壇北美場發(fā)布埃米級A16先進制程，2026年量產，不僅較競爭對手英特爾Intel 14A，以及三星SF14都是2027年量產早，且臺積電強調A16還不需用到High-NA EUV，成本更具競爭力，市場樂觀看待臺積電進入埃米時代第一戰(zhàn)有豐碩戰(zhàn)果。

臺積電A16量產時間與成本或將領先競爭對手

根據臺積電表示，A16先進制程將結合超級電軌（Super PowerRail）與納米片晶體管，2026年量產。超級電軌將供電網絡移到晶圓背面，晶圓正面釋出更多訊號網絡空間，提升邏輯密度和效能，適用復雜訊號布線及密集供電網絡的高效能運算（HPC）產品。

相較臺積電N2P制程，A16相同Vdd（工作電壓）下，速度增加8%~10%，相同速度功耗降低15%~20%，芯片密度提升高達1.1倍，支援數據中心產品。

另外，因為AI芯片公司迫切希望最佳化設計，以發(fā)揮臺積電制程全部性能，因此，臺積電也認為不需用到阿斯麥（ASML）最新高數值孔徑（High-NA）EUV來生產A16制程芯片。此外，臺積電還展示2026年啟用的超級電軌供電，從芯片背面供電，可以幫助AI芯片加速運行。

英特爾Intel 14A延續(xù)“四年五節(jié)點”布局

今年2月，英特爾公布“四年五節(jié)點”后Intel 14A制程，導入High-NA EUV生產后，Intel 14A會比Intel 18A能耗效率提升15%，晶體管密度會提升20%。強化版Intel 14A-E也會在Intel 14A基礎上提升5%能耗。照計劃，Intel 14A最快2026年量產，Intel 14A-E要到2027年。

而近日，英特爾也宣布完成業(yè)界首臺商用高數值孔徑極紫外光刻機設備（High NA EUV）組裝。由光刻技術大廠阿斯麥TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV光刻設備，開始多項校準，2027年啟用、生產Intel 14A制程。英特爾強調，當High-NA EUV光刻設備與自家晶圓代工服務的其他領先制程技術相結合時，打印尺寸比現有EUV機臺縮小1.7倍，因2D尺寸縮小，密度提高2.9倍，協助英特爾推展制程藍圖。

三星SF1.4增加納米片，改善性能與功耗

相對于臺積電與英特爾，媒體報導，三星兩年前在Samsung Foundry Forum 2022就層公布先進制程藍圖，埃米級SF1.4（1.4納米）2027年量產。三星高層透露，正在開發(fā)SF1.4納米片量從三個增至四個，有望改善性能和功耗。

三星2022年6月宣布量產SF3E（3納米GAA）后，導入全新GAA（Gate-All-Around）架構，今年公布SF3（3納米GAP）第二代3納米制程，使用第二代多橋通道場效應晶體管（MBCFET），原有SF3E基礎上性能最佳化，還有性能增強型SF3P（3GAP+），適合制造高性能芯片。到2025年，三星會大規(guī)模量產SF2（2納米）制程，2027年量產SF1.4（1.4納米）制程。

三星希望增加每個晶體管納米片數量，強化驅動電流、提高性能，更多納米片允許更高電流通過晶體管，增強開關能力和操作速度。更多納米片也更能控制電流，有助減少漏電，降低功耗。改善電流控制，代表晶體管產生更少熱量。