新一代化合物半導(dǎo)體有望在2027年大規(guī)模生產(chǎn)?
2月20日,據(jù)日刊工業(yè)新聞報(bào)道,電子元器件廠(chǎng)商Qualtec將于2027年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)超寬帶隙半導(dǎo)體材料二氧化鍺 (GeO2) 晶圓。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/202402/455808.htm據(jù)了解,GeO2被認(rèn)為是下一代功率半導(dǎo)體,并且是使用即將普及的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的下一代化合物半導(dǎo)體的候選者。與SiC相比,GeO2制成的功率半導(dǎo)體在高電壓和高輸出范圍內(nèi)表現(xiàn)出良好性能的潛力。
目前,該公司正在與主要開(kāi)發(fā)商Patentix合作,以盡快將其推向市場(chǎng)。
Qualtec計(jì)劃在2027年之前提供用于設(shè)備原型開(kāi)發(fā)的2英寸外延晶圓樣品。與此同時(shí),該公司還將努力把用于大規(guī)模生產(chǎn)的襯底直徑增加到4-6英寸。通過(guò)利用Patentix的研究成果,讓GeO2晶圓直徑增大的同時(shí),也有望實(shí)現(xiàn)缺陷更少且低成本的薄膜沉積。
值得一提的是,2023年12月,Qualtech向立命館大學(xué)創(chuàng)業(yè)公司Patentix投資5000萬(wàn)日元(折合人民幣約239萬(wàn)元),結(jié)成資本與業(yè)務(wù)聯(lián)盟。8月,該公司在草津市開(kāi)設(shè)實(shí)驗(yàn)室,以支持Patentix的研發(fā),并正在考慮GeO2外延片的制造。由GeO2晶圓制成的器件預(yù)計(jì)將應(yīng)用于電源、電機(jī)和逆變器上。
目前,參與以Patentix為中心的“琵琶湖半導(dǎo)體計(jì)劃”的公司數(shù)量正在不斷增加,該計(jì)劃目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)GeO2功率半導(dǎo)體的商業(yè)化。Qualtech將加速開(kāi)發(fā)GeO2外延片量產(chǎn)技術(shù)并推進(jìn)其實(shí)際應(yīng)用。
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