根據合肥安賽思半導體有限公司(以下簡稱:安賽思)官方消息,5月18日,安賽思與新加坡三福半導體科技有限公司(以下簡稱:三福半導體)簽署戰(zhàn)略合作備忘錄儀式暨安徽大學與三福半導體聯合實驗室揭牌儀式正式舉行。據介紹,安賽思是一家致力于研發(fā)新一代半導體功率器件智能驅動技術及衍生產品的高新技術企業(yè),目前已成功開發(fā)了IGBT和SiC智能驅動模塊以及工業(yè)電力電子變換器、電力電子繼電器等產品,應用領域涵蓋電動汽車、智能制造、機電設備和航空航天等。三福半導體聚焦集成電路設計、制造和封裝測試,致力于先進技術研發(fā)、成果轉移轉化
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碳化硅 化合物半導體
作為第三代半導體兩大代表材料,SiC產業(yè)正在火熱發(fā)展,頻頻傳出各類利好消息;GaN產業(yè)熱度也正在持續(xù)上漲中,圍繞新品新技術、融資并購合作、項目建設等動作,不時有新動態(tài)披露。在關注度較高的擴產項目方面,上個月,能華半導體張家港制造中心(二期)項目在張家港經開區(qū)再制造基地正式開工建設。據悉,能華半導體張家港制造中心(二期)項目總投資6000萬元,總建筑面積約10000平方米,將新建GaN外延片產線。項目投產后,將形成月產15000片6英寸GaN外延片的生產能力。而在近日,又有一個GaN外延片項目取得新進展。5
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碳化硅 氮化鎵 化合物半導體
2月20日,據日刊工業(yè)新聞報道,電子元器件廠商Qualtec將于2027年開始大規(guī)模生產超寬帶隙半導體材料二氧化鍺 (GeO2) 晶圓。據了解,GeO2被認為是下一代功率半導體,并且是使用即將普及的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的下一代化合物半導體的候選者。與SiC相比,GeO2制成的功率半導體在高電壓和高輸出范圍內表現出良好性能的潛力。目前,該公司正在與主要開發(fā)商Patentix合作,以盡快將其推向市場。Qualtec計劃在2027年之前提供用于設備原型開發(fā)的2英寸外延晶圓樣品。與此同時,該公司還將
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化合物半導體
圖 筑波科技華南區(qū)銷售總監(jiān)黃博彥Fred Huang、ETS動態(tài)測試方案筑波科技(ACE Solution)與美商泰瑞達(Teradyne)攜手合作,推出ETS GaN Mos、Power Module、IGBT測試整合方案,為半導體行業(yè)市場帶來突破性的競爭優(yōu)勢。半導體功能測試(FT)向來需要克服各種挑戰(zhàn),包括復雜的案例設計、執(zhí)行和系統(tǒng)維護、數據分析管理,以及對測試環(huán)境穩(wěn)定性的高度要求。如何以單一機臺實現CP與FT測試的一機多用,實現DUT批次特性驗證,產線大批量生產並兼顧「動態(tài)和靜態(tài)」測試,成為了業(yè)界關
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筑波 泰瑞達 ETS 化合物半導體 動態(tài)測試
6月28-29日,“功率及化合物半導體國際論壇2020”于SEMICON China 2020同期在上海浦東嘉里酒店成功舉辦。此次論壇重點討論的主題包括:寬頻帶隙功率電子學、光電子學、通信中的復合半導體和新興功率器件技術。SEMI中國區(qū)總裁居龍先生出席會議致辭。他表示歡迎來參加SEMICON China,這屆展會舉辦著實不易,這是一個堅持,舉辦過程中排除萬難曲曲折折。功率化合物半導體這個市場成長非??焖?,可以預見今后幾年市場將繼續(xù)爆發(fā),尤其5G時代來臨,還有汽車電子對于功率方面的需求,“我想這是一個重大的
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SEMICON China 化合物半導體
化合物半導體介紹
compound semiconductor
通常所說的化合物半導體多指晶態(tài)無機化合物半導體,即是指由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成的化合物,并具有確定的禁帶寬度和能帶結構等半導體性質。包括晶態(tài)無機化合物(如III-V族、II-VI族化合物半導體)及其固溶體、非晶態(tài)無機化合物(如玻璃半導體)、有機化合物(如有機半導體)和氧化物半導體等。通常所說的化合物半導體多指晶態(tài)無機化合物半 [
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