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東芝推出新一代DTMOSVI高速二極管型功率MOSFET

—— 助力提高電源效率
作者: 時間:2024-02-22 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

中國上海,2024222——電子元件及存儲裝置株式會社()今日宣布,在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出功率MOSFET——DTMOSVIHSD),該系列適用于包括數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等應(yīng)用的開關(guān)電源。首批采用TO-247封裝的兩款650 V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”,于今日開始支持批量出貨。 

本文引用地址:http://2s4d.com/article/202402/455614.htm

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新產(chǎn)品采用高速二極管,旨在改善橋式電路和逆變電路應(yīng)用中至關(guān)重要的反向恢復(fù)[2]特性。與標(biāo)準(zhǔn)型DTMOSVI相比,新產(chǎn)品將反向恢復(fù)時間(trr)縮短了65 %,并將反向恢復(fù)電荷(Qrr)減少88 %(測試條件:-dIDR/dt100 A/μs)。

 

新產(chǎn)品采用的DTMOSVIHSD)工藝改善了DTMOSIV系列(DTMOSIVHSD))的反向恢復(fù)特性,并在高溫下具有更低的漏極截止電流。此外,新產(chǎn)品的品質(zhì)因數(shù)“漏極-源極導(dǎo)通電阻×柵極-漏極電荷”也更低。相較于東芝現(xiàn)有的TK62N60W5[4] [5]器件,TK042N65Z5的高溫漏極截止電流降低了約90 %[3],漏極-源極導(dǎo)通電阻×柵極-源極電荷降低了72 %。這將一進(jìn)步將降低功率損耗,有助于提高產(chǎn)品效率。在1.5 kW LLC電路[6]測試中,與使用TK62N60W5相比,使用TK042N65Z5可使電源效率提高約為0.4 %

 

即日起,客戶可在東芝網(wǎng)站上獲取使用TK095N65Z5的參考設(shè)計“1.6 kW服務(wù)器電源(升級版)”。此外,東芝還提供支持開關(guān)電源電路設(shè)計的相關(guān)工具。除能夠迅速驗證電路功能的G0 SPICE模型外,現(xiàn)在還提供能夠準(zhǔn)確地再現(xiàn)電路瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。

 

東芝計劃在未來擴(kuò)展DTMOSVIHSD)的產(chǎn)品線。新器件將采用TO-220TO-220SIS通孔型封裝,以及TOLLDFN 8í8表貼型封裝。

 

此外,在已推出的650 V600 V產(chǎn)品以及新的產(chǎn)品基礎(chǔ)上,東芝還將繼續(xù)擴(kuò)展DTMOSVI系列的產(chǎn)品線,以提高開關(guān)電源的效率,為設(shè)備節(jié)能做出貢獻(xiàn)。 

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標(biāo)準(zhǔn)型和650 V功率MOSFETQrr比較 

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TK095N65Z5TK35N65W5IDSS150 °C×trr比較 

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TK042N65Z5TK62N60W5RDS(ON)×Qgd比較 

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TK042N65Z5TK62N60W5的效率比較

 

使用新產(chǎn)品的參考設(shè)計1.6 kW服務(wù)器電源(升級版)

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電路板外觀 

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簡易方框圖

 

?應(yīng)用

工業(yè)設(shè)備

- 開關(guān)電源(數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、通信設(shè)備等)

- 電動汽車充電站

- 光伏發(fā)電機(jī)組的功率調(diào)節(jié)器

- 不間斷電源系統(tǒng)

 

?點:

- 新一代DTMOSVI系列高速二極管型產(chǎn)品

- 高速二極管型產(chǎn)品的反向恢復(fù)時間:

TK042N65Z5 trr160 ns(典型值)

TK095N65Z5 trr115 ns(典型值)

- 通過低柵漏電荷實現(xiàn)高速開關(guān)時間:

TK042N65Z5 Qgd35 nC(典型值)

TK095N65Z5 Qgd17 nC(典型值)


?主要規(guī)格

(除非另有說明,Ta25 °C

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注:

[1] 截至2024222日的東芝調(diào)查。

[2] MOSFET體二極管從正向偏置切換到反向偏置的開關(guān)動作

[3] 數(shù)值由東芝測量得出:

- 新產(chǎn)品TK042N65Z50.2 mA(測試條件:VDS650 VVGS0 V、Ta150 °C

- 現(xiàn)有產(chǎn)品TK62N60W51.9 mA(測試條件:VDS600 V、VGS0 VTa150 °C

[4] 600 V DTMOSIVHSD)系列

[5] 數(shù)值由東芝測量得出。

測試條件:

- TK62N60W5

RDS(ON)ID30.9 AVGS10 V、Ta25 °C

QgdVDD400 VVGS10 V、ID61.8 A、Ta25 °C

- TK042N65Z5

RDS(ON)ID27.5 A、VGS10 V、Ta25 °C

QgdVDD400 VVGS10 V、ID55 A、Ta25 °C

[6] 數(shù)值由東芝測量得出。

測試條件:Vin380 V、Vout54 VTa25 °C

[7] VDSS600 V

 

*本文提及的公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。

*本文檔中的產(chǎn)品價格和規(guī)格、服務(wù)內(nèi)容和聯(lián)系方式等信息,在公告之日仍為最新信息,但如有變更,恕不另行通知。




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