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DC-DC在車載產(chǎn)品應(yīng)用中如何避免沖擊電壓的產(chǎn)生

作者:林生念(廈門美時美克空氣凈化有限公司,廈門 361106) 時間:2023-06-02 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
編者按:由于電子設(shè)備功能越來越復(fù)雜,在滿足產(chǎn)品電源功率需求的同時又要兼顧產(chǎn)品壽命及可靠性,使得設(shè)計人員在電子產(chǎn)品模塊電源設(shè)計中,更加熱衷于選擇輸出效率高的DC-DC。然而在DC-DC輸入電壓較為不穩(wěn)定的應(yīng)用環(huán)境中特別在車載產(chǎn)品上,如果不對DC-DC的輸入電壓、外圍參數(shù)、負(fù)載進行有效的評估,則容易使得DC-DC的瞬態(tài)輸出電壓產(chǎn)生沖擊,從而造成后端用電設(shè)備的損壞。

本人在車載多媒體收音機設(shè)計中,使用了MITSUMI公司推出的MM3630XV,為iPhone、iPad 及其余移動設(shè)備的在乘用車上的充電電源或者U 盤及移動硬盤等移動存儲設(shè)備供電,該輸出電源規(guī)格為: 輸出電壓(+5±5%)V,以USB 接口方式輸出(最大2.5 A)。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/202306/447255.htm

1 應(yīng)用初期電路設(shè)計

+5 V 輸出電源系統(tǒng)框圖見圖1、應(yīng)用電路見圖2,MM3630XV 管腳定義見表1。

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圖1

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圖2

表1

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1.1 供電系統(tǒng)說明

由車載電池KL30 經(jīng)過一定的濾波處理后連接芯片的Pin18、19,作為 MM3630XV 的,經(jīng)過3 顆1% 精度的反饋電阻R354=10 k、R355=1.8 k、R356 = 2.2k 的分壓產(chǎn)生FB 反饋信號設(shè)定最大帶載2.5 A 的+5 V 的輸出電壓(見圖3、圖4),最終通過USB 接口輸出給外部設(shè)備進行車上充電或者U 盤等移動存儲設(shè)備提供+5 V 供電。

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圖3

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圖4

1.2 驗證過程中出現(xiàn)的問題點

在汽車點火啟動過程中,出現(xiàn)一定概率U 盤損壞的嚴(yán)重問題。

1.3 波形分析

在汽車點火啟動過程,電池輸出電壓即MM3630XV 的在短時間內(nèi)快速發(fā)生高低波動(見圖7 及表2),于此同時,MM3630XV 的輸出電壓產(chǎn)生了11 V 的瞬態(tài)電壓(見圖6)。

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圖6

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圖7

表2 參數(shù)和規(guī)格對照表

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1.4 原因分析

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1.4.1 MM3630XV內(nèi)部框圖及說明

在圖8 的是依托中,1 為輸出電容,2 為BS-SW電壓檢測回路,3 是MM3630XV IC 外部泄放電阻,4是MM3630XV IC 內(nèi)部泄放電阻,5 是Soft start 回路,6 是Hide-Side FET。

1.4.2 正常啟動時序圖

1)正常啟動時序說明

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1.4.3 產(chǎn)生的異常啟動時序圖

1)異常啟動時序說明

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圖8

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圖9 正常啟動的時序圖

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圖10 產(chǎn)生的異常啟動時序圖

1.4.4 沖擊發(fā)生的詳細(xì)機理

1)BS-SW 引腳間電壓檢測

IC 內(nèi)置有BS-SW 間電壓檢測回路。當(dāng)BS-SW 間電壓> 4 V,High-side FET 管打開,對SW進行升壓,保證Vout 輸出。

2)電壓反饋

作為ERROR AMP 回路的輸入引腳,F(xiàn)B 反饋電壓跟蹤 SS 電壓(VREF ≦ 0.8 V 典型值),當(dāng)FB 電壓同步跟隨SS電壓一起達(dá)到0.8 V 時,此時如果High-Side FET 導(dǎo)通則輸出Vout = 5 V。出現(xiàn)輸出產(chǎn)生沖擊電壓的條件是:當(dāng)SS 電壓>FB 電壓,重新啟動后FB 電壓還在放電至0.16 V 的過程中,當(dāng)FB 放電完成后會快速跟隨SS 電壓上升,導(dǎo)致輸出出現(xiàn)過電壓狀態(tài)。( 詳見1.6.3 異常時序)

綜上MM3630XV 的輸出產(chǎn)生高電壓電平需同時滿足下記兩個條件:

1)VSS >> VFB;( 此條件可以理解成,當(dāng)VSS 已經(jīng)達(dá)到0.8 V 時,VFB 還在放電或者剛放電至0.16 V);

2)(VBS-VSW) > 4 V。

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圖11

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圖12

1.5 對策分析

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圖13

1.5.1 VFB的放電過程及VSS的充電過程分析

1)放電電容

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圖14

2)VFB的IC外部放電電阻

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圖15

3)內(nèi)部放電電阻

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圖16

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4)軟啟動時間

軟啟動時間如應(yīng)用指南所示,是由軟啟動充電電流和SS-GND 引腳間電容決定的,各自的精度如圖17所示。

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圖17

2 小結(jié)

參數(shù)偏差整理結(jié)果歸納如圖18 所示。

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圖18

其中:

1)①③④影響Vout 放電時間的參數(shù);

2)②影響開關(guān)起點的參數(shù)(High-side FET);

3)⑤影響Vss 電壓啟動時間參數(shù).

2.1 計算輸出放電時間

輸出放電時間可用輸出電容、放電電阻、開關(guān)起點(電壓) 計算出來。

( 放電時間) = ( 輸出電容)×( 放電電阻)×ln (VOUT/開關(guān)啟動電壓) 例:VOUT=5 V、開關(guān)啟動電壓= 1 V 時

ln (VOUT/開關(guān)啟動電壓) = ln (5 V/1 V) = ln5

由于1.5.1 中第2 部分的RFB電阻阻值遠(yuǎn)大于1.5.1中第3 部分的IC 內(nèi)部放電電阻,所以可以忽略CE=L階段的放電時間,直接按照上述公式計算Vout的放電時間,即得圖19 的結(jié)果。所以Vout放電至0.16 V最長時間TFB為29ms。

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圖19

2.2 計算軟啟動時間

軟啟動時間20% 的時間TSS,即從啟動到0.16 V 的時間。(0.16 V/0.8 V = 20%)

Css=0.015 μF, Tss=Css *U/I 得出結(jié)果如圖20。

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圖20

可見此時TSSmin(= 0.5 ms)<<TFB(= 29 ms), 在CE由H→ L→H 的快速變化過程中,會導(dǎo)致沖擊電壓的產(chǎn)生。

3 對策

Css 從0.015 μF調(diào)整為1 μF后再計算,可得圖21 的結(jié)果。

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圖20

TSSmin(= 30 ms)> TFB(= 29 ms)

3.1 軟啟動電容調(diào)節(jié)后實機驗證

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圖22

4 結(jié)束語

通過調(diào)整Css電容,延長了Vss的充電時間,規(guī)避了在IC再啟動過程中產(chǎn)生沖擊的必要條件:VSS>>VFB,從而有效的抑制了沖擊產(chǎn)生。

通過該案例的啟示,研發(fā)人員在DC-DC 應(yīng)用過程中,需充分考慮使用條件,特別是在供電系統(tǒng)易產(chǎn)生波動的環(huán)境中,要對Soft start 電容及Vout 泄放電阻的阻值及放電時間進行合理的理論計算,對上電、掉電時序進行充分的驗證,才能避免類似的沖擊產(chǎn)生,保證產(chǎn)品設(shè)計的可靠性。

參考文獻:

[1] 任艷頻.DC-DC變換電路原理及應(yīng)用入門[M].北京:清華大學(xué)出版社.

[2] 曲學(xué)基,曲敬鎧,于明揚.電力電子元器件應(yīng)用手冊[M].北京:電子工業(yè)出版社.

(本文來源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2023年5月期)



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