半導(dǎo)體巨頭押注先進(jìn)封裝！

2022年12月，三星電子成立了先進(jìn)封裝（AVP）部門，負(fù)責(zé)封裝技術(shù)和產(chǎn)品開發(fā)，目標(biāo)是用先進(jìn)的封裝技術(shù)超越半導(dǎo)體的極限。而根據(jù)韓媒BusinessKorea最新報(bào)導(dǎo)，三星AVP業(yè)務(wù)副總裁暨團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Kang Moon-soo近日指出，三星將藉由AVP業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)，創(chuàng)造現(xiàn)在世界上不存在的產(chǎn)品。

報(bào)導(dǎo)指出，最先進(jìn)的封裝技術(shù)可藉由水平和垂直的方式，連接多個(gè)異質(zhì)整合技術(shù)的半導(dǎo)體，使更多的電晶體能夠整合到更小的半導(dǎo)體封裝中，這方式提供了超越原有性能的強(qiáng)大功能。

對(duì)此，Kang Moon-soo指出，三星電子是世界上唯一一家從事存儲(chǔ)器、邏輯芯片代工和封裝業(yè)務(wù)的公司。因此，利用這些優(yōu)勢(shì)，三星將提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的封裝產(chǎn)品，連接高性能存儲(chǔ)器，例如通過(guò)異質(zhì)整合技術(shù)，并經(jīng)由EUV制造技術(shù)生產(chǎn)最先進(jìn)的邏輯半導(dǎo)體和高頻寬存儲(chǔ)器（HBM）。

Kang Moon-soo進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)，三星將專注于開發(fā)基于再分布層（RDL）、硅中介層/橋和硅通孔（TSV）堆疊技術(shù)的下一代2.5D和3D先進(jìn)封裝解決方案。

2021年到2027年，先進(jìn)封裝市場(chǎng)有望實(shí)現(xiàn)9.6%的高復(fù)合年增率。其中，采用異質(zhì)整合技術(shù)的2.5D和3D封裝市場(chǎng)預(yù)計(jì)年成長(zhǎng)率超過(guò)14%，比整個(gè)高科技封裝市場(chǎng)更大。

需要注意的是，半導(dǎo)體制造商正在開發(fā)一種新的融合封裝技術(shù)，以克服現(xiàn)有的技術(shù)限制。從2015年發(fā)布HBM2高頻寬存儲(chǔ)器問(wèn)世以來(lái)，三星電子先后在2018年和2020年實(shí)現(xiàn)了I-Cube（2.5D）及X-Cube（3D）等堆疊封裝技術(shù)的創(chuàng)新。

三星計(jì)劃，在2024年量產(chǎn)可處理比普通凸塊更多數(shù)據(jù)的X-Cube（u-Bump）封裝技術(shù)，并預(yù)計(jì)2026年推出比X-Cube(u-Bump)處理更多數(shù)據(jù)的無(wú)凸塊型封裝技術(shù)。