基于三相維也納架構,以STM32G474RET6設計的雙向15KW三相雙向充電樁電源方案
方案STDES-PFCBIDIR是一個15KW的三相維也納非隔離方案,可同時實現(xiàn)AC/DC和DC/AC的雙向轉換,非常適用于高功率充電樁,工業(yè)電池充電器,UPS等的前級應用。該方案直流電壓:800Vdc,交流電壓:400Vac@50Hz,功率15KW,效率高達99%,采用軟啟動,能有效抑制浪涌電流。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/202211/440571.htm整個方案由主功率回路,LCL濾波電路,傳感電路,浪涌保護電路,電網連接電路和輔助電源電路幾部分組成,MCU通過開關去控制與交流電網的斷開與連接,以及在整流或者逆變模式下的負載和電流的管理,ST STGAP2S是一個門級驅動芯片,由他輸出開關信號,分別控制相應的開關管,以確保開關頻率和死區(qū)時間的獨立管理。
該方案基于ST MCU STM32G474RET6實現(xiàn)控制,該芯片是ST新一代數字電源控制芯片,主頻高達170MHz,內核采用Arm Cortex-M4,支持浮點運算,數學加速器,高精度定時器,該定時器可以同時發(fā)出12路PWM任意波,精度高達184ps,同時該芯片集成4個OP,多路UART,I2C,DAC控制,實現(xiàn)實時過流和過壓保護。
為了更好的熟悉該控制芯片,搭建數字電源基本架構,ST還提供了B-G474E-DPOW1開發(fā)板,該開發(fā)板基于STM32G474RET6設計,提供了USB3.0,Type-C接口,全面的軟件Hal庫,各種軟件示例,可以幫助用戶設計數字電源原型應用。
如下圖所示,是三相維也納拓撲的主要電路,三相整流橋,該電路使用碳化硅MOS,是考慮到逆變功能,如果不需要逆變,可以使用碳化硅二極管在整流橋,碳化硅二極管相較于快恢二極管,耐壓,EMI以及抗浪涌沖擊能力都會更好;每相一個雙向開關由兩個碳化硅MOS組成,共用驅動信號,降低了控制和驅動的難度,相比其他的組合,具有效率高,器件數量少的優(yōu)點。
一般維也納的拓撲都采用數字控制,相對于模擬控制,控制靈活,可移植性強,以充電樁的PFC控制為例,簡單說明MCU控制原理:通過三個繼電器控制信號Relay_A,Relay_B,Relay_C來控制PFC電感的充放電。三相三電平PFC可以看作是三個單相的PFC,每個單相相當于由兩個Boost電路組成,在交流電壓的正負半周交替工作,以A相為例,驅動信號為高時,則開關管Q9導通(交流電壓的正半周)或者Q10導通(交流電壓的負半周);驅動信號為低時,開關管Q9和Q10都關斷。電壓正半周時,A相上橋臂MOS導通;電壓負半周時,A相下橋臂MOS導通。
這種控制電路一般采取雙環(huán)的控制方式,即電壓外環(huán)和電流內環(huán)。電壓外環(huán)得到穩(wěn)定的輸出直流電壓,供后級電路的使用,電流內環(huán)得到接近正弦的輸入電流,滿足THD和PF值的要求。
PFC控制方式如下圖所示:輸入電壓經過ADC采樣,在經過PLL計算得到實時電壓幅值和相位,再經過前饋函數,得到前饋占空比;反饋分成兩部分,一部分是輸出電壓的采樣,輸出電壓和給定電壓之間的壓差,經過PI運算實現(xiàn)電壓環(huán);另外一部分是電流,通過電壓環(huán)得到瞬時電流值,結合相位表,得到實時電流,該電流與主回路電流的差值,經過PI運算,得到反饋占空比,反饋占空比與前饋占空比相加得到實際的占空比,這樣就可以形成整個PFC控制回路。
?場景應用圖
?產品實體圖
?展示板照片
?方案方塊圖
?Demo:B-G474E-DPOW1
?核心技術優(yōu)勢
1. 三相維也納,可以實現(xiàn)AC/DC DC/AC雙相逆變,主要用于大功率充電樁等前級應用。
2. ST新一代數字電源控制芯片STM32G474,實現(xiàn)純數字控制,靈活配置。
3. 方案尺寸小,頻率高達100KHz。
4. 控制芯片可以輸出12路高精度PWM,頻率可以配置2-3級拓撲。
?方案規(guī)格
1. 三相三電平雙向AC/DC轉換。
2. AC交流電壓:380±10%Vac,DC直流電壓:800Vdc。
3. AC to DC模式:PF> 0.99,支持軟啟動,抑制浪涌電流。
4. 整機效率高達99%。
5. 主芯片采用ST新一代數字電源控制芯片STM32G474RET6,主頻170MHz,F(xiàn)lash 512K,LQFP64。
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