創(chuàng)新，引領(lǐng)未來(lái)

原子層沉積(ALD, Atomic Layer Deposition)工藝，是當(dāng)前及未來(lái)工藝節(jié)點(diǎn)相關(guān)的收縮及更復(fù)雜器件幾何形狀上沉積薄層材料的關(guān)鍵技術(shù)。如今，隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)以驚人的速度持續(xù)進(jìn)步，精確而又高效地生成關(guān)鍵器件特征成為了一項(xiàng)持久的挑戰(zhàn)。

原子層沉積工藝依靠專業(yè)的高性能原子層沉積閥在數(shù)百萬(wàn)個(gè)脈沖中輸送精確的化學(xué)品劑量，構(gòu)建形成材料層。為了達(dá)到原子級(jí)精密度和高生產(chǎn)良品率，輸送這些脈沖式化學(xué)品劑量的閥門必須日益精確且一致。世偉洛克一直致力于此，不斷刷新ALD閥使用壽命、響應(yīng)時(shí)間、高溫高流量應(yīng)用及一致性性能指標(biāo)的新高。

▲世偉洛克ALD系列閥門發(fā)展歷程▲

世偉洛克即將推出的ALD7超高純隔膜閥是ALD 技術(shù)的創(chuàng)新，通過(guò)改善流量一致性、提高流通能力、提升執(zhí)行機(jī)構(gòu)響應(yīng)速度和更高的溫度性能來(lái)提高芯片產(chǎn)量。

ALD7，為毫不妥協(xié)的精度而打造

ALD7提供了在超高循環(huán)壽命中，閥門與閥門之間、進(jìn)料與進(jìn)料之間及腔室與腔室之間的一致性能。

l  在 ALD 應(yīng)用中，ALD7 在數(shù)百萬(wàn)次的循環(huán)過(guò)程中提供精確的進(jìn)料

l  提升的執(zhí)行機(jī)構(gòu)技術(shù)使得閥門執(zhí)行比行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)更快，響應(yīng)時(shí)間低至5ms

l  執(zhí)行機(jī)構(gòu)可浸入 150°C，而閥體的額定溫度為 200°C，可在高溫和真空條件下，提供一致的流量

l  ALD7閥體由世偉洛克專有的超高純 316L VIM-VAR不銹鋼構(gòu)成，具備抵抗腐蝕性氣體的能力

ALD7，更高的性能，更少的返工

與業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)閥門相比，ALD7 提升了流通能力，但占用空間保持不變。其緊湊的設(shè)計(jì)，使半導(dǎo)體制造商能夠在不進(jìn)行重大工藝改變的情況下，提升原有設(shè)備的生產(chǎn)力。

l  ALD7 可提供高達(dá) 0.7 的流量系數(shù) (Cv) 并實(shí)現(xiàn)閥門與閥門之間精確、可重復(fù)的進(jìn)料

l  ALD7 保持了與現(xiàn)有世偉洛克 ALD 閥門相同的 1.5-inch占用空間

l  該閥門擁有一個(gè)集成式熱隔離器，縮短了閥門整體尺寸，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)者能夠盡可能地利用反應(yīng)腔室附近的有限空間

新款 ALD7超高純（UHP）隔膜閥能提供一致的、提升的性能，即使和我們的老款閥門相比也是如此。采用更高性能的ALD7閥門替換現(xiàn)有設(shè)備中的閥門，無(wú)需重新設(shè)計(jì)。ALD7閥門與其他世偉洛克 ALD 閥門的占用空間相同，并且緊湊的閥門設(shè)計(jì)使工藝設(shè)計(jì)者能夠盡可能地利用反應(yīng)腔室附近的有限空間。 

無(wú)論是集成到新設(shè)備還是現(xiàn)有設(shè)備中，ALD7 閥門都為半導(dǎo)體設(shè)備 OEM 提供了一種簡(jiǎn)單的方式，來(lái)提高芯片制造商的生產(chǎn)力，滿足全球?qū)π酒找嬖鲩L(zhǎng)的需求。它為制造商提供了在可變工藝條件下的一致性能，在不增加運(yùn)營(yíng)成本的情況下，盡可能地提高產(chǎn)量。 

如需了解更多ALD7超高純（UHP）閥門在半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中的優(yōu)勢(shì)，包括如何提高芯片生產(chǎn)良率，您可以聯(lián)系世偉洛克當(dāng)?shù)厥跈?quán)的銷售與服務(wù)中心。