如何用無橋圖騰柱功率因數(shù)校正控制器實現(xiàn)出色的AC-DC功率轉(zhuǎn)換效率

電網(wǎng)提供的電能是交流電，但我們使用的大多數(shù)設備都需要直流電，這意味著進行這種轉(zhuǎn)換的交流/ 直流電源是能源網(wǎng)上最常見的負載之一。隨著世界關(guān)注能效以保護環(huán)境并管理運營成本，這些電源的高效運行變得越來越重要。

效率作為輸入功率與供給負載的功率之間的比率衡量，很容易理解。但是，輸入功率因數(shù)也有很大的影響。功率因數(shù)(PF) 描述了任何交流電設備（包括電源）消耗的有用（真實）功率與總（視在）功率(kVA) 之間的比值。PF 衡量消耗的電能轉(zhuǎn)換為有用功輸出的有效性。

如果負載是純阻性負載，PF 將等于1，但任何負載內(nèi)的無功元件都會降低PF，使視在功率大于有用功率，從而導致效率降低。PF 小于1 是由電壓和電流相位不同引起的——這在感性負載中很常見。它也可能是由于諧波含量高或電流波形失真，這在開關(guān)型電源 (SMPS)或其他類型的不連續(xù)電子負載中很常見。

校正PF

許多不帶PF 校正的SMPS（開關(guān)電源，Switching Mode Power Supply）比經(jīng)過校正的SMPS 消耗的電流更高，因此在功率水平高于70 W 的條件下，立法要求設計人員添加電路將PF 值校正為接近1。最常見的有源PF 校正(PFC) 技術(shù)使用升壓轉(zhuǎn)換器將整流電源轉(zhuǎn)換為直流高電平，然后使用脈寬調(diào)制(PWM) 來調(diào)節(jié)直流電平。

圖1 傳統(tǒng)（左）和（右）無橋圖騰柱PFC電路

雖然這項技術(shù)效果很好且易于實施，但也存在一些挑戰(zhàn)?，F(xiàn)代效率標準（如嚴格的“80+ 鈦金標準”）要求在整個寬功率范圍內(nèi)具有高效率，在50% 負載條件下的峰值效率需達到96%。由于PFC（Power Factor Correction，功率因數(shù)校正）級之后的DC-DC（直流-直流）轉(zhuǎn)換器通常具有2% 的損耗，線性整流和PFC級本身只能損耗2%——這對橋式整流器中的二極管來說是一個挑戰(zhàn)。

然而，如果將升壓二極管(D5) 替換為同步整流器，效率則會提高。此外，只需要兩個線性整流二極管，也可以采用同步整流器（Q3 和Q4），進一步提高效率。這種技術(shù)被稱為圖騰柱PFC(TPPFC)，借助理想電感和出色開關(guān)，效率可以接近100%?，F(xiàn)代MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應晶體管）具有出色的性能，但尚未達到理想開關(guān)的水平——即使并聯(lián)使用時也很難達到。因此，寬帶隙半導體開關(guān)將與圖騰柱PFC 拓撲攜手并進。

應對損耗

隨著開關(guān)頻率不斷提高的發(fā)展趨勢，開關(guān)器件中的動態(tài)損耗會產(chǎn)生更大的影響。這些損耗是MOSFET 被配置為圖騰柱高速開關(guān)橋臂時的反向恢復所致，當其體二極管在開關(guān)“死區(qū)”時間內(nèi)導通時，必須耗盡相關(guān)的存儲電荷，損耗也來自于開關(guān)輸出電容的充電和放電。

事實上，硅基MOSFET 的動態(tài)損耗可能相當大，因此，設計人員越來越多地在TPPFC 應用中指定使用寬帶隙半導體材料，例如碳化硅(SiC) 和氮化鎵(GaN)器件。這些器件的附加優(yōu)勢是更高工作頻率和高溫工作能力——這兩個特性在電源應用中非常有用。

臨界導通模式(CrM) 通常是TPPFC 的首選導通模式，尤其是在功率高達幾百瓦時，該模式提供了效率和EMI 性能之間的良好折衷。連續(xù)導通模式(CCM) 可進一步降低開關(guān)中的RMS 電流和導通損耗，使TPPFC 能夠適用于千瓦級額定功率的應用。

即便使用CrM，效率在輕負載條件下也會明顯下降（可達10%），這在我們試圖滿足待機或空載能耗限制時帶來了真正的挑戰(zhàn)。一種解決方案是箝位或“折返”最大允許頻率，從而在輕負載條件下強制電路進入DCM，該模式下的較高峰值電流仍低于同等CrM 實現(xiàn)中的峰值電流。

將TPPFC 與CrM 工作和頻率箝位相結(jié)合，可提供一個良好的中等功率解決方案，在整個負載范圍內(nèi)提供出色的效率，尤其是當WBG（寬禁帶）開關(guān)用于高頻橋臂時。

圖2 NCP1680 提供了簡單而精巧的無代碼 TPPFC 解決方案

其他挑戰(zhàn)

解決了效率挑戰(zhàn)后，還需要克服最后一個障礙。需要同步驅(qū)動四個有源器件，并且必須檢測電感的零電流交越以強制CrM。該電路必須能夠在需要時自動切換進入和退出DCM，而且在完成所有這些操作的同時，保持高功率因數(shù)并生成一個PWM 信號來調(diào)節(jié)輸出。除此之外，還要求提供電路保護（例如過電流和過壓）。

一般來說，鑒于所涉及的復雜性，最佳方法是在微控制器中實現(xiàn)控制算法。然而，這種方法可能很昂貴，而且需要生成并調(diào)試代碼，這是許多設計人員希望避免的領(lǐng)域。

采用CrM的TPPFC無代碼解決方案

完全集成的TPPFC 控制解決方案具有許多優(yōu)勢，包括能夠提高性能水平、縮短設計時間和降低設計風險，同時無需采用微控制器和相關(guān)代碼。

安森美提供的混合信號TPPFC 控制器NCP1680 在恒定導通時間的CrM 下工作，確保在整個負載范圍內(nèi)實現(xiàn)高效率。NCP1680 可在輕負載條件下提供頻率折返期間的“谷底開關(guān)”，通過在最低電壓下進行開關(guān)操作來提高效率。數(shù)字電壓控制環(huán)路經(jīng)過內(nèi)部補償，可優(yōu)化整個負載范圍內(nèi)的性能，同時能夠確保設計過程保持簡單。

這款創(chuàng)新的控制器采用小型SOIC-16 封裝，利用專有的低損耗方法進行電流檢測和逐周期限流，無需外部霍爾效應傳感器即可提供出色的保護水平，從而降低復雜性、尺寸和成本。所有必要的控制算法都嵌入在IC 中，為設計人員提供低風險、經(jīng)過試用和測試驗證的解決方案，在經(jīng)濟價位下提供高性能。

（本文來源于《電子產(chǎn)品世界》雜志2022年4月期）