ST BCD制程技術(shù)獲頒IEEE里程碑獎(jiǎng) 長(zhǎng)跑35年第十代即將量產(chǎn)

意法半導(dǎo)體（ST）宣布，電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎(jiǎng)，表彰ST在超級(jí)整合硅閘半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)成果。ST的BCD技術(shù)可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數(shù)字開(kāi)關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管，滿足高復(fù)雜度、大功率應(yīng)用的需求。多年來(lái)，BCD制程技術(shù)已賦能硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)和汽車(chē)系統(tǒng)等終端應(yīng)用獲得重大技術(shù)發(fā)展。

在意法半導(dǎo)體Agrate工廠的實(shí)時(shí)／在線揭牌儀式中，IEEE意大利分部人道主義活動(dòng)委員會(huì)協(xié)調(diào)人暨前秘書(shū)Giambattista Gruosso，以及意法半導(dǎo)體總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)Jean-Marc Chery共同揭開(kāi)了IEEE里程碑牌匾。

ST率先采用單芯片整合雙極型晶體管、CMOS晶體管和DMOS晶體管（BCD）的超級(jí)整合硅閘極制程，解決復(fù)雜、具大功率需求的應(yīng)用設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。首個(gè)BCD超級(jí)集成電路L6202可控制最高60V-5A的功率，開(kāi)關(guān)頻率300kHz。隨后汽車(chē)、計(jì)算機(jī)和工業(yè)自動(dòng)化也逐漸采用這項(xiàng)制程技術(shù)，讓芯片設(shè)計(jì)人員能靈活、可靠地以單芯片整合功率、模擬和數(shù)字訊號(hào)處理電路。

IEEE于1983年建立了里程碑計(jì)劃，表彰獨(dú)特的產(chǎn)品、服務(wù)或具影響力的論文和專(zhuān)利所帶來(lái)的技術(shù)創(chuàng)新和卓越成就。每個(gè)里程碑獎(jiǎng)都認(rèn)可一項(xiàng)重要的技術(shù)成就，必須在IEEE提出的技術(shù)領(lǐng)域具備至少25年的發(fā)展，而且至少具備地區(qū)性的影響力。目前IEEE在全球?qū)徍瞬㈩C發(fā)了約220個(gè)IEEE里程碑獎(jiǎng)。

80年代初期，意法半導(dǎo)體工程師開(kāi)始尋找可靠的方法來(lái)解決各種電子應(yīng)用問(wèn)題，首先在一顆單芯片上整合了異質(zhì)晶體管和異質(zhì)二極管，隨后更著眼于多個(gè)細(xì)分市場(chǎng)的客戶需求，成功在數(shù)字邏輯的控制下提供數(shù)百瓦的電力，讓控制邏輯技術(shù)得以順利遵循摩爾定律。目標(biāo)組件還將支持精密模擬功能，并最大程度地降低功耗，無(wú)需使用散熱器。

這些研發(fā)的最終成果就是新的整合硅閘技術(shù)BCD（雙極、CMOS、DMOS），它利用復(fù)雜的聯(lián)機(jī)方法在單個(gè)芯片上整合二極管、雙極線性晶體管、復(fù)雜CMOS邏輯和多個(gè)DMOS功率晶體管。BCD首個(gè)芯片是L6202馬達(dá)全橋驅(qū)動(dòng)器，電壓為60V，電流1.5A，開(kāi)關(guān)頻率300kHz，達(dá)到所有設(shè)計(jì)目標(biāo)。

自推出BCD制程至今，ST已售出多達(dá)400億顆硅閘多功率BCD組件／芯片，第十代BCD技術(shù)也即將開(kāi)始量產(chǎn)。在歐洲和亞洲，這項(xiàng)BCD技術(shù)被廣泛用于車(chē)子用系統(tǒng)、智能型手機(jī)、家電、音頻放大器、硬盤(pán)、電源、打印機(jī)、微型投影機(jī)、照明、醫(yī)療設(shè)備、馬達(dá)、調(diào)制解調(diào)器、顯示器等。

意法半導(dǎo)體總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)Jean-Marc Chery表示：「到現(xiàn)在，已經(jīng)過(guò)去35年并經(jīng)歷了九次技術(shù)迭代，我們產(chǎn)出500萬(wàn)片晶圓，并售出400億顆芯片—僅去年一年就銷(xiāo)售近30億顆芯片。能夠得到此一IEEE里程碑獎(jiǎng)就意味著ST的BCD技術(shù)將被寫(xiě)進(jìn)推動(dòng)人類(lèi)發(fā)展的科技史冊(cè)，對(duì)此，我們的自豪無(wú)以言表?！?/p>

意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎(jiǎng)的牌匾將放置于ST在意大利米蘭市近郊之兩個(gè)工廠的大門(mén)口，包含Brianza的Agrate工廠和米蘭的Castelletto，兩間都曾經(jīng)承擔(dān)多硅閘多功率BCD開(kāi)發(fā)運(yùn)作。