驍龍888因三星工藝才翻車？到底是怎么了

高通驍龍888不論是發(fā)布前的玩家期待，還是發(fā)布后各種測(cè)試中發(fā)現(xiàn)的功耗和發(fā)熱"翻車"問題都可謂是萬(wàn)眾矚目。有人說(shuō)這是因?yàn)槭褂昧?a class="contentlabel" href="http://2s4d.com/news/listbylabel/label/三星">三星5LPE工藝的原因，事實(shí)真的是這樣嗎？三星5LPE工藝又是什么情況呢？讓我們從頭說(shuō)起吧：

我們常說(shuō)的半導(dǎo)體工藝，比如40nm啊，65nm啊這些一般是指晶體管的大小或者晶體管的柵極長(zhǎng)度。但是在22nm之后，摩爾定律其實(shí)是放緩甚至失效的，廠商對(duì)新工藝的命名也更多地是出于商業(yè)考慮了，這點(diǎn)上三星臺(tái)積電都承認(rèn)過。ARM CTO也在前幾年就做過表態(tài)，半導(dǎo)體工藝從16nm之后基本上就沒什么工藝上提升的空間了。

那后來(lái)的10nm，7nm甚至3nm是怎么做到的呢？這里就要談到FinFET工藝：鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管了。

FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor，中文名稱就叫做鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是由加州大學(xué)伯克利分校的胡正明教授教授發(fā)明。FinEFT是將傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)中控制電流通過的閘門設(shè)計(jì)成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu)，可于電路的兩側(cè)控制電路的接通和斷開。這樣可以大幅度的改善電路控制，減少漏電流，縮短晶體管的刪長(zhǎng)。

可以看出三星的5LPE工藝晶體管密度只有1.267億每平方毫米，遠(yuǎn)低于臺(tái)積電N5工藝的1.713億每平方毫米。而Intel的10nm工藝就已經(jīng)接近臺(tái)積電N7+的晶體管密度了，Intel未來(lái)的7nm工藝更是達(dá)到了2.016億每平方毫米之多，晶體管密度遠(yuǎn)高于現(xiàn)在的臺(tái)積電N5和三星5LPE工藝。

所以也有Intel的10nm工藝雖然相當(dāng)于手機(jī)的7nm一說(shuō)，而 Intel的10nm工藝為什么開發(fā)了這么久也是因?yàn)榘凑张_(tái)積電和三星的標(biāo)準(zhǔn)，Intel等于直接要從14nm跳到7nm，難度也的確很大。

而Intel的7nm工藝，平局晶體管密度比臺(tái)積電5nm還要高很多，這就是很多玩家其實(shí)是很看好和期待Intel的7nm處理器的原因，但話說(shuō)回來(lái)Intel的7nm也不知何時(shí)才能實(shí)裝。。。但前不久英特爾也宣稱公司在7nm工藝上獲得重大進(jìn)展，股價(jià)也因此應(yīng)聲大漲。

三星是比較喜歡率先使用最新的技術(shù)來(lái)?yè)屨际装l(fā)的，在7nm工藝時(shí)就率先使用了EUV光刻機(jī)，臺(tái)積電N7和N7P仍使用的是DUV+SAQP光刻的方式，在工藝上此時(shí)三星是領(lǐng)先一些，但由于三星使用的是DDB雙擴(kuò)散工藝，相比臺(tái)積電的SDB但擴(kuò)散工藝，晶體管密度要低一些，所以使用EUV的三星7LPP，晶體管密度也仍只和臺(tái)積電N7P相仿。等到臺(tái)積電使用EUV光刻機(jī)的N7+登場(chǎng)后，晶體管密度就被拉開差距了。

回到三星的5LPE，5LPE從架構(gòu)上來(lái)說(shuō)相比7LPP在門間距和鰭間距等重要參數(shù)中都沒有什么變化，只是使用新的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)，以及引入6TUHD單元庫(kù)等方式來(lái)提高晶體管的密度。算是復(fù)用了7LPP的設(shè)計(jì)，因此三星的5LPE更像是7LPP的半代升級(jí)版。從三星的迭代工藝圖表也可以看出5LPE也的確屬于7LPP這個(gè)大世代的迭代升級(jí)。所以從設(shè)計(jì)工藝還是晶體管密度來(lái)看三星5LPE還是處于略好于臺(tái)積電N7+的程度，也許理解為"7nm++"就可以對(duì)三星5nm工藝的表現(xiàn)有說(shuō)理解了。

所以對(duì)于驍龍888，其實(shí)如果我們能可以降低預(yù)期，看成是7LPP工藝的半代升級(jí)產(chǎn)品的話，就很能理解888的表現(xiàn)了。

雖然888的性能提升很大程度上來(lái)源于功耗的提高，但三星的5LPE還是比7LPP有升級(jí)的，在日常低功耗的使用環(huán)境中888還是可以提供優(yōu)于865的表現(xiàn)的。在需要極限性能的游戲和應(yīng)用中，888雖然功耗高了很多但畢竟性能也確實(shí)有明顯的提升，如果能將散熱控制好，比如使用手機(jī)背夾散熱器，那么性能也是可以得到完全的發(fā)揮的。

并且888芯片集成了X60基帶，在日常的整機(jī)5G功耗，以及成本等方面也都會(huì)更有優(yōu)勢(shì)。888的機(jī)器才發(fā)布就探到了3000多元的價(jià)格，也是體現(xiàn)了888的成本優(yōu)勢(shì)。

所以消費(fèi)者也不用糾結(jié)還能不能買的問題，首先安卓旗艦除了888也基本是沒得選（笑），其次日常使用還是會(huì)有比865更好的綜合表現(xiàn)的，并且888的成本優(yōu)勢(shì)也不可忽略，芯片成本更低就意味著要么可以買到更便宜的旗艦性能的安卓手機(jī)，要么可以讓旗艦機(jī)使用更好的屏幕，更好的散熱來(lái)改善888機(jī)器的使用體驗(yàn)，不論哪種都是對(duì)消費(fèi)者有利的。

臺(tái)積電的N5工藝確實(shí)很好，但一方面產(chǎn)能早已是超負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)了，另一方面如果高通也使用臺(tái)積電N5工藝，那么市場(chǎng)上就基本呈現(xiàn)出臺(tái)積電一家獨(dú)大的情況了，這樣也并不是什么好事。

所以也不能說(shuō)是高通被三星坑了，更不能說(shuō)是小米11等手機(jī)被高通坑了，在市場(chǎng)和成本角度來(lái)看，這其實(shí)就是合理的選擇了。

對(duì)于三星來(lái)講，半導(dǎo)體工藝的重心都在很快要到來(lái)的3nm GAA工藝，臺(tái)積電方面則要在2nm時(shí)進(jìn)入GAA世代。但搶首發(fā)使用新工藝也會(huì)有新產(chǎn)品容易出現(xiàn)能耗問題的風(fēng)險(xiǎn)，比如當(dāng)年蘋果6S時(shí)的混用臺(tái)積電和三星工藝的A9處理器在當(dāng)年就引起了廣泛的爭(zhēng)議。。。不過不管怎么樣，新的技術(shù)也是有新的突破，我們就期待好了。