泛林集團推出先進介電質(zhì)填隙技術(shù)，推動下一代器件的發(fā)展

近日，全球半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新晶圓制造設(shè)備及服務(wù)主要供應(yīng)商泛林集團近日 宣布推出一款全新的工藝方案——先進的Striker^? FE平臺——用于制造高深寬比的芯片架構(gòu)。Striker FE平臺采用了業(yè)界首創(chuàng)的ICEFill?技術(shù)，以填充新節(jié)點下3D NAND、DRAM和邏輯存儲器的極端結(jié)構(gòu)。不僅如此，該系統(tǒng)還具備更低的持續(xù)運行成本和更好的技術(shù)延展性，以滿足半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)路線圖的發(fā)展。

半導體制造行業(yè)一直以來使用的填隙方法包括傳統(tǒng)的化學氣相沉積 (CVD)、擴散/熔爐和旋涂工藝。然而，由于這些技術(shù)需要在質(zhì)量、收縮率和填充率之間權(quán)衡取舍，因此已無法滿足當前3D NAND的生產(chǎn)要求。相比之下，泛林集團的Striker ICEFill采用其獨有的表面改性技術(shù)，可以實現(xiàn)高選擇性自下而上及無縫的填隙，并保持原子層沉積 (ALD) 固有的成膜質(zhì)量。 ICEFill技術(shù)能夠解決3D NAND器件普遍存在的高深寬比填隙面臨的限制，避免DRAM和邏輯器件結(jié)構(gòu)倒塌的問題。

泛林集團高級副總裁兼沉積產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理Sesha Varadarajan表示：“我們致力于為客戶提供最好的ALD技術(shù)。在單一工藝系統(tǒng)中，這項技術(shù)不僅能夠以優(yōu)異的填隙性能生產(chǎn)高質(zhì)量氧化膜，還整合了泛林集團行業(yè)領(lǐng)先的四位一體的模塊架構(gòu)帶來的生產(chǎn)率優(yōu)勢?！?/p>

全新的工藝方案——先進的Striker^? FE平臺

Striker FE平臺的ICEFill技術(shù)屬于泛林集團Striker ALD產(chǎn)品系列，欲了解該系列產(chǎn)品的更多信息，請訪問 產(chǎn)品頁面 。