盛美半導(dǎo)體首臺(tái)無應(yīng)力拋光設(shè)備交付中國(guó)晶圓級(jí)先進(jìn)封裝龍頭企業(yè)客戶

盛美半導(dǎo)體設(shè)備公司，作為國(guó)際領(lǐng)先的半導(dǎo)體和晶圓級(jí)封裝設(shè)備供應(yīng)商，近日發(fā)布公司新產(chǎn)品：適用于晶圓級(jí)先進(jìn)封裝應(yīng)用(Wafer Level Advance Package)的無應(yīng)力拋光(Stree-Free-Polish)解決方案。先進(jìn)封裝級(jí)無應(yīng)力拋光（Ultra SFP ap）設(shè)計(jì)用于解決先進(jìn)封裝中，硅通孔（TSV）和扇出(FOWLP)應(yīng)用金屬平坦化工藝中表層銅層過厚引起晶圓翹曲的問題。

先進(jìn)封裝級(jí)無應(yīng)力拋光技術(shù)來源于盛美半導(dǎo)體的無應(yīng)力拋光技術(shù)(Ultra SFP)，該技術(shù)整合了無應(yīng)力拋光(SFP)、化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)、和濕法刻蝕工藝(Wet-Etch)。晶圓通過這三步工藝，在化學(xué)機(jī)械研磨和濕法刻蝕工藝前，采用電化學(xué)方法無應(yīng)力去除晶圓表面銅層，釋放晶圓的應(yīng)力。此外，電化學(xué)拋光液的回收使用，和先進(jìn)封裝級(jí)無應(yīng)力拋光技術(shù)能顯著的降低化學(xué)和耗材使用量，保護(hù)環(huán)境的同時(shí)降低設(shè)備使用成本。

盛美半導(dǎo)體設(shè)備公司董事長(zhǎng)王暉博士介紹：“我們?cè)?009年開發(fā)了無應(yīng)力拋光技術(shù)，這一領(lǐng)先于時(shí)代的技術(shù)，隨著先進(jìn)封裝硅通孔和扇出工藝的高速發(fā)展，對(duì)于環(huán)境保護(hù)和降低工藝運(yùn)營(yíng)成本的需求日益增長(zhǎng)，為我們先進(jìn)封裝級(jí)無應(yīng)力拋光工藝提供了理想的應(yīng)用市場(chǎng)?！?/p>

盛美半導(dǎo)體同時(shí)宣布，在2019年第四季度已交付一臺(tái)先進(jìn)封裝級(jí)無應(yīng)力拋光設(shè)備至中國(guó)晶圓級(jí)封裝龍頭企業(yè)。在2020年度這臺(tái)設(shè)備將在先進(jìn)封裝客戶端進(jìn)行測(cè)試和驗(yàn)證，我們期待在2020年中完成設(shè)備的首輪測(cè)試驗(yàn)證，并進(jìn)一步進(jìn)入客戶端量產(chǎn)生產(chǎn)線進(jìn)行量產(chǎn)驗(yàn)證，并完成客戶驗(yàn)收。

無應(yīng)力拋光技術(shù)可以被認(rèn)為盛美半導(dǎo)體的電化學(xué)電鍍技術(shù)的一個(gè)反向技術(shù)，均基于電化學(xué)原理，晶圓被固定在夾具上旋轉(zhuǎn)，并與拋光電源相連接作為陽極；同時(shí)電化學(xué)拋光液被噴射至晶圓表面，在電流作用下金屬離子從晶圓表面被去除。在硅通孔和扇出工藝應(yīng)用中，先進(jìn)封裝級(jí)無應(yīng)力拋光技術(shù)通過三步工藝，有效的解決其他工藝所引起的晶圓應(yīng)力。在硅通孔工藝中，首先采用無應(yīng)力拋光工藝去除表層的電鍍沉積后的銅層，保留0.2μm厚度；然后采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝進(jìn)行平坦化將剩余銅層去除，停止至鈦?zhàn)钃鯇樱蛔詈笫褂脻穹涛g工藝將暴露于表面的非圖形結(jié)構(gòu)內(nèi)鈦?zhàn)钃鯇尤コ?，露出阻擋層下層的氧化層。在扇出工藝中的再布線層(RDL)平坦化應(yīng)用中，同樣的工藝能夠被采用，用于釋放晶圓應(yīng)力，去除表層銅層和阻擋層。

基于電化學(xué)拋光液和濕法刻蝕液能夠通過化學(xué)回收系統(tǒng)實(shí)時(shí)回收使用，先進(jìn)封裝級(jí)無應(yīng)力拋光工藝能夠顯著的節(jié)省工藝使用成本。此外化學(xué)回收系統(tǒng)也能夠集中收集從銅層中提取的高純度金屬，可以再次利用于其他應(yīng)用中，提供可持續(xù)發(fā)展的環(huán)保解決方案。

先進(jìn)封裝級(jí)無應(yīng)力拋光設(shè)備Ultra SFP ap 335，包括2個(gè)無應(yīng)力拋光工藝腔，1個(gè)化學(xué)機(jī)械平坦化工藝腔，和2個(gè)濕法刻蝕兼清洗腔。工藝化學(xué)包括：電化學(xué)拋光液，銅研磨液，銅刻蝕液，和鈦刻蝕液。以上三種工藝均提供0.5μm/min以上的去除速率，片內(nèi)均勻性(WIWNU)小于3%，以及片間均勻性(WTWNU)小于1.5%。