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站在“7nm風(fēng)口”的臺積電,計(jì)劃用百億現(xiàn)金突出重圍

作者: 時間:2019-02-25 來源:OFweek電子工程網(wǎng) 收藏

  如果說2018年最受關(guān)注的晶圓制造廠,無疑是,作為工藝技術(shù)的集大成者,在這方面領(lǐng)先于英特爾和三星。盡管站在“”的風(fēng)口,但是近日它們遭遇了很多困難,包括臺積電由于制程產(chǎn)能爆滿,AMD推遲了自己的顯卡發(fā)布日期;臺積電多次出現(xiàn)晶圓污染事故,直接損失數(shù)億美元;正是發(fā)生了光阻原料事件,臺積電第一季度營收預(yù)期偏低,影響了資本市場對它的預(yù)估……

本文引用地址:http://2s4d.com/article/201902/397893.htm

  

站在“7nm風(fēng)口”的臺積電,計(jì)劃用百億現(xiàn)金突出重圍


  臺積電百億現(xiàn)金突出重圍

  盡管臺積電面臨困境,但臺積電不怕!眾所周知,很多的芯片廠商都在積極推動7nm制程工藝的發(fā)展,2019年也將有很多的7nm芯片發(fā)布,它們大都是臺積電的客戶,臺積電目前是全球7nm芯片訂單最多的廠商。近日,臺積電透露,他們將拿出471.4億元新臺幣(約合103.37億元人民幣),作為該公司臺灣地區(qū)員工的現(xiàn)金獎勵與分紅。

  進(jìn)擊中的臺積電

  據(jù)了解,芯片代工行業(yè)規(guī)模每年達(dá)到393億美元,臺積電是其中領(lǐng)先的公司,每銷售一部智能手機(jī)其可獲得7美元。臺積電對于工藝的不斷追求,推動了芯片行業(yè)的快速發(fā)展。

  2018年是臺積電7nm快速發(fā)展的關(guān)鍵一年,因?yàn)樗鼈內(nèi)〉昧撕芏嗫上驳某煽儭?018年4月,臺積電的7nm工藝投入量產(chǎn),包括麒麟980、AMD和蘋果A12等新型處理器都由臺積電代工,在2018年10月臺積電又完成了7nm EUV流片。

  更高的工藝意味著芯片更高的性價比,與10nm節(jié)點(diǎn)相比,7LPP工藝可以減少40%的面積同時提高20%的速度,或降低50%的功耗。根據(jù)臺積電的數(shù)據(jù),2018年臺積電7nm工藝完成流片的芯片設(shè)計(jì)超過50款,預(yù)計(jì)2019年底將超過100款。不只是7nm,據(jù)悉,臺積電的的5nm制程將會在2019年年底或2020年初投入量產(chǎn)。

  對手也在加速追趕

  2018年,三星宣布試產(chǎn)基于EUV技術(shù)的7nm芯片,并正在研究如何提升其產(chǎn)能,加速輔助性的IP和EDA基礎(chǔ)架構(gòu),細(xì)化封裝能力。三星的這次宣布無疑是在對標(biāo)臺積電,為了追趕臺積電芯片設(shè)計(jì)生態(tài)的進(jìn)程,后者于本月初曾傳出過類似的消息。三星聲稱他們正在對基于16Gbit DRAM芯片的256GByte RDIMM取樣,為帶Xilinx嵌入式FPGA的固態(tài)硬盤做好準(zhǔn)備。7nm是這次通告的亮點(diǎn),標(biāo)志著EUV掩模檢測系統(tǒng)內(nèi)部開發(fā)的一次里程碑式的進(jìn)展。

  為了加速EUV投入到生產(chǎn),三星開發(fā)了自己的系統(tǒng)來比較和修復(fù)預(yù)期和實(shí)際的掩模曝光。VLSI研究員G. Dan Hutcheson將這個系統(tǒng)描述成一個掩模檢查系統(tǒng),因?yàn)槟壳吧胁磺宄欠裣竦湫偷牡谌綑z測系統(tǒng)那樣自動化。7nm節(jié)點(diǎn)將在年底達(dá)到Grade 1 AEC-Q100汽車標(biāo)準(zhǔn)。在封裝方面,三星正在研發(fā)一款RDL插入器,能將多達(dá)8個HBM堆疊安裝在一個設(shè)備上,同時,三星還在開發(fā)一種將無源器件嵌入基板的工藝,為了給數(shù)據(jù)中心的芯片節(jié)省出空間。

  競爭催生出最強(qiáng)的臺積電

  都知道未來7nm工藝會有很大發(fā)揮空間,但是目前的生產(chǎn)難度還是很高的,除了光刻機(jī)和其它良率問題,成本控制也很難,還有晶圓污染……這些難題等待臺積電去解決。雖然目前全球僅幾家有實(shí)力和臺積電競爭7nm,但是它們的追趕也推動了臺積電的努力和創(chuàng)新,相信隨著客戶的增加,臺積電也能將這些問題逐一解決,成為行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。



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