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半導(dǎo)體技術(shù):一把懸在中國頭上的達(dá)摩克利斯之劍

作者: 時間:2018-04-27 來源:太平洋電腦網(wǎng) 收藏
編者按:在大力發(fā)展半導(dǎo)體技術(shù)的過程中,要時刻提防類似“漢芯造假”事件的再次發(fā)生,真真切切地提升國內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù),不再受制于人,確保中國制造2025綱領(lǐng)的順利實施。

  進(jìn)入到千禧年后的信息時代,巨量的半導(dǎo)體芯片需求,使得中國成為全世界最大的半導(dǎo)體市場,根據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2017年我國集成電路市場規(guī)模高達(dá)到13050億元人民幣。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/201804/379087.htm
半導(dǎo)體技術(shù):一把懸在中國頭上的達(dá)摩克利斯之劍

  可是在這龐大數(shù)字的背后,我們也要正視一個問題,在一項2015年的調(diào)查顯示,我國芯片自給率僅有12.7%,預(yù)測即使到了2020年,芯片自給率只能達(dá)到18.5%,簡單理解就是,假設(shè)2017年我國芯片自給率提升到15%,那么我們?yōu)榱藵M足自身芯片的需求,大概需要從外國采購11050億元人民幣的芯片,這其中有些半導(dǎo)體技術(shù)的開發(fā)我們暫時無法掌握,有些我們能夠開發(fā)出來卻暫時沒有先進(jìn)的工藝去制作出來。

  這是一個非常令人不安的數(shù)字,特別是經(jīng)歷了中興被美國禁止購買相關(guān)半導(dǎo)體技術(shù)的事件,我們才發(fā)現(xiàn),一個世界第四大的網(wǎng)絡(luò)通訊公司在這種事件下是如此的脆弱不堪,一道禁令就可能會讓公司業(yè)務(wù)面臨休克的威脅,這足以警醒我們,掌握自己的核心半導(dǎo)體技術(shù),是多么迫切的重要。

  細(xì)數(shù)我國欠缺的半導(dǎo)體技術(shù)

  高性能架構(gòu)

  的架構(gòu)可以簡單分為、ARM、MIPS、IBM PowerPC和甲骨文UltraSPARC這幾種常見架構(gòu),我們?nèi)粘J褂玫碾娔X幾乎大多數(shù)都是屬于架構(gòu),由美國英特爾和美國AMD兩個公司提供,國產(chǎn)龍芯則是以MIPS架構(gòu)為基礎(chǔ)發(fā)展的具有自主產(chǎn)權(quán)的處理器,但是在民用電腦上的應(yīng)用較少,兆芯掌握著國產(chǎn)芯片技術(shù),中科曙光通過美國AMD授權(quán)也獲得了X86芯片技術(shù),當(dāng)然對比于國際巨頭來說,在性能上以及應(yīng)用規(guī)模上,相關(guān)國產(chǎn)X86芯片還有還長的路要走。

半導(dǎo)體技術(shù):一把懸在中國頭上的達(dá)摩克利斯之劍

  手機(jī)芯片及基帶

  手機(jī),平板電腦以及智能電視處理器則大多數(shù)使用ARM架構(gòu)或者M(jìn)IPS架構(gòu)設(shè)計,手機(jī)中使用的芯片和基帶很多都由美國的高通或者我國臺灣地區(qū)的聯(lián)發(fā)科提供,經(jīng)過幾年的追趕,國產(chǎn)的華為海思麒麟芯片與基帶能夠達(dá)到國際先進(jìn)水平,小米在一些機(jī)型上也開始使用自主開發(fā)的松果處理器,就是有了這些公司的不懈努力下,在手機(jī)芯片上不至于完全被發(fā)達(dá)國家牽制。

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  高性能GPU

  對于高性能的圖形處理器來說,經(jīng)過歷史長河的洗禮后,就只剩下美國兩家巨頭英偉達(dá)和AMD,幾乎全世界的高性能圖形處理器都由這兩家公司提供,圖形處理器的作用就是承擔(dān)了輸出顯示圖像的任務(wù),我們無法想象一個沒有任何交互畫面的電腦能夠如何使用,如果說在處理器上我們還有部分自給能力,在高性能的圖形處理芯片上我們是幾乎沒有任何反擊能力,國內(nèi)在這個方面是近乎一片白紙般的存在。

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  存儲芯片

  相信大家都對這兩年價格急升的內(nèi)存條所嚇倒了,原來這種電子產(chǎn)品還能理財?其實這樣的現(xiàn)狀,有部分的原因就是因為我國在存儲芯片上的技術(shù)儲備不足導(dǎo)致。這幾年手機(jī)行業(yè)發(fā)展迅速,對DRAM內(nèi)存以及NADA閃存的需求日益高漲,國內(nèi)幾乎100%依賴于進(jìn)口,而國際上大部分的存儲芯片市場被三星、鎂光、東芝和SK海力士等巨頭牢牢掌控,其實國產(chǎn)存儲芯片廠商紫光集團(tuán)也在積極發(fā)展,旗下的長江存儲于去年年底試產(chǎn)出32層堆棧3D閃存,預(yù)計2019年能夠進(jìn)入64層堆棧3D閃存規(guī)模研發(fā)階段,落后于國際巨頭三年左右的時間。


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