新聞中心

EEPW首頁 > 網(wǎng)絡(luò)與存儲 > 業(yè)界動態(tài) > 圖解中國存儲器三大勢力 DRAM、NAND 拼量產(chǎn)

圖解中國存儲器三大勢力 DRAM、NAND 拼量產(chǎn)

作者: 時間:2017-11-17 來源: 集邦咨詢 收藏
編者按:中國存儲器后進(jìn)廠商 2018 年開始產(chǎn)能逐步開出,目前狀況到底如何?

  中國半導(dǎo)體發(fā)展風(fēng)起云涌,購并、建廠消息不斷,在市場、國安等考量下,存儲器更是中國重點發(fā)展項目,成為多方人馬競逐的主戰(zhàn)場。研究機(jī)構(gòu)集邦科技 TrendForce 做了圖表簡單解析。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/201711/371629.htm






關(guān)鍵詞: DRAM NAND

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉