新聞中心

EEPW首頁(yè) > EDA/PCB > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 一篇文章說(shuō)清半導(dǎo)體制程發(fā)展史

一篇文章說(shuō)清半導(dǎo)體制程發(fā)展史

作者: 時(shí)間:2017-07-03 來(lái)源:芯師爺 收藏
編者按:半導(dǎo)體制造的工藝節(jié)點(diǎn),涉及到多方面的問(wèn)題,如制造工藝和設(shè)備,晶體管的架構(gòu)、材料等。下面,我們就具體介紹并分析一下,供大家參考。

  制造工藝節(jié)點(diǎn)是如何演進(jìn)的?的架構(gòu)是怎樣發(fā)展成如今模樣的?下面告訴你...

本文引用地址:http://2s4d.com/article/201707/361285.htm

  首先,技術(shù)節(jié)點(diǎn)是什么意思呢?常聽(tīng)說(shuō)的,諸如,臺(tái)積電16nm工藝的Nvidia GPU、英特爾14nm工藝的i5,這個(gè)長(zhǎng)度的含義,具體的定義需要詳細(xì)給出的結(jié)構(gòu)圖才行,簡(jiǎn)單地說(shuō),在早期,可以認(rèn)為是的尺寸。

  這個(gè)尺寸很重要,因?yàn)榫w管的作用,簡(jiǎn)單地說(shuō),就是把電子從一端(S),通過(guò)一段溝道,送到另一端(D),這個(gè)過(guò)程完成之后,信息的傳遞就完成了。因?yàn)殡娮拥乃俣仁怯邢薜?,在現(xiàn)代晶體管中,一般都是以飽和速度運(yùn)行的,所以需要的時(shí)間基本就由這個(gè)溝道的長(zhǎng)度來(lái)決定。越短,就越快。

  這個(gè)溝道的長(zhǎng)度,和前面說(shuō)的晶體管的尺寸,大體上可以認(rèn)為是一致的。但是二者有區(qū)別,溝道長(zhǎng)度是一個(gè)晶體管物理的概念,而用于技術(shù)節(jié)點(diǎn)的那個(gè)尺寸,是制造工藝的概念,二者相關(guān),但是不能完全劃等號(hào)。

  在微米時(shí)代,這個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的數(shù)字越小,晶體管的尺寸也越小,溝道長(zhǎng)度也就越小。但是在22nm節(jié)點(diǎn)之后,晶體管的實(shí)際尺寸,或者說(shuō)溝道的實(shí)際長(zhǎng)度,是長(zhǎng)于這個(gè)數(shù)字的。比方說(shuō),英特爾的14nm的晶體管,溝道長(zhǎng)度其實(shí)是20nm左右。

  這里就涉及到三個(gè)問(wèn)題:

  第一,為什么要把晶體管的尺寸縮小?以及是按照怎樣的比例縮小的?這個(gè)問(wèn)題就是在問(wèn),縮小有什么好處?

  第二, 為什么技術(shù)節(jié)點(diǎn)的數(shù)字不能等同于晶體管的實(shí)際尺寸?或者說(shuō),在晶體管的實(shí)際尺寸并沒(méi)有按比例縮小的情況下,為什么要宣稱是新一代的技術(shù)節(jié)點(diǎn)?這個(gè)問(wèn)題就是在問(wèn),縮小有什么技術(shù)困難?

  第三, 具體如何縮小?也就是,技術(shù)節(jié)點(diǎn)的發(fā)展歷程是怎樣的?在每一代都有怎樣的技術(shù)進(jìn)步?在這里我特指晶體管的設(shè)計(jì)和材料。

  下面盡我所能來(lái)回答,歡迎指正。

  第一個(gè)問(wèn)題,一部分的答案已經(jīng)說(shuō)了,因?yàn)樵叫【驮娇臁_@個(gè)快是可以直接翻譯為基于晶體管的集成電路芯片的性能上去的。下面以微處理器CPU為例,如下圖所示。


一篇文章說(shuō)清半導(dǎo)體制程發(fā)展史


  上邊這張圖的信息量很大,綠色的點(diǎn),代表CPU的時(shí)鐘頻率,越高當(dāng)然越快??梢钥闯鲋钡?004年,CPU的時(shí)鐘頻率基本是指數(shù)上升的,背后的主要原因就是晶體管的尺寸縮小。

  另外一個(gè)重要的原因是,尺寸縮小之后,集成度(單位面積的晶體管數(shù)量)提升,這有多個(gè)好處,一來(lái)可以增加芯片的功能,二來(lái),根據(jù)摩爾定律,集成度提升的直接結(jié)果是成本的下降。

  這也是為什么行業(yè)50年來(lái)如一日地追求摩爾定律的原因,因?yàn)槿绻_(dá)不到這個(gè)標(biāo)準(zhǔn),你家的產(chǎn)品成本就會(huì)高于能達(dá)到這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的對(duì)手,你家就倒閉了。

  還有一個(gè)原因是晶體管縮小可以降低單個(gè)晶體管的功耗,因?yàn)榭s小規(guī)則的要求,同時(shí)會(huì)降低整體芯片的供電電壓,進(jìn)而降低功耗。

  但也有例外,從物理原理上說(shuō),單位面積的功耗并不降低。因此這成為了晶體管縮小的一個(gè)很嚴(yán)重的問(wèn)題,因?yàn)槔碚撋系挠?jì)算是理想情況,實(shí)際上,不僅不降低,反而是隨著集成度的提高而提高的。

  2000年前后,人們已經(jīng)預(yù)測(cè)到,根據(jù)摩爾定律的發(fā)展,如果沒(méi)有什么技術(shù)進(jìn)步的話,晶體管縮小到2010年前后時(shí),其功耗密度可以達(dá)到火箭發(fā)動(dòng)機(jī)的水平,這樣的芯片當(dāng)然是不可能正常工作的。即使達(dá)不到這個(gè)水平,溫度太高也會(huì)影響晶體管的性能。

  事實(shí)上,業(yè)界現(xiàn)在也沒(méi)有找到真正徹底解決晶體管功耗問(wèn)題的方案,實(shí)際的做法是:一方面降低電壓(功耗與電壓的平方成正比),一方面不再追求時(shí)鐘頻率。因此在上圖中,2005年以后,CPU頻率不再增長(zhǎng),性能的提升主要依靠多核架構(gòu)。這個(gè)被稱作“功耗墻”,至今仍然存在,所以你買不到5GHz的處理器,4GHz的都幾乎沒(méi)有。

  以上是三個(gè)縮小晶體管的主要誘因。可以看出,都是重量級(jí)的提升性能、功能、降低成本的方法,所以業(yè)界才會(huì)一直堅(jiān)持到現(xiàn)在。

  那么是怎樣縮小的呢?物理原理是恒定電場(chǎng),因?yàn)榫w管的物理學(xué)通俗的說(shuō),是電場(chǎng)決定的,所以只要電場(chǎng)不變,晶體管的模型就不需要改變,這種方式被證明效果最佳,被稱為Dennard Scaling,提出者是IBM。

  電場(chǎng)等于電壓除以尺寸。既然要縮小尺寸,就要等比降低電壓。

  如何縮小尺寸?簡(jiǎn)單粗暴:將面積縮小到原來(lái)的一半就好了。面積等于尺寸的平方,因此尺寸就縮小大約0.7。如果看一下晶體管技術(shù)節(jié)點(diǎn)的數(shù)字:

  130nm 90nm 65nm 45nm 32nm 22nm 14nm 10nm 7nm (5nm)

  會(huì)發(fā)現(xiàn)是一個(gè)大約以0.7為比的等比數(shù)列?,F(xiàn)在,這只是一個(gè)命名的習(xí)慣,跟實(shí)際尺寸已經(jīng)有差距了。

  第二個(gè)問(wèn)題,為什么現(xiàn)在的技術(shù)節(jié)點(diǎn)不再直接反應(yīng)晶體管的尺寸呢?

  原因也很簡(jiǎn)單,因?yàn)闊o(wú)法做到這個(gè)程度的縮小了。有三個(gè)主要原因:

  首先,原子尺度的計(jì)量單位是埃,為0.1nm。

  10nm的溝道長(zhǎng)度,也就只有不到100個(gè)硅原子而已。未來(lái)晶體管物理模型是這樣的:用量子力學(xué)的能帶論計(jì)算電子的分布,但是用經(jīng)典的電流理論計(jì)算電子的輸運(yùn)。

  電子在分布確定之后,仍然被當(dāng)作一個(gè)粒子來(lái)對(duì)待,而不是考慮它的量子效應(yīng)。因?yàn)槌叽绱?,所以不需要。但是越小,就越不行,就需要考慮各種復(fù)雜的物理效應(yīng)。

  其次,即使用經(jīng)典的模型,性能上也出了問(wèn)題,這個(gè)叫做短溝道效應(yīng),其效果是損害晶體管的性能。

  短溝道效應(yīng)其實(shí)很好理解,通俗地講,晶體管是一個(gè)三個(gè)端口的開(kāi)關(guān),其工作原理是把電子從一端(源端)送到另一端(漏端),這是通過(guò)溝道進(jìn)行的,另外還有一個(gè)端口(柵端)的作用是,決定這條溝道是打開(kāi)的,還是關(guān)閉的。這些操作都是通過(guò)在端口上加上特定的電壓來(lái)完成的。

  晶體管性能依賴的一點(diǎn)是,必須要打得開(kāi),也要關(guān)得緊。短溝道器件,打得開(kāi)沒(méi)問(wèn)題,但是關(guān)不緊,原因就是尺寸太小,內(nèi)部有很多電場(chǎng)上的互相干擾,以前都是可以忽略不計(jì)的,現(xiàn)在則會(huì)導(dǎo)致柵端的電場(chǎng)不能夠發(fā)揮全部的作用,因此關(guān)不緊。關(guān)不緊的后果就是有漏電流,簡(jiǎn)單地說(shuō)就是不需要、浪費(fèi)的電流。

  可不能小看這部分電流,因?yàn)榇藭r(shí)晶體管是在休息,沒(méi)有做任何事情,卻在白白地耗電。目前,集成電路中的這部分漏電流導(dǎo)致的能耗,已經(jīng)占到了總能耗的近50%,所以也是目前晶體管設(shè)計(jì)和電路設(shè)計(jì)的一個(gè)最主要的難題。

  第三,制造工藝也越來(lái)越難做到那么小的尺寸了。

  決定制造工藝的最小尺寸的,叫做光刻機(jī)。它的功能是,把預(yù)先印制好的電路設(shè)計(jì),像洗照片一樣洗到晶片表面上去,在我看來(lái)就是一種bug級(jí)的存在,因?yàn)橥掏侣史浅5馗?。否則那么復(fù)雜的集成電路,如何才能制造出來(lái)呢?比如英特爾的奔騰4處理器,據(jù)說(shuō)需要30~40多張不同的設(shè)計(jì)模板,先后不斷地曝光,才能完成整個(gè)處理器的設(shè)計(jì)印制。

  但是光刻機(jī),顧名思義,是用光的,當(dāng)然不是可見(jiàn)光,但總之是光。

  而稍有常識(shí)就會(huì)知道,所有用光的東西,都有一個(gè)問(wèn)題,就是衍射。光刻機(jī)也不例外。

  因?yàn)檫@個(gè)問(wèn)題的制約,任何一臺(tái)光刻機(jī)所能刻制的最小尺寸,基本上與它所用的光源的波長(zhǎng)成正比。波長(zhǎng)越小,尺寸也就越小,這個(gè)道理是很簡(jiǎn)單的。

  目前的主流生產(chǎn)工藝采用荷蘭艾斯摩爾生產(chǎn)的步進(jìn)式光刻機(jī),所使用的光源是193nm的氟化氬(ArF)分子振蕩器產(chǎn)生的,被用于最精細(xì)尺寸的光刻。


上一頁(yè) 1 2 3 下一頁(yè)

關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 晶體管

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉