聯(lián)發(fā)科與其苦守10nm 不如選用16nm

　　臺媒報道，全球第二大手機芯片企業(yè)聯(lián)發(fā)科在近日確定減少對臺積電6月至8月約三分之一的訂單，在當前的環(huán)境下是一個合適的選擇，轉而采用16nm FinFET工藝和10nm工藝可以更好的應對高通等芯片企業(yè)的競爭。

　　2016年聯(lián)發(fā)科大賣的芯片是helio P10，當時中國大陸兩大手機品牌OPPO和vivo大量采用該款芯片，在OV兩家的出貨量連續(xù)翻倍增長的情況下，聯(lián)發(fā)科的出貨量也節(jié)節(jié)攀升，甚至一度在中國大陸市場的份額超過高通，而helio P10正是采用臺積電的28nm工藝。

　　去年三季度高通的中端芯片驍龍625轉而采用三星的14nm FinFET工藝，先進工藝帶來了更好的性能，特別重要的是降低了功耗。驍龍625是八核A53架構，在14nm FinFET工藝的支持下，表現(xiàn)出了優(yōu)異的性能和功耗，據測試該款芯片在運行大型游戲等應用時候運行非常穩(wěn)定。

　　高通的中高端芯片驍龍653則繼續(xù)采用臺積電的28nm工藝，驍龍653為四核A73+四核A53架構，A73本就是高性能高功耗的核心，驍龍653雖然較驍龍625有更高的性能，但是被發(fā)現(xiàn)出現(xiàn)一定的發(fā)熱問題，在運行大型游戲時候會由于發(fā)熱量太大性能迅速下降以保持芯片的正常運行。

　　在驍龍625的優(yōu)異表現(xiàn)影響下，高通今年推出的中高端芯片驍龍653的繼任者驍龍660已確定轉而采用三星的14nm FinFET。在高通全面轉向更先進的14nm FinFET工藝情況影響下，聯(lián)發(fā)科理所應當放棄落后的28nm工藝。

　　不過聯(lián)發(fā)科今年的錯誤在于它太過于激進，其高端芯片helio X30和中端芯片helio P35都直接跳過臺積電的16nm FinFET轉用最先進的10nm工藝，希望通過引入先進的工藝實現(xiàn)在中高端市場同時挑戰(zhàn)高通的目標。

　　結果卻因為臺積電的10nm工藝并沒能如期在去年底量產，正式量產后又遭遇了良率過低的問題被迫進行改進，這就導致了聯(lián)發(fā)科的helio X30一再延期，如今中國大陸手機品牌普遍已放棄采用該芯片。聯(lián)發(fā)科的helio P35如果能在二季度量產還能獲得了一些中國大陸手機品牌采用，如果延遲到三季度投產的話那時候又要與蘋果的A11處理器搶10nm工藝產能，從臺積電一直優(yōu)先照顧蘋果的情況來看真到那時P35的量產必然又只得再延期了。

　　在這種情況下，偏偏聯(lián)發(fā)科還遭遇了另一個問題，那就是中國移動早在2015年底就宣布要求手機廠商和芯片廠商要支持LTE Cat7以上技術，中國移動占有中國智能手機市場約六成市場份額，對智能手機市場有重要的影響力。聯(lián)發(fā)科在helio X30和P35上市之前，其他手機芯片都只能最高支持LTE Cat6技術，這也是中國大陸手機品牌紛紛放棄聯(lián)發(fā)科芯片的重要原因之一。

　　筆者認為，聯(lián)發(fā)科在當下應該放棄10nm工藝，轉而采用臺積電的16nm FinFET或該工藝的改進版即12nm FinFET，這兩項工藝技術成熟，產能充足，而在能效方面比三星的14nm FinFET更先進，同樣有助于它與高通競爭，以迅速穩(wěn)住當下正逐漸流失的中國大陸手機品牌客戶。