打破市場(chǎng)壟斷 國(guó)產(chǎn)32層堆棧3D閃存將于2019年量產(chǎn)

　　NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷，中國(guó)公司在此領(lǐng)域毫無(wú)話語(yǔ)權(quán)，甚至連收購(gòu)、合作外資公司都沒(méi)可能，想獲得突破還得靠國(guó)產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態(tài)3D閃存晶圓廠的安裝設(shè)備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產(chǎn)，預(yù)計(jì)2020年會(huì)在技術(shù)趕超國(guó)際領(lǐng)先的閃存公司。

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯(lián)合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地，隨后該公司被紫光公司收購(gòu)，變成了長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技(英文簡(jiǎn)稱為TMTC)，武漢投資項(xiàng)目一期工程就是生產(chǎn)3D NAND閃存。

　　國(guó)產(chǎn)3D NAND閃存的起點(diǎn)還不算低，目前研究的是32層堆棧的3D NAND閃存，前不久長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧宣稱國(guó)產(chǎn)3D閃存各項(xiàng)指標(biāo)已經(jīng)達(dá)到了預(yù)期要求。該款存儲(chǔ)器芯片由長(zhǎng)江存儲(chǔ)與(中科院)微電子所三維存儲(chǔ)器研發(fā)中心聯(lián)合開發(fā)，在微電子所三維存儲(chǔ)器研發(fā)中心主任、長(zhǎng)江存儲(chǔ)NAND技術(shù)研發(fā)部項(xiàng)目資深技術(shù)總監(jiān)霍宗亮的帶領(lǐng)下，成功實(shí)現(xiàn)了工藝器件和電路設(shè)計(jì)的整套技術(shù)驗(yàn)證，向產(chǎn)業(yè)化道路邁出具有標(biāo)志性意義的關(guān)鍵一步。

　　3D NAND完成實(shí)驗(yàn)室研發(fā)只是一小步，后續(xù)的大規(guī)模量產(chǎn)才是關(guān)鍵。Digitimes報(bào)道稱長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技CEO楊士寧表示3D閃存工廠的生產(chǎn)裝備將在2018年Q1季度完成安裝，2019年則會(huì)完全量產(chǎn)。該公司的目標(biāo)是在2020年時(shí)技術(shù)上達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商的水平。

　　楊士寧表示了NAND閃存市場(chǎng)需求正在被云計(jì)算、智能終端所推動(dòng)，同時(shí)中國(guó)市場(chǎng)也具有極大的發(fā)展?jié)摿Α?/p>

　　不論是DRAM內(nèi)存還是NAND閃存市場(chǎng)，目前都被極少數(shù)廠商所統(tǒng)治，楊士寧表示長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技希望打破少數(shù)公司對(duì)市場(chǎng)的壟斷，該公司進(jìn)入市場(chǎng)將為業(yè)界帶來(lái)良性競(jìng)爭(zhēng)。

　　中國(guó)市場(chǎng)消耗了全球55%的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能，楊士寧稱在強(qiáng)大的市場(chǎng)需求及中國(guó)政府的財(cái)政支持下，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司將增強(qiáng)對(duì)現(xiàn)有幾家存儲(chǔ)芯片公司的競(jìng)爭(zhēng)力。

　　要想獲得長(zhǎng)久的成功，擁有自己的核心是技術(shù)也是非常關(guān)鍵的，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司目前就在這么做。楊士寧稱收購(gòu)或者戰(zhàn)略投資也是該公司實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)的另一個(gè)選擇。