瑞薩和臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)自動(dòng)駕駛汽車(chē)用MCU

　　瑞薩電子和臺(tái)積電(TSMC)于2016年9月1日宣布，將以新一代環(huán)保汽車(chē)及自動(dòng)駕駛汽車(chē)為對(duì)象，合作開(kāi)發(fā)采用28nm工藝的MCU。該28nm車(chē)載用MCU計(jì)劃2017年開(kāi)始樣品供貨，2020年開(kāi)始由臺(tái)積電實(shí)施量產(chǎn)。

　　在90nm以后工藝方面，兩公司在委托制造以及內(nèi)置閃存的MCU的開(kāi)發(fā)方面建立了緊密的合作關(guān)系。從4年前開(kāi)始在40nm工藝的MCU平臺(tái)方面開(kāi)展共同開(kāi)發(fā)及委托制造的合作(本站報(bào)道)，此次雙方將把合作范圍擴(kuò)大至28nm工藝MCU的共同開(kāi)發(fā)。

　　在此次合作中，雙方將把瑞薩的MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)構(gòu)造的混載閃存技術(shù)與臺(tái)積電的28nm High-K金屬柵極技術(shù)相融合，開(kāi)發(fā)全球首例28nm MCU。該MCU適用于廣泛的車(chē)載應(yīng)用程序，可覆蓋以自動(dòng)駕駛為對(duì)象的傳感器控制、整合化的ECU、以新一代環(huán)保車(chē)為對(duì)象的高環(huán)保性低燃耗發(fā)動(dòng)機(jī)，以及用于電動(dòng)汽車(chē)的高效率電機(jī)逆變器等領(lǐng)域。

　　該28nm MCU與瑞薩現(xiàn)行的40nm MCU相比，可實(shí)現(xiàn)最大約4倍以上的程序存儲(chǔ)容量和4倍以上的高性能，能夠滿(mǎn)足新一代車(chē)載應(yīng)用方面的多種要求。比如，通過(guò)配備大容量閃存，不僅可極為細(xì)致地符合各國(guó)的環(huán)保規(guī)定及性能指標(biāo)要求，而且還可支持以無(wú)線(xiàn)方式向安全性更高的控制程序?qū)嵤└碌募夹g(shù)(Over The Air: OTA)。