東芝要做64層3D閃存：三星48層情何以堪？

　　三星3D V-NAND立體堆疊閃存行業(yè)聞名，而且已經(jīng)堆到了驚人的48層，工藝精良，不過據(jù)《日經(jīng)亞洲評論》報道，東芝正在謀劃多達64層的NAND閃存，比三星多三分之一!

　　7月15日，東芝舉辦了日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠的啟用儀式，并透露將在此生產(chǎn)48層堆疊閃存，并計劃2016財年(截止到2017年3月底)內(nèi)量產(chǎn)。

　　這種閃存的成本和價格會比較高，但是因為容量可以做的更大，平均價格反而會更便宜，可用于從智能手機、固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心等各種領域，初期主要供應持續(xù)增長的數(shù)據(jù)中心。

　　其實，東芝在今年春天就已經(jīng)開始生產(chǎn)48層閃存了，并預計2017財年3D閃存將占其總產(chǎn)能的50%，2018財年突破80%。

　　三星則可能會在2017年下半年啟用位于韓國京畿道平澤市的新工廠，生產(chǎn)自己的64層閃存，但官方尚未明確表態(tài)。