應(yīng)用于便攜及消費(fèi)產(chǎn)品的安森美半導(dǎo)體完整ESD及EMI保護(hù)方案

根據(jù)規(guī)格，每個元件都有一個通帶范圍。這些器件的可截止高頻范圍從700 MHz至6 GHz。

第二類EMI濾波器適用于高速串行接口，功能超過了典型低通濾波器。這類接口是具有固有噪聲抑制的差分信號路徑，但不會完全免疫來自外部源的共模噪聲，或阻止來自輻射到系統(tǒng)其他部分的接口信號。

圖6：共模濾波器(CMF)特性

受保護(hù)的共模濾波器(pCMF)可以用來消除不必要的共模噪聲，也可以防止輻射的有害共模噪聲信號從高速接口進(jìn)入系統(tǒng)的其它部分。同時，它還可以使高速數(shù)據(jù)通道幾乎不受干擾。

除了ESD沖擊保護(hù)，安森美半導(dǎo)體還提供防止由雷擊或功率交叉(power-cross)故障造成浪涌沖擊的解決方案。各種消費(fèi)電子和電信/網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的通用接口都是符合10/100BASE-T和1000BASE-T以太網(wǎng)協(xié)議的RJ45接口，其浪涌額定值往往是室內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)。這些接口由四對差分?jǐn)?shù)據(jù)線組成，每根線可傳輸最高250 Mbps的數(shù)據(jù)速率。這類接口的保護(hù)需要確保橫向(金屬性)浪涌沖擊不致?lián)p壞敏感的下游芯片（如物理層）。這是通過線至線(每對線)連接分流保護(hù)元件(shunt protection element)來轉(zhuǎn)移進(jìn)入的浪涌能量實(shí)現(xiàn)的。

對于較低數(shù)據(jù)速率(10/100BASE-T)的應(yīng)用，安森美半導(dǎo)體提供了一種稱為TSPD(晶閘管浪涌保護(hù)器件)的消弧(crowbar)器件組合，以及用于類似ESD保護(hù)的鉗位器件。TSPD可提供低鉗位電壓的優(yōu)勢，并具有較高的浪涌電流能力。例如，這些器件可以滿足GR-1089 10/1000 μs標(biāo)準(zhǔn)的要求，因此適合初級端或次級端的保護(hù)，也被稱為“線端”保護(hù)。TVS(瞬態(tài)抑制二極管)鉗位器件支持8/20 μs脈沖的浪涌級別，通常用于第三級(tertiary)或PHY側(cè)以捕獲并安全地消除任何殘余浪涌脈沖。

典型電路保護(hù)應(yīng)用示例
智能手機(jī)應(yīng)用是一種比較典型的保護(hù)應(yīng)用，安森美半導(dǎo)體的解決方案包括數(shù)據(jù)濾波器、ESD保護(hù)二極管及陣列和電壓保護(hù)器件等。消費(fèi)和便攜式應(yīng)用的USB2.0保護(hù)包括高速對、VCC和低電容ESD保護(hù)；而USB 3.0則有兩個超高速對和一個高速對，以及VCC、低電容ESD保護(hù)。eSATA接口有兩個高速對和低電容ESD保護(hù)。

圖7：智能手機(jī)框圖及需要保護(hù)的I/O接口(見右下側(cè)淺藍(lán)色背景區(qū)域)

針對4至12線的攝像頭和顯示器的并行接口，安森美半導(dǎo)體有低通LC濾波器+ ESD保護(hù)器件，以及3至5個高速串行通道的共模濾波器+ ESD保護(hù)。對于便攜式HDMI、消費(fèi)類HDMI/顯示端口，可以采用四個高速對、多達(dá)6個額外接口線、低電容ESD+共模濾波器方案。

此外，安森美半導(dǎo)體的保護(hù)應(yīng)用還包括音頻(音箱/耳機(jī))、SD接口、SIM卡、鍵盤EMI抑制、以太網(wǎng)，以及T1/E1、T3/E3和xDSL端口等，可以滿足消費(fèi)類電子產(chǎn)品對強(qiáng)大ESD保護(hù)及減少EMI/RFI噪聲的更高要求。