美國SIA公布半導體未來藍圖

　    美國半導體產業(yè)協(xié)會(SIA)日前發(fā)表2011國際半導體科技藍圖(International Technology Roadmap for Semiconductors;ITRS)，其中詳細提出各種短期及長期發(fā)展趨勢，一路規(guī)劃出半導體產業(yè)至2026年的發(fā)展。

　　美國半導體產業(yè)協(xié)會此次公布的藍圖，首先在2011年12月14日發(fā)表于南韓，制作過程中美國、歐洲、日本、南韓、臺灣等5個區(qū)域的晶圓廠、研究機構等均有貢獻。據(jù)該協(xié)會會長Brian Toohey指出，制作藍圖的團隊希望借由預先提出可能會遇到的關鍵技術難關及可能解決方式，以令各界有更多時間進行研究。

　　在規(guī)劃如此藍圖時，困難之處在于如何追隨摩爾定律，持續(xù)微縮半導體制程，但在此同時又提高效能以符合市場需求，其中諸如記憶體、微機電系統(tǒng)(MEMS)、感應器、3D晶片等議題都包括在內。

　　美國半導體產業(yè)協(xié)會指出，在各種領域之中，DRAM的發(fā)展尤其快速，這樣一來也同時可望帶來高效能伺服器、游戲主機用顯示卡等新技術。

　　在藍圖中，快閃記憶體因用于目前在市場上如數(shù)位相機、平板電腦、手機等熱門可攜式產品上，因而受到特別矚目。根據(jù)預測，快閃記憶體將可在未來數(shù)年快速發(fā)展，而2016年可望被采用的3! D技術，更將令記憶體容量大幅增加。