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2012年芯片設計主流技術正式邁入28nm

—— 28納米及其以下制程則采取全數(shù)委外策略
作者: 時間:2011-11-22 來源:DIGITMES 收藏

  據(jù)DIGITMES,隨著半導體新廠建造成本由2005年約20億~30億美元攀升至2010年的30億~40億美元水平后,預估至2015年更將一舉超越50億美元大關?;诔掷m(xù)攀升的新廠成本早已超出集成元件制造廠(Integrated Device Manufacturer;IDM)正常資本支出能夠支應范圍,因此,部分IDM選擇將晶圓制造訂單部分委外至晶圓代工(Foundry)業(yè)者,同時保留既有產(chǎn)線專注核心產(chǎn)品線生產(chǎn),形成輕晶圓廠(Fab-Lite)營運模式。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/126186.htm

  觀察全球IDM資產(chǎn)輕量化(Asset-Lite)策略時程規(guī)劃,以美系、歐系IDM分別起始于2000年初期、中期的宣告時點最為領先。不過,美系、歐系業(yè)者多屬專業(yè)芯片業(yè)者,訂單委外策略通常僅止于制造范疇,日系IDM雖然遲至2000年末期方宣告其資產(chǎn)輕量化策略,不過日系業(yè)者延伸至終端產(chǎn)品的營運觸角,反成為最有機會提供IC設計服務(IC Design Service)業(yè)者解決方案的商機來源。

  綜觀2007~2011年期間包括專用標準產(chǎn)品(Application-Specific Standard Product;ASSP)、特殊應用IC(Application-Specific Integrated Circuit;ASIC)在內(nèi)的IC設計服務產(chǎn)業(yè)總體有效市場(Total Available Market;TAM)規(guī)模,多維持在900億~1,000億美元水平,展望2011~2015年,ASSP、ASIC市場期間年復合成長率(Compound Annual Growth Rate;CAGR)將分別超過5%、8%,其中ASSP仍占IC設計服務TAM超過75%,但ASIC成長動能則是優(yōu)于ASSP。

  隨晶圓代工產(chǎn)業(yè)28納米制程技術在2010年正式進入試產(chǎn)階段,預期IC設計服務制程主流技術將在2012年正式跨入28納米世代,基于IDM訂單委外時程規(guī)劃多預計在32~45納米制程展開部分委外,28納米及其以下制程則采取全數(shù)委外策略,預期來自IDM先進制程晶圓制造委外訂單將可望大量釋出,具備完整下游布局的日系IDM更可望陸續(xù)釋出委外訂單。

  而蘋果(Apple)自行開發(fā)的A4、A5芯片,則是帶動ASSP開始出現(xiàn)ASIC化的趨勢,預期將有越來越多芯片采用個別系統(tǒng)業(yè)者最佳化的設計模式,不僅得以達成終端產(chǎn)品輕薄短小要求,同時亦能夠有效降低整體物料成本。

  不過,對于缺乏系統(tǒng)單芯片(System-on-Chip;SoC)設計經(jīng)驗的IC設計業(yè)者而言則是嚴峻挑戰(zhàn),預期以大陸地區(qū)為首的IC設計業(yè)者將可望持續(xù)擴大訂單委外步調(diào),深化對IC設計服務業(yè)的倚重程度。



關鍵詞: 芯片設計 28nm

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