用創(chuàng)新封裝簡化電源設(shè)計(jì)
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這種器件的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是其布線。從圖2可以看出，封裝的引腳使其能很簡單地集成進(jìn)降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中。更特別的是，輸入安排在器件的一側(cè)，輸出在另一側(cè)。引腳2和3與DC-DC電路的VIN匹配，也就是高邊MOSFET的漏極。小焊盤也充當(dāng)高標(biāo)器件的漏極焊盤。更大的焊盤是電路的開關(guān)節(jié)點(diǎn)，高標(biāo)MOSFET的源極和低邊MOSFET的漏極從內(nèi)部連到器件上。這是連接到電感器的節(jié)點(diǎn)。最后，接地是引腳4和5，這兩個(gè)引腳是低邊MOSFET的源極。引腳1和6是分別連到高邊和低邊MOSFET的柵極。這個(gè)布局很簡單，減少了試圖使用兩個(gè)器件時(shí)布線出錯(cuò)的機(jī)會(huì)。將多個(gè)器件組合使用時(shí)需要額外使用PCB印制線，這種封裝可減少與PCB印制線有關(guān)的寄生電感，
本文引用地址：http://2s4d.com/article/117017.htm
轉(zhuǎn)向這種小尺寸功率雙片封裝的最后一個(gè)好處是所達(dá)到的效率水平能夠有效提高功率密度。器件安裝在單相降壓轉(zhuǎn)換器評估板上，具體條件如下：
VIN = 12 V, VOUT = 1.05 V, VDRIVE = 5.0V, fsw = 300 kHz, and IOUT max. = 15 A
效率是在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)測量的。15A時(shí)，效率是87%，測出的器件外殼溫度低于70℃。峰值效率高于91.5%。在電子系統(tǒng)中，這樣的性能可減小功率損耗，同時(shí)還可實(shí)現(xiàn)小尺寸的設(shè)計(jì)。
6.0mmx3.7mm外形尺寸的功率雙片封裝是MOSFET封裝技術(shù)的一項(xiàng)重要進(jìn)步。這種封裝使工程師能夠改進(jìn)、縮小和簡化設(shè)計(jì)，同時(shí)保持現(xiàn)在消費(fèi)電子產(chǎn)品所需的高標(biāo)準(zhǔn)和性能。
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