EUV要加大投資強度

　　未來半導體制造將越來越困難已是不爭的事實。巴克萊的C J Muse認為如DRAM制造商正處于關鍵的成品率挑戰(zhàn)階段，在4x，3x節(jié)點時發(fā)現(xiàn)了許多問題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒有)，是黃金時刻，然后在芯片制造中其它的工藝技術的挑戰(zhàn)也有很多，如兩次圖形曝光(在NAND，DRAM及l(fā)ogic中)，高k金屬柵等。由此，在未來的2011-2012年，甚至更長一段時期內(nèi)必須要加大投資強度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時間，它是在牛/熊市小組座談會上發(fā)表此看法) 。另一位會議發(fā)言者Credit Suisse的Satya Kumar補充認為，目前正處于由技術投資向fab產(chǎn)能投資過渡，它指出，器件的尺寸縮小已達3xnm及以下。Muse也同意此觀點認為產(chǎn)能擴充僅僅開始。

　　盡管EUV技術已逐漸映入人們的眼球中，然而另外一些光刻動向正引起業(yè)界關注。如KrF光刻機，近期它的突然訂單加多，表示新的產(chǎn)能擴充時代真的到來又一標志。2010年TSMC有30臺訂單，Samsung有15臺及intel有10臺。它們的供應商ASML，Nikon正努力設法完成供貨計劃，Muse在報告中稱全球在2010年需要60臺。另外，據(jù)應用材料公司(AMAT) 的報告，全球從現(xiàn)在起有14個新建fab，將增加產(chǎn)能，DRAM>200K/WSPM;NAND> 320K/WSPM;Logic/foundry >350K/WSPM。

　　對于任何一家公司在先進技術制造與開發(fā)方面都有極大的挑戰(zhàn)，這一點是無疑的。所以GlobalFoundries的高級副總裁Gregg Bartlett在它的發(fā)言中，重申如IBM的公共平臺合作方式對于目前是十分必要的。即便Intel的Andy Bryant在它的講話中也發(fā)起在IDM，學校與供應商之間加強合作的呼聲。

　　合作不僅是器件制造商之間的事，Global Foundries的Tom Sonderman建議合作模式中還必須包括設備制造商，如自動化、plug-in集成、及標準化的方法等。

　　EUV光刻到了哪里?

　　正如Credit Suisse的Kumar所言，對于每一位帶SEMICON標牌的人，已不懷疑EUV會到來。但是也有擔心，如掩模檢查(尤其是圖形尺寸在波長端的檢查) 及光源功率，ASML可能己給Gigaphoton下了訂單。另外，巴克萊的Muse認為在2010年下半年它的EUV3300設備的訂單己多達10臺以上。

　　有關EUV的消息不是來自供應商，而是來自客戶。在7月14日的會上Global foundries的Bartlett 透露它的公司將放棄EUV設備的試產(chǎn)過程，而盡快在它的紐約州Malta 正在建設的Fab 8中進入量產(chǎn)實驗，估計為2012的下半年，而真正達到很大量產(chǎn)可能在2015年。關于如浸入式及兩次圖形曝光技術可能用在2x節(jié)點應用。它并說EUV可能被用在下一代，16nm中。己經(jīng)有60種以上在Dresden掩模車間生產(chǎn)的EUV掩模準備待用。

　　當Ken Rygler在詢問華爾街分析師時，不管EUV未來可能在1xnm時準備好，或者根本就上不去，在牛市還是熊市的座談會上EUV開始逐漸熱了起來。巴克萊的CJ Muse表示，EUV的推遲可能是件好事，因為如檢測及光源功率等尚未到位，以及也可能有利于付蝕及工藝控制等進一步提高。然而Rygler對此搖頭，它表示目前還沒有一家說中間掩模(reticle)的檢查設備已準備好，這是人所共知的，CJ Muse之后也告訴了SST。但是它認為EUV設備早晚會成功，尤其在DRAM制造中對于某些關鍵層的光刻應用是有非常迫切的需求。