三星今年將推"相變內(nèi)存" 取代手機閃存卡

　　三星計劃于今年晚些時候推出相變內(nèi)存卡(PCM)，旨在取代當前手機等電子產(chǎn)品所使用的閃存技術。

　　相變內(nèi)存由相變材料制成，通過加熱材料形式來存儲數(shù)據(jù)。與閃存存儲相比，相變內(nèi)存存儲數(shù)據(jù)時更加省電，預計可延長電池續(xù)航時間20%。

　　在速度方面，相變內(nèi)存的優(yōu)勢更加明顯，其存取數(shù)據(jù)的速度比閃存快9倍。三星表示，相變內(nèi)存模塊預計于今年晚些時候下線，最初的容量為512MB。三星預計，對于多種電子產(chǎn)品，相變內(nèi)存最終取代當前的閃存技術。

　　值得一提的是，相變內(nèi)存存儲數(shù)據(jù)時所需溫度在150至600攝氏度之間，盡管該溫度對于電子產(chǎn)品而言是安全的，但對于經(jīng)常把手機揣著兜里的用戶而言可能會有些顧慮。