總投資超200億，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地SiC項(xiàng)目首批設(shè)備搬入

12月18日，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目舉行首批設(shè)備搬入儀式，標(biāo)志著長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地即將邁入工藝驗(yàn)證新階段，全面投產(chǎn)正式進(jìn)入倒計(jì)時(shí)。本次搬入的設(shè)備涵蓋芯片制造各個(gè)環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等，較原定設(shè)備搬入時(shí)間大幅提前。

長(zhǎng)飛先進(jìn)總裁陳重國(guó)表示，首批設(shè)備的進(jìn)駐，標(biāo)志著武漢基地項(xiàng)目正式進(jìn)入產(chǎn)能建設(shè)新階段，接下來(lái)還將面臨工藝驗(yàn)證、產(chǎn)品通線等更多、更難的挑戰(zhàn)。目前，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目正加快推進(jìn)建設(shè)并對(duì)設(shè)備進(jìn)行安裝調(diào)試，預(yù)計(jì)2025年5月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)通線。

資料顯示，長(zhǎng)飛先進(jìn)與2023年8月與武漢東湖高新區(qū)管委會(huì)簽署第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目，該項(xiàng)目聚焦第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過(guò)200億元，其中項(xiàng)目一期總投資80億元，規(guī)劃年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓。

當(dāng)前SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場(chǎng)中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢(shì)，未來(lái)幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢預(yù)測(cè)，到2028年全球SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到91.7億美元。